HI-518
数据表
1999年6月
网络文件编号
3147.2
8通道/差分4通道， CMOS
高速模拟多路复用器
HL- 518是一款单芯片，介质隔离，高
高速，高性能的CMOS模拟多路复用器。它提供
独特的内置通道选择解码再加上禁止
输入禁用所有通道。地址的双重功能
输入A
2
能使HL- 518被用户编程或者
作为一个单端8通道多路复用器通过连接“出
A'到'走出B' ，并使用
2
作为数字地址输入，或作为
4通道差分多路复用器通过连接
2
到V-
供应量。底物泄漏和寄生电容
通过使用Intersil的介电大幅减少
隔离处理，以实现在两个最佳性能
高和低电平信号的应用程序。低输出
漏电流（升
D（关闭）
<为100pA 25
o
C）和快速建立
(t
SETTLE
该装置的=了800ns 0.01％ ）的特性
使之用于高速数据采集的理想选择
系统，精密仪器仪表，工业过程
控制权。
特点
存取时间（典型值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为130ns
建立时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为250ns （ 0.1 ％ ）
低漏电流（典型值）
- I
S（ OFF）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为10pA
- I
D（关闭）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15pA
低电容（最大）
- C
S（ OFF）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5pF的
- C
D（关闭）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10pF的
关断隔离频率为500kHz 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45分贝（最小值）
低电荷注入误差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为25mV
单端至差分可选（ SDS ）
逻辑电平可选择（ LLS ）
应用
数据采集系统
精密仪器
订购信息
产品型号
HI3-0518-5
HI1-0518-5
HI1-0518-8
温度。
RANGE （
o
C)
0-75
0-75
-55至125
包
18 Ld的PDIP
18 Ld的CERDIP
18 Ld的CERDIP
PKG 。
号
E18.3
F18.3
F18.3
工业控制
引脚
HI- 518 （ CERDIP ， PDIP ）
顶视图
V+ 1
OUT B 2
IN8 / 4B 3
IN7 / 3B 4
IN6 / 2B 5
IN5 / 1B 6
7 GND
V
DD
/ LLS 8
A
2
/ SDS 9
18 OUT A
17 V-
16 IN4 / 4A
15 IN3 / 3A
14 IN2 / 2A
13 IN1 / 1A
12 ENABLE
11 A
0
10 A
1
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HI-518
真值表
表1， HI- 518作为一个8通道多路复用器
或双4通道多路复用器
（注1 ）
使用
2
随着数字地址输入
启用
L
H
H
H
H
H
H
H
H
注意：
1.对于8通道单端功能，搭配“出了”到“输出B ” ;为
双4通道的功能，使用A
2
地址引脚来选择
MUX A和MUX B，其中MUX A选择与A之间
2
低。
A
2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
A
1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
在通道TO
OUT A
无
1A
2A
3A
4A
无
无
无
无
OUT B
无
无
无
无
无
1B
2B
3B
4B
表2. HI- 518作为差动4通道
多路复用器
A
2
连接到电源V-
启用
L
H
H
H
H
A
1
X
L
L
H
H
A
0
X
L
H
L
H
在通道TO
OUT A
无
1A
2A
3A
4A
OUT B
无
1B
2B
3B
4B
功能框图
V
DD
/ LLS
在1A
N
EN
A
0
A
1
A
2
Q
A
2
解码器
Q
N
P
解码器
在4A
P
OUT A
在1B
N
P
OUT B
解码器
在4B
N
P
输入缓冲器和解码器
多路复用器
开关
A
2
解码
A
2
H
L
V-
Q
H
L
L
Q
L
H
L
2
HI-518
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .33V
模拟量（V
IN
, V
OUT
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V
数字输入电压：
TTL电平选择（V
DD
/ LLS引脚= GND或打开）
V
A0-1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -6V到+ 6V
V
A2/SDS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2V至（V +） + 2V
CMOS电平的选择（V
DD
/ LLS引脚= V
DD
)
V
A0-2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2V至（V + ） + 2V
热信息
热电阻（典型，注2 ） 。
. . . θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
70
18
最高结温
陶瓷封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
塑料包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围
HI- 518-8 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
HI- 518-5 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至75
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = 0.8V ; V
DD
/ LLS = GND
（注3 ） ，除非另有规定编
TEST
条件
温度
(
o
C)
25
满
25
25
25
到0.1％
至0.01％
注6
注7：
25
25
25
25
25
25
25
25
注3
注3
注3
注3
满
满
满
满
满
满
注4
注5
满
25
满
25
满
25
满
25
满
满
民
-
-
10
-
-
-
-
-
45
-
-
-
-
-
2.4
-
0.7V
DD
-
-
-14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-8
典型值
130
-
20
120
140
250
800
-
-
-
-
-
0.02
-
-
-
-
-
-
-
480
-
0.01
-
0.015
-
0.015
-
-
最大
175
225
-
175
175
-
-
25
-
5
10
5
-
0.8
-
0.3V
DD
-
1
20
+14
750
1,000
-
50
-
50
-
50
450
民
-
-
10
-5
典型值
130
-
20
120
140
250
800
-
-
-
-
-
0.02
-
-
-
-
-
-
-
480
-
0.01
-
0.015
-
0.015
-
-
最大
175
225
-
175
175
-
-
25
-
5
10
5
-
0.8
-
0.3V
DD
-
1
20
+15
750
1,000
-
50
-
50
-
50
540
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mV
dB
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
A
A
V
nA
nA
nA
nA
nA
nA
mW
参数
动态特性
存取时间t
A
突破前先延迟，T
开放
启用延迟（ ON） ，T
ON （ EN ）
启用延迟（OFF ） ，T
OFF （ EN ）
建立时间
电荷注入错误
关断隔离
通道输入电容，C
S（ OFF）
通道输出电容，C
D（关闭）
数字输入电容，C
A
输入到输出电容，C
DS （关闭）
数字输入特性
输入低阈值，V
AL
（ TTL）的
输入高阈值，V
AH
（ TTL）的
输入低阈值，V
AL
（ CMOS）的
输入高阈值，V
AH
（ CMOS）的
输入漏电流，I
AH
（高）
输入漏电流，I
AL
（低）
模拟信道特性
模拟信号范围，V
IN
导通电阻，R
ON
关闭输入漏电流，L
S（ OFF）
关闭输出漏电流，I
D（关闭）
在信道泄漏电流，I
D（上）
电源特性
功耗，P
D
-
-
-
45
-
-
-
-
-
2.4
-
0.7V
DD
-
-
-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
HI-518
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = 0.8V ; V
DD
/ LLS = GND
（注3 ） ，除非另有规定编
（续）
TEST
条件
V
EN
= 2.4V
温度
(
o
C)
满
满
民
-
-
-8
典型值
-
-
最大
15
15
民
-
-
-5
典型值
-
-
最大
18
18
单位
mA
mA
参数
I + ，电流
I-，当前
注意事项：
3. V
DD
/ LLS引脚=开路或接地的TTL兼容。 V
DD
/ LLS引脚= V
DD
对于CMOS兼容。
4.在温度高于90
o
C，必须小心，以确保V
IN
保持至少1.0V以下的V
供应
正确操作。
5. V
IN
=
±10V,
I
OUT
= -100A.
6. V
IN
= 0V ，C
L
= 100pF电容，使输入脉冲= 3V ， F = 500kHz的。
7. C
L
= 40pF ，R
L
= 1K ，V
EN
= 0.8V, V
IN
= 3V
RMS
中，f = 500kHz的。由于引脚到引脚8 / 4B和OUT B ，通道8 / 4B之间的电容
展品为60dB以上的测试条件下，关断隔离。
测试电路和波形
I
OUT
100A
V
DD
/ LLS = GND ，除非另有规定编
EN
V
2
IN
±10V
OUT
r
ON
=
V
2
100A
±10V
OUT
0.8V
A I
D（关闭）
10V
±
OUT
OUT
EN
EN
±
0.8V
±
10V
2.4V
A
2
A
0
+15V
V+
3.5V
地址
DRIVE （V
A
)
A
2
/ SDS
0V
V
A
50
A
1
A
0
产量
10%
t
A
2.4V
-10V
EN
V
DD
/ LLS
GND
-15V
±
在8
OUTA
OUTB
V-
10
k
50
pF
10V
IN 1
2-7
±10V
V
IN
图1.导通电阻测试电路
图2.我
D（关闭）
测试电路
（注8）
I
S（ OFF）
A
A I
D（上）
±10V
10V
±10V
图3.我
S（ OFF）
测试电路
（注8）
图4.我
D（上）
测试电路
（注8）
50%
+10V
图5A 。测量点
图5.访问时间
注意：
图5B 。测试电路
每通道8，两种测量方式：
±10V
和10V 。 （每个装置两次测量的I
D（关闭）
±10V
和10V ）。
4
QQ：2881677436 复制
