HVC135
硅外延海沟PIN二极管的天线切换
ADE - 208-818A （ Z）
REV 1
2000年2月
特点
采用沟槽结构改善低电容（ C = 0.6pF最大）
低正向电阻。 （ RF = 2.0Ω最大）
低工作电流。
超小型扁平封装（ UFP ）是适用于表面安装在高的设计和稳定的射频特征
频率。
订购信息
型号
HVC135
激光标记
P5
封装代码
UFP
概要
阴极标记
标志
1
P5
2
1.阴极
2.阳极
SMD型
硅外延海沟PIN二极管
HVC135
二极管
SOD-523
+0.05
0.3
-0.05
+0.1
1.2
-0.1
单位：mm
+0.1
0.6
-0.1
采用沟槽结构改善低电容（ C = 0.6pF最大）
低正向电阻。 （ RF = 2.0
低工作电流。
0.07max
+0.05
0.1
-0.02
MAX ）
+0.05
0.8
-0.05
特点
+
-
+0.1
1.6
-0.1
0.77max
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
P·E A K重; V。E RS电子V LTA克é
V è RS电子V LTA克é
F RW一个道中④此吨
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
RM
V
R
I
F
P
d
T
j
T
s TG
伏鲁é
65
60
100
150
125
-5 5 + 1 2 5
加利IT
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
PARAM ETER
反向电流
反向电压
电容
正向电阻
防静电能力* 1
记
1.破坏准则;我
R
> 100 nA的在V
R
= 60V.
SYM BOL
I
R
V
F
C
r
f
条件
V
R
= 60 V
I
F
= 2m的
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
I
F
= 2m时， F = 100 MHz的
C = 200pF的，无论前进，
反方向1脉冲
100
民
典型值
最大
0.1
0.9
0.6
2.0
V
单位
A
V
pF
记号
记号
P5
www.kexin.com.cn
1
产品speci fi cation
HVC135
SOD-523
+0.05
0.3
-0.05
+0.1
1.2
-0.1
单位：mm
+0.1
0.6
-0.1
采用沟槽结构改善低电容（ C = 0.6pF最大）
低正向电阻。 （ RF = 2.0
低工作电流。
0.07max
+0.05
0.1
-0.02
MAX ）
+0.05
0.8
-0.05
特点
+
-
+0.1
1.6
-0.1
0.77max
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
P·E A K重; V。E RS电子V LTA克é
V è RS电子V LTA克é
F RW一个道中④此吨
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
RM
V
R
I
F
P
d
T
j
T
s TG
伏鲁é
65
60
100
150
125
-5 5 + 1 2 5
加利IT
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
PARAM ETER
反向电流
反向电压
电容
正向电阻
防静电能力* 1
记
1.破坏准则;我
R
> 100 nA的在V
R
= 60V.
SYM BOL
I
R
V
F
C
r
f
条件
V
R
= 60 V
I
F
= 2m的
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
I
F
= 2m时， F = 100 MHz的
C = 200pF的，无论前进，
反方向1脉冲
100
民
典型值
最大
0.1
0.9
0.6
2.0
V
单位
A
V
pF
记号
记号
P5
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4008-318-123
1 1
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