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HUFA75652G3
数据表
2001年12月
75A , 100V , 0.008 Ohm的N通道
UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 247
来源
特点
超低导通电阻
- r
DS ( ON)
= 0.008,
V
GS
=
10V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
( TAB )
HUFA75652G3
符号
D
订购信息
产品型号
TO-247
BRAND
75652G
HUFA75652G3
G
注:订货时,使用整个零件编号。
S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
HUFA75652G3
单位
V
V
V
A
A
100
100
±20
75
75
图4
图6
515
3.44
-55至175
300
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续(T
C
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
C
= 100
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 UIS
功率耗散(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
注意事项:
应力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
该产品的设计,以满足极端测试条件和环境,汽车行业要求。对于副本
的要求,请参阅AEC Q101为: http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html :可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造,在ISO9000和QS9000质量体系认证,组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUFA75652G3版本B
HUFA75652G3
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图11)
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 90V, V
GS
= 0V ,T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
TO-247
-
-
-
-
0.29
30
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
100
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图10)
I
D
= 75A ,V
GS
= 10V (图9 )
2
-
-
0.0067
4
0.008
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷,在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
(图12)
-
-
-
7585
2345
630
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G( TOT )
Q
g(10)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 50V,
I
D
= 75A,
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图13)
-
-
-
-
-
393
211
14
26
74
475
255
16.5
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
= 50V ,我
D
= 75A ,V
GS
=
10V ,R
GS
= 2.0
-
-
-
-
-
-
-
18.5
195
80
190
-
320
-
-
-
-
410
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
I
SD
= 75A
I
SD
= 35A
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
rr
Q
RR
I
SD
= 75A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 75A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.00
150
490
单位
V
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUFA75652G3版本B
HUFA75652G3
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度(
o
C)
80
I
D
,漏电流( A)
60
V
GS
= 10V
40
20
175
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨,矩形脉冲持续时间( S)
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2000
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
I = I
25
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流( A)
1000
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
100
50
可能限流
在这个区域
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T,脉冲宽度( S)
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2001仙童半导体公司
HUFA75652G3版本B
HUFA75652G3
典型性能曲线
1000
(续)
1000
I
AS
,雪崩电流( A)
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
I
D
,漏电流( A)
100
100s
100
起始物为
J
= 25
o
C
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
1
10
100
500
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
1
10
0.01
V
DS
,漏源极电压( V)
1
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
0.1
10
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
200
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
I
D
,漏电流( A)
200
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
150
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
V
GS
=5V
I
D,
漏电流( A)
150
100
T
J
= 175
o
C
50
100
T
J
= 25
o
C
50
0
2
3
T
J
= -55
o
C
4
5
V
GS
,门源电压( V)
6
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
,漏源极电压( V)
4
0
图7.传热特性
图8.饱和特性
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
2.0
归一化门
阈值电压
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.0
1.5
0.8
1.0
V
GS
= 10V ,我
D
= 75A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
T
J
,结温(
o
C)
160
200
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2001仙童半导体公司
HUFA75652G3版本B
HUFA75652G3
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
10000
C,电容(pF )
C
RSS
=
C
GD
(续)
20000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
1.1
1000
1.0
C
OSS
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
100
0.1
1.0
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
10
V
GS
,门源电压( V)
图12.电容VS漏源极电压
V
DD
= 50V
8
6
4
任意波形
降序排列:
I
D
= 75A
I
D
= 35A
0
50
100
150
Q
g
,栅极电荷( NC)
200
250
2
0
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流
2001仙童半导体公司
HUFA75652G3版本B
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HUFA75652G3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
HUFA75652G3
onsemi
24+
10000
TO-247-3
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
HUFA75652G3
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
TO-247TO-3PTO-
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
HUFA75652G3
FSC
24+
8420
TO-247
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
HUFA75652G3
FAIRCHILD
25+23+
36292
TO-252
全新原装正品绝对优势现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
HUFA75652G3
FSC
2024+
9675
TO-247
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
HUFA75652G3
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22+
33000
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
HUFA75652G3
FAIRCHILD/仙童
21+
15360
TO-247TO-3PTO-3PF
全新原装正品/质量有保证
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1545+
12400
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