【HV219低电荷注入8通道高压模拟开关特点HVCMOS技术用于高性能非常低的静态功耗-10μA输出导】,IC型号HV219FG-G,HV219FG-G PDF资料,HV219FG-G经销商,ic,电子元器件-51电子网

HV219

低电荷注入

8通道高压模拟开关

特点

HVCMOS

技术用于高性能

非常低的静态功耗-10μA

输出导通电阻通常为11Ω

低寄生电容

DC至10MHz的模拟信号频率

-60dB典型的关断隔离在5MHz

CMOS逻辑电路，用于低功率

卓越的抗干扰能力

串行移位寄存器逻辑控制锁存器

灵活的工作电源电压

表面贴装封装

概述

Supertex公司HV219是一款低开关导通电阻，低电荷注入

8通道200V模拟开关集成电路（IC）的目的主要是

医学超声成像。该设备还可以用于

无损检测，无损评价的应用程序。在HV219是低级

开关电阻11Ω与22Ω ，版本Supertex公司HV20220的

装置。较低的开关电阻将有助于降低插入损耗。它

具有相同的引脚CON组fi guration作为该Supertex公司HV20220PJ的

和HV20220FG 。

该器件采用Supertex公司的HVCMOS制造

（高电压

CMOS）技术的具有高电压双边的DMOS结构

输出和低电压CMOS逻辑对输入控制。该

输出CON组fi gured八个独立的单刀单掷

11Ω模拟开关。输入逻辑是一个8位的串行到并行的移位

寄存器后面是8位并行闩锁。开关状态是

通过在锁存器中的数据来确定。逻辑高电平将对应于一个

闭合的开关和逻辑低的打开开关。

在HV219被设计为在高的各种组合操作

电源电压。例如在V

PP

和V

NN

电源可以是：

+ 40V / -160V ， + 100V / -100V ，或+ 160V / -40V 。这允许用户

最大化为单极负，双极，或者单向的信号电压

极地阳性。

水平

产量

锁存器开关

D

LE

CL

应用

医学超声成像

非破坏性评估

框图

D

IN

SW0

D

LE

CL

SW1

CLK

D

LE

CL

D

LE

CL

D

LE

CL

D

LE

CL

D

LE

CL

D

LE

CL

SW2

8-Bit

移

注册

SW3

SW4

SW5

D

OUT

SW6

SW7

V

DD

GND CL LE

V

NN

V

PP

HV219

订购信息

封装选项

设备

HV219

28引脚PLCC

HV219PJ

HV219PJ-G

48引脚LQFP

(7x7x1.4mm)

HV219FG

HV219FG-G

销刀豆网络gurations

4

1

25

-G表示器件符合RoHS标准（绿色）

28引脚（J ） PLCC （ PJ ）

（ TOP VIEW ）

绝对最大额定值

参数

V

DD

逻辑电源电压

V

PP

- V

NN

电源电压

V

PP

正高电压电源

V

NN

负高压电源

逻辑输入电压

模拟信号范围

峰值模拟信号电流/通道

储存温度

功耗：

28引脚PLCC

48引脚LQFP封装（ 7x7x1.4mm ）

价值

-0.5V至+ 15V

220V

-0.5V到V

NN

+200V

+ 0.5V至-200V

-0.5V到V

DD

+0.3V

V

NN

到V

PP

3.0A

-65

O

C至+150

O

C

1.2W

1.0W

48

1

48引脚LQFP （ FG ）

(7x7x1.4mm)

（ TOP VIEW ）

产品标识

顶部标记

YW W

绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能

发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行

该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是

参考器件接地。

HV219PJ

LLLLLLLLLL

工作条件

符号参数

V

DD

V

PP

V

NN

V

IH

V

IL

V

SIG

T

A

逻辑电源

电压

正高电压

供应

负高压

供应

高电平输入逻辑

电压

低电平输入逻辑

电压

模拟信号电压

峰 - 峰值

经营自由的空气

温度

价值

4.5V至13.2V

40V到V

NN

+200V

-40V至-160V

V

DD

-1.5V到V

DD

0V至1.5V

V

NN

+ 10V至V

PP

-10V

0

O

C至70

O

C

底部标志

CCCCCCCCCCC

AAA

YY =年密封

WW =周密封

L =批号

C =原产地

A =汇编ID *

= “绿色”包装

*可能是顶部的一部分标记

.

28引脚PLCC （ PJ ）

顶部标记

YYWW

HV219FG

LLLLLLLLL

底部标志

CCCCCCCC

AAA

YY =年密封

WW =周密封

L =批号

C =原产地

A =汇编ID *

= “绿色”包装

*可能是顶部的一部分标记

48引脚LQFP （ FG ）

2

HV219

DC电气特性

（在推荐的工作条件，除非另有说明）

符号

参数

0

O

C

民

-

R

ONS

小信号开关

导通电阻

-

ΔR

ONS

R

ONL

I

SOL

小信号开关

导通电阻匹配

大信号开关

导通电阻

关闭每漏电开关

直流偏置开关关闭

直流偏置开关上

I

PPQ

I

NNQ

I

PPQ

I

NNQ

静态V

PP

电源电流

静态V

NN

电源电流

静态V

PP

电源电流

静态V

NN

电源电流

开关输出峰值电流

f

SW

输出开关频率

-

I

PP

平均V

PP

电源电流

-

I

NN

平均V

NN

电源电流

-

I

DD

I

DDQ

I

SOR

I

SINK

C

IN

平均V

DD

电源电流

静态V

DD

电源电流

数据输出源电流

数据输出灌电流

大的输入电容

-

0.45

-

最大

15

13

9

12

11

20

-

5.0

300

500

-

3.0

-

6.5

4.0

6.5

4.0

10

-

10

民

-

0.45

-

3

+25

O

C

典型值

13

11

9

10

8

5.0

8

1.0

100

10

-10

10

-10

3.0

-

0.70

-

最大

19

14

12

13

20

-

10

300

500

50

-50

50

-50

2.0

50

7.0

5.0

7.0

5.0

4.0

10

-

10

+70

O

C

民

-

0.40

-

最大

24

16

15

14

15

14

20

-

15

300

500

-

2.0

-

8.0

5.5

8.0

5.5

4.0

10

-

10

单位条件

I

SIG

= 5毫安

V

PP

= +40V

V

NN

= -

I

SIG

= 200毫安160V

I

SIG

= 5毫安

Ω

V

PP

=

+100V

I

SIG

- 200毫安V

NN

= -

100V

V

PP

=

+160V

I

SIG

= 200毫安V = -40V

NN

I

SIG

= 5毫安

%

Ω

A

mV

A

千赫

I

SIG

= 5毫安，V

PP

= +100V,

V

NN

= -100V

V

SIG

= V

PP

- 10V ，我

SIG

= 1A

V

SIG

= V

PP

-10V & V

NN

+10V

R

负载

= 100KΩ

R

负载

= 100KΩ

所有开关OFF

所有的开关，我

SW

=

5mA

所有的开关，我

SW

=

5mA

V

SIG

占空比< 0.1 ％

占空比= 50 ％

V

PP

= +40V

V

NN

= -160V

mA

V

PP

= +100V

V

NN

= -100V

所有输出

V

PP

= + 160V开关

转向

V

NN

= -40V

上

V

PP

= +40V

在OFF

V

NN

= -160V 50kHz的带

V

PP

= +100V

空载

V

NN

= -100V

V

PP

= +160V

V

NN

= -40V

mA

A

mA

pF

f

CLK

= 5MHz时，V

DD

= 5.0V

所有逻辑输入是静态的

V

OUT

= V

DD

- 0.7V

V

OUT

= 0.7V

---

mA

HV219

AC电气特性

（在推荐的工作条件下，V

符号

t

SD

t

WLE

t

DO

tw

CL

t

SU

t

H

f

CLK

TR ， TF

T

ON

T

关闭

参数

建立时间LE升起前

LE的时间宽度

时钟延迟时间到数据输出

CL的时间宽度

建立时间数据时钟

从时钟数据保持时间

时钟频率

时钟的上升和下降时间

开启时间

打开-O FF时间

0

O

C

民

150

-

150

15

35

-

dv / dt的

最大V

SIG

压摆率

-

KO

K

CR

I

ID

关断隔离

开关串扰

输出开关隔离二极管

当前

-30

-58

-

14

40

-

输出电压尖峰

-

Q

电荷注入

-

最大

-

150

-

5.0

50

5.0

20

-

300

25

60

-

民

150

-

150

15

35

-

-30

-58

-60

-

14

40

-

+25

O

C

典型值

-

8.0

-

-33

-

20

50

-

1450

1050

550

最大

-

150

-

5.0

50

5.0

20

-

300

25

60

150

200

150

200

150

200

-

民

150

-

150

20

35

-

14

40

-

DD

= 5.0V ，除非另有说明）

+70

O

C

最大

-

150

-

5.0

50

5.0

20

-

300

25

60

-

单位条件

ns

兆赫

ns

s

---

占空比为50％，

f

数据

= f

CLK

/2

---

V

SIG

= V

PP

-10V,

R

负载

= 10KΩ

V

SIG

= V

PP

-10V,

R

负载

= 10KΩ

V

PP

= +40V, V

NN

= -160V

V / ns的

V

PP

= +100V, V

NN

= -100V

V

PP

= +160V, V

NN

= -40V

dB

mA

pF

F = 5MHz时，

1KΩ // 15pF的负载

F = 5MHz时， 50Ω负载

300ns的脉冲宽度，

2 ％的占空比

0V ， F = 1MHz的

V

PP

= +40V,

V

NN

= -160V ，R

负载

= 50Ω

mV

V

PP

= +100V,

V

NN

= -100V ，R

负载

= 50Ω

V

PP

= +160V,

V

NN

= -40V ，R

负载

= 50Ω

V

PP

= +40V,

V

NN

= -160V, V

SIG

= 0V

pC

V

PP

= +100V,

V

NN

= -100V, V

SIG

= 0V

V

PP

= +160V,

V

NN

= -40V, V

SIG

= 0V

C

SG （关闭）

关断电容SW到GND

C

SG （上）

+V

SPK

-V

SPK

+V

SPK

-V

SPK

+V

SPK

-V

SPK

在电容SW到GND

4

HV219

真值表

8位移位寄存器数据

D0

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

X

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

LE

L

H

X

CL

L

H

关闭

HOLD以前的状态

关闭

输出开关状态

SW0

关闭

ON

关闭

ON

关闭

ON

关闭

ON

关闭

ON

关闭

ON

关闭

ON

关闭

ON

SW1

SW2

SW3

SW4

SW5

SW6

SW7

注意事项：

1.八个开关独立运作。

2.串行数据在时钟上的L到H转变时钟。

3.切换到状态保持他们目前的状况在LE的上升沿。

4.当LE为低电平，佛罗里达州经锁存流入的移位寄存器中的数据。

5.移位寄存器时钟对开关状态没有影响，如果LE高。

6.明确的输入将覆盖所有其他输入。

逻辑时序波形

D

数据

IN

N+1

D

N

50%

D

N-1

LE

50%

t

WLE

t

SD

50%

t

h

t

DO

时钟

t

SU

数据

OUT

50%

t

关闭

t

ON

关闭

V

OUT

（典型值）

ON

90%

10%

CLR

50%

t

WCL

50%

5