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HS-82C12RH
1996年3月
抗辐射
8位的输入/输出端口
工作原理图
DS1
DS2
机顶盒
CLR
MD
数据
LATCH
卜FF器
(8)
控制
设备
SELECT
逻辑
2
服务
请求
F.F.
特点
依照设备QML QUALI网络版
MIL-PRF-38535
详细的电气和筛选要求是
包含在SMD # 5962-95818和Intersil公司的质量管理计划
- 抗辐射CMOS工艺
- 总剂量1 ×10
5
RAD (SI )
- 瞬态翻转> 1 ×10
8
RAD (SI ) / S
- 闭锁免疫EPI - CMOS > 1 ×10
12
RAD (SI ) / S
低功耗
高噪声抗扰度
单电源+ 5V
低输入负载电流
8位数据寄存器和缓冲器
异步寄存器清除
服务请求触发器产生中断
三态输出
总线兼容HS- 80C85RH CPU
电相当于桑迪亚SA3026
军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
INT
3
DI0-7
DO0-7
引脚说明
DI0-DI7
DO0-DO7
DS1,DS2
MD
机顶盒
INT
CLR
DATA IN
数据输出
设备选择
模式
频闪
打断
明确
描述
描述
Intersil的HS- 82C12RH是抗辐射的8位输入/
输出端口设计用于HS- 80C85RH辐射使用
硬化微处理器。它是使用一个自制
对齐,结隔离的EPI -CMOS工艺和特征
三态输出缓冲器和设备的选择和控制
逻辑。 FL IP- FL运算包括对服务请求
生成和中断到微处理器的控制。
该装置可以用于在执行许多外围的
和输入/输出的微型计算机系统的功能。该
HS- 82C12RH是pinout-和功能 - 兼容
工业标准的8212设备。
订购信息
产品型号
5962R9581801QJC
5962R9581801QXC
5962R9581801VJC
5962R9581801VXC
HS1-82C12RH/Sample
HS9-82C12RH/Sample
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF - 38535等级V
样品
样品
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518063
3041.2
HS-82C12RH
引脚配置
24引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T24
顶视图
DS1 1
MD 2
DI0 3
DO0 4
5 DI1
DO1 6
DI2 7
DO2 8
DI3 9
10 DO3
STB 11
GND 12
24 VDD
23 INT
22 DI7
21 DO7
20 DI6
19 DO6
18 DI5
17 DO5
16 DI4
15 DO4
14 CLR
13 DS2
24引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F24
顶视图
DS1
MD
DI0
DO0
DI1
DO1
DI2
DO2
DI3
DO3
机顶盒
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VDD
INT
DI7
DO7
DI6
DO6
DI5
DO5
DI4
DO4
CLR
DS2
规格编号
2
518063
特定网络阳离子HS- 82C12RH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
14
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
o
C / W
13
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.91W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .18.2mW / C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .13.5mW / C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75V至+ 5.25V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至+ 1.0V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD - 1V至VDD
表1. DC电性能等特点
范围
参数
高输入漏
当前
低输入漏
当前
低输出电压
符号
IIH
条件
VDD = 5.25V , VIN = 0V ,
被测= 5.25V引脚
VDD = 5.25V , VIN = 5.25V ,
被测= 0V引脚
VDD = 5.25V , IOL = 2毫安
A组
1, 2, 3
温度
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
最大
1
单位
A
A
IIL
1, 2, 3
-1
-
VOL
1, 2, 3
-
0.5
V
高输出电压
VOH
VDD = 4.75V , IOH = -2mA
1, 2, 3
4.25
-
V
A
静态电流
经济自立灌排区
VDD = 5.25V , VIN = GND
1, 2, 3
-
100
功能测试
FT
VDD = 4.75V和5.25V ,
VIH = VDD - 1.0V , VIL = 1.0V
7,图8A ,8B
-
-
-
注:所有设备都保证在最坏的情况下,限制和过度辐射。
表2. AC电性能等特点
范围
参数
数据输出延迟
写使能到输出延迟
复位到输出延迟
设置为输出延迟
清除输出延迟
输出使能时间
输出禁止时间
注意:
1.输出时序测量符合下列条件: CL = 100pF的, VIH = 3.75V ,而VIL = 1.0V
符号
tPD的
TWE
TR
TS
TC
TE
TD
集团的子
群体
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
温度
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
200
145
100
135
125
85
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
3
518063
特定网络阳离子HS- 82C12RH
表3.电气性能特性
范围
参数
输入电容
符号
CIN
条件
VDD =开, F = 1MHz时,所有
测量参考
接地装置
VDD =开, F = 1MHz时,所有
测量参考
接地装置
VDD = 4.75 , VIH = 3.75 , VIL = 1.0
9, 10, 11
A组
温度
T
A
= +25
o
C
-
最大
8
单位
pF
输出电容
COUT
T
A
= +25
o
C
-
8
pF
脉冲宽度
TPW
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
50
ns
数据建立时间
TSET
VDD = 4.75 , VIH = 3.75 , VIL = 1.0
9, 10, 11
-
30
ns
数据保持时间
TH
VDD = 4.75 , VIH = 3.75 , VIL = 1.0
9, 10, 11
-
40
ns
注:在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
表4. POST 100K RAD电性能等特点
注意:
邮政辐照试验条件和限制是相同于表1和表2中列出。
规格编号
4
518063
HS-82C12RH
时序波形
( DS ,
DS2)
tE
tD
0.5VDD
产量
VOH
VOL
0.5VDD
图1.读时序
数据
TPW
MD或( DS ,
DS2)
tH
TWE
产量
图2.写时序
数据
TSET
tH
STB OR ( DS ,
DS2)
tPD的
产量
图3.数据建立,保持,传输延迟时序
TPW
机顶盒
TPW
( DS ,
DS2)
tR
tS
INT
图4.中断时序
CLR
tC
DO
TPW
图5.清除时序
规格编号
5
518063
HS-82C12RH
1996年3月
抗辐射
8位的输入/输出端口
工作原理图
DS1
DS2
机顶盒
CLR
MD
数据
LATCH
卜FF器
(8)
控制
设备
SELECT
逻辑
2
服务
请求
F.F.
特点
依照设备QML QUALI网络版
MIL-PRF-38535
详细的电气和筛选要求是
包含在SMD # 5962-95818和Intersil公司的质量管理计划
- 抗辐射CMOS工艺
- 总剂量1 ×10
5
RAD (SI )
- 瞬态翻转> 1 ×10
8
RAD (SI ) / S
- 闭锁免疫EPI - CMOS > 1 ×10
12
RAD (SI ) / S
低功耗
高噪声抗扰度
单电源+ 5V
低输入负载电流
8位数据寄存器和缓冲器
异步寄存器清除
服务请求触发器产生中断
三态输出
总线兼容HS- 80C85RH CPU
电相当于桑迪亚SA3026
军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
INT
3
DI0-7
DO0-7
引脚说明
DI0-DI7
DO0-DO7
DS1,DS2
MD
机顶盒
INT
CLR
DATA IN
数据输出
设备选择
模式
频闪
打断
明确
描述
描述
Intersil的HS- 82C12RH是抗辐射的8位输入/
输出端口设计用于HS- 80C85RH辐射使用
硬化微处理器。它是使用一个自制
对齐,结隔离的EPI -CMOS工艺和特征
三态输出缓冲器和设备的选择和控制
逻辑。 FL IP- FL运算包括对服务请求
生成和中断到微处理器的控制。
该装置可以用于在执行许多外围的
和输入/输出的微型计算机系统的功能。该
HS- 82C12RH是pinout-和功能 - 兼容
工业标准的8212设备。
订购信息
产品型号
5962R9581801QJC
5962R9581801QXC
5962R9581801VJC
5962R9581801VXC
HS1-82C12RH/Sample
HS9-82C12RH/Sample
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF- 38535级Q
MIL -PRF - 38535等级V
MIL -PRF - 38535等级V
样品
样品
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518063
3041.2
HS-82C12RH
引脚配置
24引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T24
顶视图
DS1 1
MD 2
DI0 3
DO0 4
5 DI1
DO1 6
DI2 7
DO2 8
DI3 9
10 DO3
STB 11
GND 12
24 VDD
23 INT
22 DI7
21 DO7
20 DI6
19 DO6
18 DI5
17 DO5
16 DI4
15 DO4
14 CLR
13 DS2
24引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F24
顶视图
DS1
MD
DI0
DO0
DI1
DO1
DI2
DO2
DI3
DO3
机顶盒
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VDD
INT
DI7
DO7
DI6
DO6
DI5
DO5
DI4
DO4
CLR
DS2
规格编号
2
518063
特定网络阳离子HS- 82C12RH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VDD + 0.3V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
55
14
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
o
C / W
13
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.91W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .18.2mW / C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .13.5mW / C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.75V至+ 5.25V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至+ 1.0V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD - 1V至VDD
表1. DC电性能等特点
范围
参数
高输入漏
当前
低输入漏
当前
低输出电压
符号
IIH
条件
VDD = 5.25V , VIN = 0V ,
被测= 5.25V引脚
VDD = 5.25V , VIN = 5.25V ,
被测= 0V引脚
VDD = 5.25V , IOL = 2毫安
A组
1, 2, 3
温度
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
最大
1
单位
A
A
IIL
1, 2, 3
-1
-
VOL
1, 2, 3
-
0.5
V
高输出电压
VOH
VDD = 4.75V , IOH = -2mA
1, 2, 3
4.25
-
V
A
静态电流
经济自立灌排区
VDD = 5.25V , VIN = GND
1, 2, 3
-
100
功能测试
FT
VDD = 4.75V和5.25V ,
VIH = VDD - 1.0V , VIL = 1.0V
7,图8A ,8B
-
-
-
注:所有设备都保证在最坏的情况下,限制和过度辐射。
表2. AC电性能等特点
范围
参数
数据输出延迟
写使能到输出延迟
复位到输出延迟
设置为输出延迟
清除输出延迟
输出使能时间
输出禁止时间
注意:
1.输出时序测量符合下列条件: CL = 100pF的, VIH = 3.75V ,而VIL = 1.0V
符号
tPD的
TWE
TR
TS
TC
TE
TD
集团的子
群体
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
温度
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-55
o
C, +25
o
C, +125
o
C
-
-
-
-
-
-
-
最大
105
200
145
100
135
125
85
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
3
518063
特定网络阳离子HS- 82C12RH
表3.电气性能特性
范围
参数
输入电容
符号
CIN
条件
VDD =开, F = 1MHz时,所有
测量参考
接地装置
VDD =开, F = 1MHz时,所有
测量参考
接地装置
VDD = 4.75 , VIH = 3.75 , VIL = 1.0
9, 10, 11
A组
温度
T
A
= +25
o
C
-
最大
8
单位
pF
输出电容
COUT
T
A
= +25
o
C
-
8
pF
脉冲宽度
TPW
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-55
o
C, +25
o
C,
+125
o
C
-
50
ns
数据建立时间
TSET
VDD = 4.75 , VIH = 3.75 , VIL = 1.0
9, 10, 11
-
30
ns
数据保持时间
TH
VDD = 4.75 , VIH = 3.75 , VIL = 1.0
9, 10, 11
-
40
ns
注:在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
表4. POST 100K RAD电性能等特点
注意:
邮政辐照试验条件和限制是相同于表1和表2中列出。
规格编号
4
518063
HS-82C12RH
时序波形
( DS ,
DS2)
tE
tD
0.5VDD
产量
VOH
VOL
0.5VDD
图1.读时序
数据
TPW
MD或( DS ,
DS2)
tH
TWE
产量
图2.写时序
数据
TSET
tH
STB OR ( DS ,
DS2)
tPD的
产量
图3.数据建立,保持,传输延迟时序
TPW
机顶盒
TPW
( DS ,
DS2)
tR
tS
INT
图4.中断时序
CLR
tC
DO
TPW
图5.清除时序
规格编号
5
518063
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