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HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S
数据表
2001年12月
20A ， 60V ， 0.056 Ohm的N通道，逻辑
等级UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 251AA
漏
（法兰）
JEDEC TO- 252AA
漏
（法兰）
门
来源
特点
超低导通电阻
- r
DS （ ON）
= 0.049,
V
GS
=
10V
- r
DS （ ON）
= 0.056,
V
GS
=
5V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
来源
漏
门
HUFA76413D3
HUFA76413D3S
符号
D
开关时间与
GS
曲线
订购信息
产品型号
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
76413D
76413D
HUFA76413D3
HUFA76413D3S
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HUFA76413D3ST的变种。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S
单位
V
V
V
A
A
A
A
60
60
±16
20
20
15
15
图4
图6，图17，18
60
0.4
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
绝对最大额定值
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 5V） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 4.5V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
注意事项：
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于副本
的要求，请参阅AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S版本B
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图12）
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= -40
o
C（图12）
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图11）
I
D
= 20A ，V
GS
= 10V （图9，图10）
I
D
= 15A ，V
GS
= 5V （图9）
I
D
= 15A ，V
GS
= 4.5V （图9）
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
的TO- 251和TO- 252
-
-
-
-
2.5
100
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
60
55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
V
A
A
nA
V
GS
=
±16V
1
-
-
-
-
0.041
0.048
0.051
3
0.049
0.056
0.061
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 4.5V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图13）
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 30V,
I
D
= 15A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图14 ，图19， 20）的
V
DD
= 30V ，我
D
= 20A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 18
（图16 ， 21 ， 22 ）
V
DD
= 30V ，我
D
= 15A
V
GS
=
4.5V ，R
GS
= 16
（图15 ， 21 ， 22 ）
-
-
-
-
-
-
-
10
172
21
55
-
273
-
-
-
-
114
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
645
190
40
-
-
-
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
17
9
0.6
2
5
20
11
0.7
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
6
36
48
42
-
63
-
-
-
-
135
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 15A
I
SD
= 8A
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 15A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 15A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.0
72
185
单位
V
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S版本B
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
25
20
V
GS
= 10V
15
V
GS
= 4.5V
10
5
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
175 - T
C
150
100
10
10
-5
图4.峰值电流容量
2001仙童半导体公司
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S版本B
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S
典型性能曲线
200
100
I
D
，漏电流（ A）
I
AS
，雪崩电流（ A）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
（续）
100
100s
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1ms
1
1
10
10ms
100
200
1
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
0.01
0.1
1
10
0.001
V
DS
，漏源极电压（ V）
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
40
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
30
40
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
30
I
D,
漏电流（ A）
V
GS
= 4V
20
20
V
GS
= 3.5V
10
T
J
= 25
o
C
0
1.5
2.0
T
J
= 175
o
C
T
J
= -55
o
C
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
1
2
3
V
GS
= 3V
T
C
= 25
o
C
4
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
图8.饱和特性
90
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 20A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
75
I
D
= 15A
60
I
D
= 5A
45
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
2.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.0
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
1.5
1.0
30
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2001仙童半导体公司
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S版本B
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
（续）
1.2
I
D
= 250A
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图12.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2000
V
GS
，门源电压（ V）
1000
C，电容（pF ）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
10
V
DD
= 30V
8
6
100
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 20A
I
D
= 15A
I
D
= 5A
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
C
RSS
=
C
GD
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
0.1
1
10
60
2
10
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.电容VS漏源极电压
图14.门充电波形恒
栅电流
250
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 30V ，我
D
= 15A
切换时间（纳秒）
切换时间（纳秒）
200
t
r
150
125
V
GS
= 10V, V
DD
= 30V ，我
D
= 20A
100
t
D（关闭）
75
t
f
50
t
r
25
t
D（上）
100
t
f
50
t
D（关闭）
t
D（上）
0
10
20
30
40
50
0
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
0
0
10
20
30
40
50
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
图15.开关时间与栅极电阻
图16.开关时间与栅极电阻
2001仙童半导体公司
HUFA76413D3 ， HUFA76413D3S版本B
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HEDS-5640-I12
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HM514400ALJ-7
H11A817A
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HT48RB8
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H7CR-SAL
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HCPL-5630
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HYB4164-P3
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