HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
特点
输出IP2 ： +78 dBm的
高增益： 14.5分贝
高输出IP3 ： +38 DBM
75欧姆阻抗
单正电源： + 5V
强大的1000V的ESD ， 1C类
SOIC - 8封装贴片
典型应用
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
该HMC754S8GE是理想的：
CATV /宽带基础设施
测试&测量设备
线路放大器和光纤节点
客户端设备
工作原理图
概述
该HMC754S8GE是GaAs / InGaP HBT的双
通道增益模块SMT MMIC放大器覆盖
DC至1 GHz 。这种多用途的产品包含两个
增益模块，封装在一个8引脚塑料
SOIC-8 ，用于与两个放大器结合使用
推拉使用外部巴伦取消配置
出二阶非线性和完善IP2
性能。在此配置中， HMC754S8GE
提供高增益，低失真&简单的外部
匹配。只有这种高线性度放大器消耗
160毫安从一个正电源。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VCC1 =电源Vcc2 = 5V ，莫宁= 75欧姆
[1]
参数
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截点（ IP3 ）
（噘=每基调为0 dBm ， 1 MHz的间距）
输出二阶截取点（ IP2 ）
复合二阶（ CSO ）
[2]
复合三次差拍（ CTB ）
交叉调制（ XMOD ）
[2]
噪声系数
电源电流（ ICC1 + ICC2 ）
[1]的数据采取了双放大器组合的推挽（默认）配置
[ 2 ]输入电平+15 dBmV的， 133通道 - 模拟调制
[2]
分钟。
0.05 - 0.5 GHz的
0.5 - 0.87 GHz的
0.87 - 1.0 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.5 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.5 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
145
19.5
13.5
12.7
12.1
典型值。
14.7
14.2
13.4
0.008
17
10
10
20
23
21
38
78
-81
-75
-67
5.5
6.5
160
马克斯。
单位
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
175
mA
9 - 190
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
获得&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
0
-10
-20
-30
-40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益与温度
18
15
12
增益（dB ）
9
6
3
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
9 - 191
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
输出IP3与温度的关系
42
40
38
IP3 （ dBm的）
输出IP2与温度的关系
100
90
IP2 （ dBm的）
80
36
34
32
30
25C
85C
-40C
70
25C
85C
-40C
60
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
50
0
0.05
0.1
0.15
0.2 0.25 0.3 0.35
频率（GHz ）
0.4
0.45
0.5
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
噪声系数与温度
P1dB为与温度的关系
25
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
噪声系数（dB ）
10
25C
85C
-40C
8
20
P1dB的（ DBM）
25C
85C
-40C
6
15
4
10
2
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
输出IP2与输出功率
90
噘嘴= -3dBm
噘嘴=为0dBm
噘嘴= 3dBm的
噘嘴= 6dBm的
反向隔离度（dB ）
86
IP2 （ dBm的）
82
78
74
70
0
0.05
0.1
0.15
0.2 0.25 0.3 0.35
频率（GHz ）
0.4
0.45
0.5
CSO / CTB / XMOD
@ +15 dBmV的输入， 133通道（模拟）
-50
CSO-
CSO +
CTB
XMOD
-60
响应（ DBC）
-70
-80
-90
-100
0
0.1
0.2
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7
频率（GHz ）
0.8
0.9
1
9 - 192
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
选项1 - 改进的输入回波损耗&增益平坦度（与下IP2 ）的应用
获得&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
0
-10
-20
-30
-40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
60
S21
S11
S22
输出IP2与频率的关系
100
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
9 - 193
90
IP2 （ dBm的）
80
70
50
0
0.05
0.1
0.15
0.2 0.25 0.3 0.35
频率（GHz ）
0.4
0.45
0.5
输出IP3与频率的关系
42
40
噪声系数与频率的关系
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
38
IP3 （ dBm的）
36
34
32
30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
25
20
P1dB的（ DBM）
15
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
方案2 - 10 100 MHz的应用
获得&回波损耗
输出IP3与频率的关系
42
40
S21
S11
S22
9
响应（ dB）的
20
10
0
-10
-20
-30
-40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
频率（MHz）
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
38
IP3 （ dBm的）
36
34
32
30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
噪声系数与频率的关系
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
的P1dB与频率的关系
25
20
P1dB的（ DBM）
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
频率（MHz）
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
频率（MHz）
9 - 194
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
特点
输出IP2 ： +78 dBm的
高增益： 14.5分贝
高输出IP3 ： +38 DBM
75欧姆阻抗
单正电源： + 5V
强大的1000V的ESD ， 1C类
SOIC - 8封装贴片
典型应用
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
该HMC754S8GE是理想的：
CATV /宽带基础设施
测试&测量设备
线路放大器和光纤节点
客户端设备
工作原理图
概述
该HMC754S8GE是GaAs / InGaP HBT的双
通道增益模块SMT MMIC放大器覆盖
DC至1 GHz 。这种多用途的产品包含两个
增益模块，封装在一个8引脚塑料
SOIC-8 ，用于与两个放大器结合使用
推拉使用外部巴伦取消配置
出二阶非线性和完善IP2
性能。在此配置中， HMC754S8GE
提供高增益，低失真&简单的外部
匹配。只有这种高线性度放大器消耗
160毫安从一个正电源。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VCC1 =电源Vcc2 = 5V ，莫宁= 75欧姆
[1]
参数
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截点（ IP3 ）
（噘=每基调为0 dBm ， 1 MHz的间距）
输出二阶截取点（ IP2 ）
复合二阶（ CSO ）
[2]
复合三次差拍（ CTB ）
交叉调制（ XMOD ）
[2]
噪声系数
电源电流（ ICC1 + ICC2 ）
[1]的数据采取了双放大器组合的推挽（默认）配置
[ 2 ]输入电平+15 dBmV的， 133通道 - 模拟调制
[2]
分钟。
0.05 - 0.5 GHz的
0.5 - 0.87 GHz的
0.87 - 1.0 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.5 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.5 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
0.05 - 0.5 GHz的
0.05 - 0.87 GHz的
145
19.5
13.5
12.7
12.1
典型值。
14.7
14.2
13.4
0.008
17
10
10
20
23
21
38
78
-81
-75
-67
5.5
6.5
160
马克斯。
单位
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dB
dB
175
mA
8-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
增益与温度
18
15
获得&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
0
-10
-20
-30
-40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
S21
S11
S22
8
25C
85C
-40C
9
6
3
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
输出IP3与温度的关系
42
40
38
IP3 （ dBm的）
输出IP2与温度的关系
100
90
IP2 （ dBm的）
80
36
34
32
30
25C
85C
-40C
70
25C
85C
-40C
60
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
50
0
0.05
0.1
0.15
频率（GHz ）
0.2 0.25 0.3 0.35
频率（GHz ）
0.4
0.45
0.5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
8-2
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
12
增益（dB ）
HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
P1dB为与温度的关系
25
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
噪声系数与温度
10
25C
85C
-40C
8
噪声系数（dB ）
20
P1dB的（ DBM）
25C
85C
-40C
6
15
4
10
2
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
反向隔离度（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
25C
85C
-40C
输出IP2与输出功率
90
噘嘴= -3dBm
噘嘴=为0dBm
噘嘴= 3dBm的
噘嘴= 6dBm的
86
IP2 （ dBm的）
82
78
74
70
0
0.05
0.1
0.15
0.2 0.25 0.3 0.35
频率（GHz ）
0.4
0.45
0.5
CSO / CTB / XMOD
@ +15 dBmV的输入， 133通道（模拟）
-50
CSO-
CSO +
CTB
XMOD
-60
响应（ DBC）
-70
-80
-90
-100
0
0.1
0.2
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7
频率（GHz ）
0.8
0.9
1
8-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
选项1 - 改进的输入回波损耗&增益平坦度（与下IP2 ）的应用
获得&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
0
-10
-20
-30
-40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
60
S21
S11
S22
输出IP2与频率的关系
100
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8-4
90
IP2 （ dBm的）
80
70
50
0
0.05
0.1
0.15
0.2 0.25 0.3 0.35
频率（GHz ）
0.4
0.45
0.5
输出IP3与频率的关系
42
40
噪声系数与频率的关系
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
38
IP3 （ dBm的）
36
34
32
30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
25
20
P1dB的（ DBM）
15
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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HMC754S8GE
v00.0409
砷化镓HBT高线性度
推挽放大器， 75欧姆， DC - 1 GHz的
输出IP3与频率的关系
42
40
方案2 - 10 100 MHz的应用
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
获得&回波损耗
20
10
响应（ dB）的
0
-10
-20
-30
-40
0
10
20
30
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50
60
70
80
90
100
频率（MHz）
S21
S11
S22
38
IP3 （ dBm的）
36
34
32
30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
噪声系数与频率的关系
10
9
8
噪声系数（dB ）
7
的P1dB与频率的关系
25
20
P1dB的（ DBM）
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
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70
80
90
100
频率（MHz）
15
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0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
频率（MHz）
8-5
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