砷化镓MMIC SPDT开关
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砷化镓MMIC SPDT开关
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RF2
GND
RF1
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2
3
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C
VC2
RFC
VC1
C
4
C
C
隔直流电容器
要求所有RF端口。
C
= C
= 51pF的工作频率为500MHz > 。
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砷化镓MMIC SPDT开关
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砷化镓MMIC SPDT开关
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C
RF2
GND
RF1
1
2
3
6
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C
VC2
RFC
VC1
C
4
C
C
隔直流电容器
要求所有RF端口。
C
= C
= 51pF的工作频率为500MHz > 。
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HWS301
!
特点
低插入损耗:
0.35分贝@ 2 GHz的
隔离:
25分贝@ 2 GHz的
P1dB为:
+26 dBm的典型@ + 3V
IP3 :
43 dBm的
低DC功耗
低成本SOT- 26塑料包装
!
2004年3月
V2
SOT-26
描述
该HWS301是在砷化镓MMIC SPDT开关
低成本的SOT- 26塑料封装。该HWS301
拥有非常低的直流电源低插入损耗
消费。这种通用交换机可以是
在模拟和数字无线通信中使用
系统。
0 , + 3V控制电压电气规格在25 °
C
参数
插入损耗
测试条件
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 2.5 GHz的
0.5-2.5 GHz的
@ 0/+3V
@ 0/+5V
+5 dBm的每音@ 0.5-2.5 GHz的
@ 0/+3V
@ 0/+5V
25
22
20
分钟。
典型值。
0.35
0.40
28
25
23
20
26
30
43
48
50
5
50
马克斯。
0.55
0.60
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
uA
隔离
回波损耗
输入电源一分贝压缩
输入三阶互调
截取点
开关时间
控制电流
注意:取得在一个50欧姆的系统与0 / + 3V,控制电压,除非另有说明,所有的测量。
Hexawave公司
2繁荣路二,科技园区,新竹,台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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HWS301
!
典型性能数据@ + 25 °
C
插入损耗与频率
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0.5
1.0
1.5
2.0
频率(GHz )
2.5
3.0
B
A
!
2004年3月
V2
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
0.5-2.5 GHz的
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+30 dBm的
+6V
-40 °C至+ 85°C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
插入损耗(dB )
引脚输出(顶视图)
隔离与频率
-10
-15
隔离度(dB )
B
A
B
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1.0
1.5
2.0
频率(GHz )
2.5
3.0
隔直流电容器
B
要求所有RF端口。
C
B
=C
A
= 51pF的工作频率为500MHz > 。
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
1
0
VC2
0
1
RFC-RF1
隔离
插入损耗
RFC-RF2
插入损耗
隔离
回波损耗与频率
-10
-15
回波损耗(分贝)
' 1 ' = + 3V至+ 5V
“0”= 0V至+ 0.2V
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1.0
1.5
2.0
频率(GHz )
2.5
3.0
Hexawave公司
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