HB7121B
半导体公司
系统IC事业部
CMOS图像传感器
与8位ADC
描述
HB7121B是采用海力士0.5微米CMOS工艺的高集成度的单芯片CMOS /黑白图像传感器
对图像应用程序，实现高效率的光传感器的发展。该传感器具有414X314像素总数，
和400x300像素，有效。每个像素高光敏，体积小有源像素单元转换
光子，以模拟电压信号。该传感器有三个片上8位数字模拟转换器（DAC）和414
比较器进行数字化的像素输出。三片上8位DAC可用于独立
收益
控制权。海力士专有的片上相关双采样（ CDS ）电路，可以降低固定模式噪声
（ FPN ）显着。整个8位数字B / W原始数据直接提供的封装引脚，只需
需要为整个芯片的控制数的控制信号，因此它非常易于使用的配置系统
传感器。
特点
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400 ×300像素的分辨率
8um X 8um万像素（带微透镜）
高效率的光电传感器
集成的8位ADC ，可直接数字输出
低功率3.3V操作（ 5V容限I / O）
完整的全控制和调整窗口大小
主频高达15MHz的
可编程的帧速率和同步格式
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l
l
通过标准的我全功能控制
2
C总线
内置的自动增益控制（ AGC ）
48引脚CLCC
防晕染电路
灵活的曝光时间控制
片上集成的定时和驱动控制
4"分之1光学格式
技术规格
像素分辨率
像素尺寸
填充因子（无微透镜）
格式
灵敏度
电源电压模拟
电源电压数字
电源电压为5V容限输入
耗电量
工作温度
技术
402x302
30%
CIF
8.0V/luxsec
3.3V
3.3V
5.0V
功能框图
解码器/驱动器像素
8x8um
2
控制寄存器&逻辑
I
2
C
像素阵列
ADC模块
行缓冲区
TBD@15MHz
0 40摄氏度
0.5um的CMOS 3metal
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
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2001年海力士系统IC事业部
HB7121B
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电气特性
绝对最大额定值
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l
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CMOS图像传感器
与8位ADC
电源电压（模拟，数字）
在任何输入引脚电压
工作温度（ ℃）
存储温度（ ℃）
:
:
:
:
-0.4 V
-0.4 V
0
-30
~
~
~
~
3.8 V
V
DD
+ 0.5 V
40
80
记
：输入引脚可承受5V 。应力超过绝对最大额定值可能会导致失败。
直流工作条件
符号
V
dd
V
ih
V
il
V
oh
V
ol
T
a
参数
内部操作电源电压
输入电压逻辑"1"
输入电压逻辑"0"
输出电压逻辑"1"
输出电压逻辑"0"
工作环境温度
单位
伏特
伏特
伏特
伏特
伏特
摄氏
分钟。
3.0
2.0
0
2.15
0.4
0
马克斯。
3.6
5
0.8
3.6
0.4
40
6.5
6.5
60
60
负载[ pF的]
笔记
交流工作条件
符号
MCLK
SCK
参数
主时钟频率
I
2
时钟频率
最大工作频率
20
400
单位
兆赫
千赫
笔记
1
2
1. MCLK可以根据时钟分频寄存器的内部时钟进行划分。
2.
SCK由主机处理器驱动。对于具体的串行总线时序，请参阅IC规格。
2
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光电特性
的光源色温： 3200K /红外截止滤光器（CM -500S ， 1mm厚）被使用。
CMOS图像传感器
与8位ADC
参数
灵敏度
暗信号
输出饱和信号
动态范围
输出信号阴影
暗信号阴影
帧率
注意：
单位
毫伏/ luxsec
毫伏/秒
MV
dB
%
毫伏/秒
FPS
分钟。
5000
1200
典型
8000
5
1250
马克斯。
100
记
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
48
8
3
13
300
60
1 ）在测量照度10LUX曝光时间为10毫秒。
2 ）测得的曝光时间50毫秒零照度。 （T
温度
= 40 ℃）
3 ）在V实测
dd
= 3.3V和100LUX照度的曝光时间50毫秒。
4） 48分贝由8位ADC的限制。
的4×4像素上都是平等的黑人每个块的响应平均值5 ）差异在50 ％
饱和度的照明，曝光时间10毫秒。
6 ）V的范围
最大
和V
民
在零照度为曝光时间50毫秒，其中V
最大
和V
民
各块响应的最大值和最小值，分别。
’s
7 ）测得MCLK 15MHz的。
积分时间必须按顺序进行有效的窗口高度不超过窗口的高度设置。
这是因为有效窗口的高度正比于积分时间。
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输入/输出交流特性
l
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CMOS图像传感器
与8位ADC
所有的输出时序延迟测量输出负载60 pF的。
输出延迟包括内部时钟路径延迟6 [纳秒]和输出驱动延迟而变化的
对于输出负载，运行环境和电路板设计。
由于输出的可变有效的时间延迟，输出信号可以是否定的锁存
MCLK的为小于所述图像传感器和主机之间的稳定的数据传送边缘
15MHz的操作。
MCLK为HSYNC / VSYNC计时
T
1
： MCLK上升到HSYNC / VSYNC最大有效时间： 18ns [输出负载： 60pF ]
T
2
： HSYNC / VSYNC有效时间：最短1clock （需与T
1
, T
2
时序规则）
MCLK到数据时序
PCLK
T
3
MCLK
DATA [7 ：0]的
有效数据
T
3
T
3
： MCLK上升到DATA有效的最大时间： 18ns [输出负载： 60pF ]
注）
HSYNC信号是高时有效数据的数据总线上。
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输入/输出交流特性（续）
ENB时序
CMOS图像传感器
与8位ADC
T
4
T
5
MCLK
T
6
ENB
T
T
4
： ENB建立时间： 5 [ NS ]
T
5
： ENB保持时间： 5 [ NS ]
T
6
： ENB有效时间：最少2钟
复位时序
必须有效（低电平有效）状态至少8个MCLK周期
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