韩光
HMF4M32M8V
闪存ROM模块16兆字节（ 4Mx32Bit ） ， 72PIN - SIMM ， 3.3V设计
产品型号HMF4M32M8V
概述
该HMF4M32M8V是只读组织在存储器（ FROM ）含有8,388,608字模块高速闪存
x32bit配置。该模块由8米x 8位从安装在一个72针，双-sided ， FR4印刷电路
板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
四个芯片使能输入端， （ / CE_1L ， / CE_1H ， / CE_2L ， / CE_2H ）用于使能所述模块
’s
16位独立。产量
使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低能源
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3.3V直流电源供电，所有输入和输出都与TTL
兼容。
特点
针
w
访问时间： 70 ， 80 ， 90 ，为120ns
w
高密度的16兆字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
+ 3.3V单
±
0.3V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
行业擦除架构
w
行业组保护
w
临时业集团解除保护
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
VSS
/ RESET
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VCC
DQ7
/CE_1L
/CE_2L
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
NC
NC
DQ16
引脚分配
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
VCC
DQ22
DQ23
/CE_1H
/CE_2H
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
NC
NC
VCC
A19
/ OE
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
/ WE
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
VCC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A20
NC(A21)
VSS
选项
w
定时
为70ns存取
80ns的访问
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-70
-80
-90
-120
15
16
17
18
19
20
21
22
M
23
24
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REV.02(August,2002).
1
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韩光
真值表
模式
待机
未选择
读
写或擦除
注意：
X表示不关心
/ OE
X
H
L
X
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ RESET
Vcc±0.3V
H
H
H
HMF4M32M8V
DQ （ /字节= L ）
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
参数
电压相对于地所有其他引脚
电压相对于地的Vcc
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
PD
T
英镑
等级
-0.5V到VCC + 0.5V
-0.5V至+ 4.0V
8W
-65oC至+ 150℃
工作温度
T
A
-55℃ + 125摄氏度
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
本说明书中的操作部分没有进出口撒谎。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
VCC为
±
10 ％的设备电源电压
地
符号
VCC
V
SS
民
2.7V
0
0
典型值。
最大
3.6V
0
DC和工作特性
（ 0℃
≤
TA
≤
70 ℃）
参数
输入负载电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
VCC读操作工作电流（ 1 ）
/ OE = V
IH
,
VCC主动写电流（ 2 ）
VCC待机电流
低VCC锁定电压
注意事项：
1.上市ICC流通常比2毫安/ MHz的少，与/ OE在V
IH
.
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
/ CE， /RESET=Vcc±0.3V
1MHZ
I
CC2
I
CC3
V
LKO
测试条件
VCC = VCC最大值，V
IN
= VSS到Vcc
VCC = VCC最大值，V
OUT
= VSS到Vcc
I
OH
= -2.0mA ， VCC = VCC最小值
I
OL
= 4.0毫安， VCC = VCC最小值
/ CE = V
IL
,
5MHZ
I
CC1
16(Tpy)
160(Tpy)
1.6(Tpy)
2.3
32
240
40.0
2.5
mA
A
V
Symbo
L
I
L1
I
L0
0.85x
V
OH
VCC
V
OL
72(Tpy)
0.45
128
mA
V
V
民
最大
±1.0
±1.0
单位
A
A
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3
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2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中
3.最大电流Icc电流规格与测试的Vcc = VCC最大
HMF4M32M8V
擦除和编程性能
范围
参数
分钟。
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
芯片编程时间
-
-
-
典型值。
0.7
25
9
12
300
36
马克斯。
15
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
不包括系统级
架空
排除00H编程
对擦除之前
单位
评论
TSOP电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数
描述
输入电容
输出电容
控制引脚电容
o
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值。
6
8.5
7.5
最大
7.5
12
9
单位
pF
pF
pF
笔记
：测试条件牛逼
A
= 25°C ， F = 1.0兆赫。
AC特性
u
只读操作特性
参数
符号
描述
JEDEC标准
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
QH
读周期时间
地址输出延迟
芯片使能到输出延迟
输出使能到输出延迟
芯片使能输出高-Z
输出使能到输出高阻
输出保持时间从地址，
/ CE和/ OE ，先到为准
/ CE = V
IL
/ OE = V
IL
/ OE = V
IL
民
最大
最大
最大
最大
最大
民
测试设置
-70R
70
70
70
30
25
25
-80
80
80
80
30
25
25
0
-90
90
90
90
35
30
30
-120
120
120
120
50
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
速度选项
单位
测试规范
测试条件
输出负载
输出负载电容，C
L
（包括夹具电容）
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
输入定时测量参考电平
输出时序测量参考电平
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70R, 80
1TTL门
30
5
0.0-3.0
1.5
1.5
90, 120
单位
100
pF
ns
V
V
V
4
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