锑化铟霍尔元件
HW-108A
高灵敏度InSb霍尔元件。
超级迷你模具表面贴装封装（符合SOT343焊盘图形） 。
装运包带盘（每盘4000张） 。
注意：请阅读并接受"IMPORTANT NOTICE" 。
请注意， AKE产品并非设计用于生活用
支持设备，装置或系统。在这种使用AKE产品
应用程序需要适当的提前书面批准
AKE官。
利用半导体器件可以包括潜在的某些应用
人身伤害，财产损失或人员伤亡的风险。为了
尽量减少这些风险，充分的设计与操作安全措施
应该由客户提供，以减少固有的或程序性
危害。的AKE在这类应用产品包含被理解为
完全在使用AKE装置或系统的客户的风险。
.Absolute最大额定值
项
符号
极限
单位
马克斯。输入电流
Ic
常量。电流驱动
20
mA
工作温度。范围
TOPR 。
-40到+110
C
储存温度。范围
TSTG 。
-40到+125
C
输出霍尔电压分类（V
H
)
秩
V
H
[毫伏]
122
144
168
196
228
266
to
to
to
to
to
to
150
174
204
236
274
320
B = 50吨，VC = IV
恒压驱动
条件
电气特性（Ta = 25℃）
项
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
B
C
输出的霍尔电压
V
H
常量。电压驱动器
B = 50吨，VC = IV
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ，VC = IV
122
320
mV
D
E
输入阻抗
输出电阻
失调电压
凛
大败
VOS
250
250
–7
450
450
F
注：订购时，指定3级或更大范围的（E ·G · ， BCD ） 。
输入电流降额曲线
+7
mV
输入阻抗
温度。 V系数
H
V
H
B = 50吨， IC = 5毫安
20
–1.8
%/C
输入电流（mA ）
轮回： 250-450
温度。凛系数
凛
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
–1.8
%/C
10
介电强度
100V D.C
1.0
M
注意事项： 1， V
H
= VHM - V
os
（ VHM ：仪表指示）
2. V
H
=
3. R
in
=
1
V
H
(T
3
) – V
H
(T
2
)
V
H
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
1
R
in
(T
3
) – R
in
(T
2
)
R
in
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
X 100
X 100
T
1
= 20°C ，T
2
= 0° C，T
3
= 40C
0
–60
–40
– 20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度（℃）
注释：R
in
霍尔元件周围温度迅速下降
增加。确保符合输入电流降额曲线包络线，
在整个工作温度范围内。
0.25
尺寸图（毫米）
2.1±0.1
0.4
1.3
0.4
0.3
输入电压降额曲线
输入阻抗
2.0
输入电压（ V）
轮回： 250-450
2
2.1±0.2
1.25±0.1
1
0-0.1
N
5
5
3
4
0.1
1.0
5
0.8
0
+
0.1
钉扎
5
0
–60
3
4
(±)
(±)
–40
– 20
0
20
40
60
80
100
120
输入
产量
1(±)
2(±)
环境温度（℃）
注意：对于恒压驱动，停留在此输入电压降额
曲线包络。
19
HW-108A
a
特性曲线
RIN -T
2000
1800
输入电阻值：R
in
( )
输出电压： V
H
（毫伏）
V
H
-B
600.0
500.0
400.0
300.0
VIN
200.0
100.0
0.0
0
IC常量
VC常量
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
TA = 25 （C ）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
-50
0
50
环境温度（ ° C）
Ic
c
100
150
10
20
30
40
50
磁通密度B （MT ）
V
H
-T
2000
1750
输出电压： V
H
（毫伏）
IC常量
VC常量
V
H
-vc ，V
H
-IC
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
IC常量
VC常量
B = 50 （MT ）
TA = 25 （C ）
Ic
1500
1250
1000
750
500
250
0
–50
VIN
Ic
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 50 （MT ）
输出电压： V
H
（毫伏）
VIN
g
15
1.5
20
IC ： （毫安）
2.0
VC： （ V）
0
50
环境温度（ ° C）
100
150
V
OS
-T
40
IC常量
VC常量
V
OS
-vc ，V
OS
-IC
20
18
失调电压： V
os
（毫伏）
IC常量
VC常量
B = 0 （MT ）
TA = 25 （C ）
失调电压： V
os
（毫伏）
30
Ic
20
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 0 （MT ）
16
14
12
10
8
6
4
2
Ic
i
VIN
10
VIN
0
–50
0
50
环境温度（ ° C）
100
150
0
0.0
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
15
1.5
20 IC ： （毫安）
2.0 V
c
:(V)
*磁通密度
1(mT)=10(G)
在本实施例：琳= 350 （） ，沃斯= 4.7 （毫伏） ，维生素C = 1 （V）的
20
锑化铟霍尔元件
HW-108A
高灵敏度InSb霍尔元件。
超级迷你模具表面贴装封装（符合SOT343焊盘图形） 。
装运包带盘（每盘4000张） 。
注意：请阅读并接受"IMPORTANT NOTICE" 。
请注意， AKE产品并非设计用于生活用
支持设备，装置或系统。在这种使用AKE产品
应用程序需要适当的提前书面批准
AKE官。
利用半导体器件可以包括潜在的某些应用
人身伤害，财产损失或人员伤亡的风险。为了
尽量减少这些风险，充分的设计与操作安全措施
应该由客户提供，以减少固有的或程序性
危害。的AKE在这类应用产品包含被理解为
完全在使用AKE装置或系统的客户的风险。
.Absolute最大额定值
项
符号
极限
单位
马克斯。输入电流
Ic
常量。电流驱动
20
mA
工作温度。范围
TOPR 。
-40到+110
C
储存温度。范围
TSTG 。
-40到+125
C
输出霍尔电压分类（V
H
)
秩
V
H
[毫伏]
122
144
168
196
228
266
to
to
to
to
to
to
150
174
204
236
274
320
B = 50吨，VC = IV
恒压驱动
条件
电气特性（Ta = 25℃）
项
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
B
C
输出的霍尔电压
V
H
常量。电压驱动器
B = 50吨，VC = IV
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
B = 0mT ，VC = IV
122
320
mV
D
E
输入阻抗
输出电阻
失调电压
凛
大败
VOS
250
250
–7
450
450
F
注：订购时，指定3级或更大范围的（E ·G · ， BCD ） 。
输入电流降额曲线
+7
mV
输入阻抗
温度。 V系数
H
V
H
B = 50吨， IC = 5毫安
20
–1.8
%/C
输入电流（mA ）
轮回： 250-450
温度。凛系数
凛
B = 0mT ， IC = 0.1毫安
–1.8
%/C
10
介电强度
100V D.C
1.0
M
注意事项： 1， V
H
= VHM - V
os
（ VHM ：仪表指示）
2. V
H
=
3. R
in
=
1
V
H
(T
3
) – V
H
(T
2
)
V
H
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
1
R
in
(T
3
) – R
in
(T
2
)
R
in
(T
1
)
X
(T
3
– T
2
)
X 100
X 100
T
1
= 20°C ，T
2
= 0° C，T
3
= 40C
0
–60
–40
– 20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度（℃）
注释：R
in
霍尔元件周围温度迅速下降
增加。确保符合输入电流降额曲线包络线，
在整个工作温度范围内。
0.25
尺寸图（毫米）
2.1±0.1
0.4
1.3
0.4
0.3
输入电压降额曲线
输入阻抗
2.0
输入电压（ V）
轮回： 250-450
2
2.1±0.2
1.25±0.1
1
0-0.1
N
5
5
3
4
0.1
1.0
5
0.8
0
+
0.1
钉扎
5
0
–60
3
4
(±)
(±)
–40
– 20
0
20
40
60
80
100
120
输入
产量
1(±)
2(±)
环境温度（℃）
注意：对于恒压驱动，停留在此输入电压降额
曲线包络。
19
HW-108A
a
特性曲线
RIN -T
2000
1800
输入电阻值：R
in
( )
输出电压： V
H
（毫伏）
V
H
-B
600.0
500.0
400.0
300.0
VIN
200.0
100.0
0.0
0
IC常量
VC常量
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
TA = 25 （C ）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
-50
0
50
环境温度（ ° C）
Ic
c
100
150
10
20
30
40
50
磁通密度B （MT ）
V
H
-T
2000
1750
输出电压： V
H
（毫伏）
IC常量
VC常量
V
H
-vc ，V
H
-IC
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
IC常量
VC常量
B = 50 （MT ）
TA = 25 （C ）
Ic
1500
1250
1000
750
500
250
0
–50
VIN
Ic
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 50 （MT ）
输出电压： V
H
（毫伏）
VIN
g
15
1.5
20
IC ： （毫安）
2.0
VC： （ V）
0
50
环境温度（ ° C）
100
150
V
OS
-T
40
IC常量
VC常量
V
OS
-vc ，V
OS
-IC
20
18
失调电压： V
os
（毫伏）
IC常量
VC常量
B = 0 （MT ）
TA = 25 （C ）
失调电压： V
os
（毫伏）
30
Ic
20
IC = 5 （毫安）
维生素C = 1 （V）的
B = 0 （MT ）
16
14
12
10
8
6
4
2
Ic
i
VIN
10
VIN
0
–50
0
50
环境温度（ ° C）
100
150
0
0.0
5
0.5
10
1.0
IC （ mA）的电流输入
VC （ V）输入电压
15
1.5
20 IC ： （毫安）
2.0 V
c
:(V)
*磁通密度
1(mT)=10(G)
在本实施例：琳= 350 （） ，沃斯= 4.7 （毫伏） ，维生素C = 1 （V）的
20
QQ：2880707522 复制
