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HSMx-A4xx-xxxxx
SMT LED表面贴装LED指示灯
数据表
描述
安华高功率PLCC - 4是我们的PLCC-2封装的延伸
表面贴装LED 。该软件包可以在更高的驱动
目前,由于其优越的包装设计。该
产品能够更有效地进行散热
相比于常规的PLCC- 2表面贴装LED 。在
成比例地增加的驱动电流,这
家族的发光二极管能够产生更高的光输出
相比于常规的PLCC- 2表面贴装LED 。
这些SMT LED具有更高的可靠性和更好的
性能和设计在宽的工作
范围的环境条件。这种更高
可靠性使它们适合于在苛刻的使用
环境和汽车一样的条件。在
此外,它们也适用于电子被使用
迹象和信号。
为便于取放组装,这些LED
被封装在符合EIA标准的带子和卷轴。每个卷轴
将单项强度和颜色斌(除
为红色) ,以保持统一性。
这些LED可与IR回流焊兼容
流程。由于这些高可靠性特征
产品,它们也可以通过-任何─利用安装
波峰焊接工艺。
有各种颜色和各种观看
角( 30 °,60°和120 °),在这些贴片可用
LED指示灯。理想的是, 30°的部分适合于光管
其中,聚焦强度是必需的。对于60°
和120℃ ,它们是用于汽车内部最合适
和外部照明和电子标志应用。
特点
行业标准的PLCC- 4
高可靠性LED封装
高亮度使用的AlInGaP和InGaN骰子
技术
高光效
环境温度相同的电流可能更高
相比于PLCC- 2
提供充分的选择的颜色
在120 °超宽视角
提供8毫米载带7英寸盘
兼容IR和TTW焊接工艺
JEDEC MSL 2A
应用
汽车内部
- 仪表板背光
- 中央控制台背光
- 背光小屋
- 导航和音响系统
- 圆顶照明
按钮背光
汽车外部
- 转向灯
- CHMSL
- 后组合灯
- 浅水坑
电子标志和信号灯
- 室内全彩标志
- 可变信息标志
办公自动化,家用电器,工业设备
- 前面板背光
按钮背光
- 背光显示
注意事项:
HSMN- , HSMK- , HSMM - A40x -XXXXX LED是2级ESD敏感。请遵守适当的
处理和加工过程中的注意事项。请参考Avago的应用笔记AN- 1142的更多细节。
包装尺寸
2.8
±
0.2
2.2
±
0.2
A
C
0.1典型。
1.9
±
0.2
0.8
±
0.1
3.2
±
0.2
3.5
±
0.2
0.8
±
0.3
C
C
0.7
±
0.1
正极标志
注意事项:
尺寸:mm 。
ALL阴极之间的电气连接,建议。
0.5
±
0.1
设备选型指南
颜色
产品型号
HSMC-A400-S30M1
HSMC-A401-T40M1
HSMC-A401-T80M1
HSMZ-A400-U80M1
HSMJ-A401-T40M1
HSMJ-A401-U40M1
HSMV-A400-U80M1
HSML-A401-U40M1
HSMA-A400-T35M1
HSMA-A401-U45M1
HSMU-A400-U85M1
HSME-A401-P4PM1
HSMM-A401-R7YM2
HSMM-A401-S4YM2
HSMM-A401-S7YM2
HSMM-A400-T8YM2
HSMK-A401-R40M2
HSMK-A400-T80M2
HSMN-A401-P4QM2
HSMN-A401-P7QM2
HSMN-A400-Q8QM2
分钟。我
V
( MCD )
180.00
285.00
355.00
560.00
285.00
450.00
560.00
450.00
285.00
450.00
560.00
45.00
140.00
180.00
224.00
355.00
112.50
355.00
45.00
56.00
90.00
马克斯。我
V
( MCD )
355.00
715.00
900.00
1400.00
715.00
1125.00
1400.00
1125.00
560.00
1125.00
1400.00
112.50
285.00
450.00
450.00
900.00
285.00
900.00
112.50
112.50
224.00
测试电流(mA )
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
30
30
30
30
30
30
30
30
30
骰子技术
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
橙红色
AMBER
翡翠绿
绿色
青色
注意事项:
1.发光强度我
V
被测量在灯封装的机械轴。的空间辐射方向图的实际峰可能不
与此轴线对准。
2. I
V
公差=
±12
%.
2
部分编号系统
HSM X
1
- 一个X
2
x
3
x
4
– x
5
x
6
x
7
x
8
x
9
包装选项
色选斌
强斌选择
设备的特定连接 CON组fi guration
套餐类型
LED芯片颜色
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
参数
直流正向电流
[1]
最大正向电流
[2]
功耗
反向电压
结温
工作温度
储存温度
HSMC / J / L / A / E
70毫安
[3,4]
200毫安
180毫瓦
HSMZ / V / U
70毫安
[3,4]
200毫安
240毫瓦
5V
110°C
-40 ° C至+ 100°C
-40 ° C至+ 100°C
HSMM / K / N
30毫安
90毫安
114毫瓦
注意事项:
1.减额直线,如图5所示。
2.占空比系数= 10 % ,频率为1 kHz的。
建议最佳长期业绩10毫安和70 mA的3驱动电流。
不推荐4.操作在低于5毫安电流。
3
光学特性(T
A
= 25°C)
PEAK
波长
λ
PEAK
(纳米)
典型值。
635
639
621
623
609
592
594
576
568
518
502
468
优势
波长
λ
D[1]
(纳米)
典型值。
626
630
615
617
605
590
592
575
567
525
505
470
发光的
视角
ê FFI cacy
η
v[3]
1/2[2]
(度)(流明/瓦)
典型值。
典型值。
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
150
155
240
263
320
480
500
560
610
500
300
75
光强度/
总光通量
I
v
( MCD ) / φ
v
( MLM)
典型值。
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
颜色
橙红色
AMBER
黄绿色
翡翠绿
绿色
青色
部分
HSMC
HSMZ
HSMJ
HSMV
HSML
HSMA
HSMU
HSME
HSME
HSMM
HSMK
HSMN
注意事项:
1.主波长
λ
D
中,从在CIE色度图上来自和表示设备的颜色。
2.
θ
1/2
是离轴角,其中所述发光强度为1/2的峰强度。
3.辐射强度,我
e
以瓦特/球面度,也可以从下式计算余
e
= I
v
v
,在那里我
v
是在坎德拉的发光强度和
η
v
is
发光效率在流明/瓦。
电气特性(T
A
= 25°C)
正向电压
V
F
(伏特) @我
F
= 50毫安
典型值。
马克斯。
2.2
2.8
2.5
3.4
反向电压
V
R
@ 100
A
分钟。
5
5
反向电压
V
R
@ 10
A
分钟。
5
产品型号
HSMC / J / L / A / E
HSMZ / V / U
产品型号
HSMM / K / N
正向电压
V
F
(伏特) @我
F
= 30毫安
典型值。
马克斯。
3.8
4.6
1.0
0.9
相对强度
青色
绿色
翡翠绿
黄绿色
AMBER
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
380
430
480
530
580
630
680
730
780
橙红色
波长 - 纳米
图1.相对强度与波长。
4
80
1.4
1.2
相对强度
(归一50毫安)
HSMC / J / L / A / E
HSMZ / V / U
相对发光强度
(归为30 mA)的
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
正向电流 - 毫安
70
60
50
40
30
20
10
HSMM / K / N
0
0
1
2
3
4
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
正向电压 - V
正向电流 - 毫安
正向电流 - 毫安
图2.正向电流与正向电压。
图3.相对强度与正向
目前(的AlInGaP ) 。
图4.相对强度比。前锋
电流(氮化铟镓) 。
最大正向电流 - 毫安
最大正向电流 - 毫安
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
470°C/W
350°C/W
300°C/W
35
主波长 - 纳米
540
530
520
510
500
490
480
470
460
0
5
10
15
InGaN蓝光
20
25
30
35
的InGaN青色
绿的InGaN
30
300°C/W
25
350°C/W
20
470°C/W
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度 -
°C
环境温度 -
°C
电流 - 毫安
图5a 。最大正向电流与
环境温度,降低的基于上
T
J
最大值= 110 ° C(的AlInGaP ) 。
图5b 。最大正向电流与
环境温度,降低的基于上
T
J
最大值= 110 ° C(氮化铟镓) 。
图6.主波长与正向
电流 - 氮化铟镓的设备。
1.0
0.9
相对强度
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-90
-70
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
ANGLE - 学位
图7.辐射模式。
5
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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