【HAT2038R/HAT2038RJ硅N沟道功率MOS FET高速电源开关ADE - 208-666】,IC型号HAT2038,HAT2038 PDF资料,HAT2038经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2038R/HAT2038RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-666C （ Z）

4 。版

1999年2月

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

SOP–8

8

5

7 6

3

1 2

7 8

D D

5 6

D D

4

2

G

4

G

S1

S3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

HAT2038R/HAT2038RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

HAT2038R

HAT2038RJ

雪崩能量

HAT2038R

HAT2038RJ

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1.

2.

3.

4.

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

E

AR注4

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注4 AP

评级

60

±

20

5

40

5

—

5

—

2.14

2

3

150

- 55至+ 150

单位

V

A

—

A

—

mJ

W

°C

PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

在总胆固醇值= 25 ° C， Rg≥50Ω

2

HAT2038R/HAT2038RJ

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

零栅极电压

漏电流

HAT2038R

HAT2038RJ

HAT2038R

HAT2038RJ

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

I

DSS

I

DSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±

20

—

1.2

—

6

—

典型值

—

最大

—

±

10

1

0.1

—

10

2.2

单位

V

A

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0

TA = 125°C

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 3 A，V

GS

= 10 V

Note5

I

D

= 3 A，V

GS

= 4 V

Note5

I

D

= 3 A，V

DS

= 10 V

Note5

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A

V

DD

30 V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±

100

A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

5.脉冲测试

0.043 0.058

0.056 0.084

9

520

270

100

11

40

110

80

0.84

40

—

1.1

—

S

pF

ns

V

ns

IF = 5 A，V

GS

= 0

Note5

IF = 5 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

3

HAT2038R/HAT2038RJ

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

最高安全工作区

100

10 s

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

30

10

3

Op

er

at

离子

0.3在操作

10

PW

DC

3.0

0

1

=

10

ms

m

s

散热通道

漏电流

2

IV E

Dr

2.0

1

(1

sh

ot

)

at

er

Op

离子

1.0

Dr

香港专业教育学院

Op

e

ra

TIO

n

0

50

100

150

200

环境温度

的Ta （℃）

(P

这个区域是

W

N

＆ LT ;

OTE

0.1限制由R

DS （ ON）

10

5

s)

0.03 TA = 25℃

1次脉冲

0.01

3

30

0.1 0.3

1

10

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

10

10 V

4V

3.5 V

3V

脉冲测试

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

I

D

(A)

8

6

25°C

4

TC = 75℃

–25°C

漏电流

4

2.5 V

2

V

GS

= 2 V

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

漏电流

2

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

5

V

GS

(V)

4

HAT2038R/HAT2038RJ

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1.0

脉冲测试

0.5

0.2

0.1

V

GS

= 4 V

10 V

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.4

0.3

I

D

=5A

0.2

2A

1A

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

0.1

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

0.05

0.02

0.01

0.1

0.3

1

3

漏电流

10

30

I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.20

脉冲测试

0.16

1, 2 A

I

D

=5A

0.08

V

GS

= 4 V

1, 2, 5 A

0.04

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

25 °C

75 °C

20

10

5

2

1

0.5

0.1

0.12

0.2

1

2

5

0.5

漏电流I

D

(A)

10

5

HAT2038R/HAT2038RJ

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-666C （ Z）

4 。版

1999年2月

特点

对于汽车上的应用（在类型代码“J” ）

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

高密度安装

概要

SOP–8

8

5

7 6

3

1 2

7 8

D D

5 6

D D

4

2

G

4

G

S1

S3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

HAT2038R/HAT2038RJ

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

HAT2038R

HAT2038RJ

雪崩能量

HAT2038R

HAT2038RJ

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1.

2.

3.

4.

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

E

AR注4

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注4 AP

评级

60

±

20

5

40

5

—

5

—

2.14

2

3

150

- 55至+ 150

单位

V

A

—

A

—

mJ

W

°C

PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

在总胆固醇值= 25 ° C， Rg≥50Ω

2

HAT2038R/HAT2038RJ

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

零栅极电压

漏电流

HAT2038R

HAT2038RJ

HAT2038R

HAT2038RJ

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

I

DSS

I

DSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

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|y

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科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±

20

—

1.2

—

6

—

典型值

—

最大

—

±

10

1

0.1

—

10

2.2

单位

V

A

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0

TA = 125°C

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 3 A，V

GS

= 10 V

Note5

I

D

= 3 A，V

GS

= 4 V

Note5

I

D

= 3 A，V

DS

= 10 V

Note5

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A

V

DD

30 V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±

100

A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

5.脉冲测试

0.043 0.058

0.056 0.084

9

520

270

100

11

40

110

80

0.84

40

—

1.1

—

S

pF

ns

V

ns

IF = 5 A，V

GS

= 0

Note5

IF = 5 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

3

HAT2038R/HAT2038RJ

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

最高安全工作区

100

10 s

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

30

10

3

Op

er

at

离子

0.3在操作

10

PW

DC

3.0

0

1

=

10

ms

m

s

散热通道

漏电流

2

IV E

Dr

2.0

1

(1

sh

ot

)

at

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Op

离子

1.0

Dr

香港专业教育学院

Op

e

ra

TIO

n

0

50

100

150

200

环境温度

的Ta （℃）

(P

这个区域是

W

N

＆ LT ;

OTE

0.1限制由R

DS （ ON）

10

5

s)

0.03 TA = 25℃

1次脉冲

0.01

3

30

0.1 0.3

1

10

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

10

10 V

4V

3.5 V

3V

脉冲测试

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

I

D

(A)

8

6

25°C

4

TC = 75℃

–25°C

漏电流

4

2.5 V

2

V

GS

= 2 V

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

漏电流

2

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

5

V

GS

(V)

4

HAT2038R/HAT2038RJ

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1.0

脉冲测试

0.5

0.2

0.1

V

GS

= 4 V

10 V

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.4

0.3

I

D

=5A

0.2

2A

1A

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

0.1

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

0.05

0.02

0.01

0.1

0.3

1

3

漏电流

10

30

I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.20

脉冲测试

0.16

1, 2 A

I

D

=5A

0.08

V

GS

= 4 V

1, 2, 5 A

0.04

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

25 °C

75 °C

20

10

5

2

1

0.5

0.1

0.12

0.2

1

2

5

0.5

漏电流I

D

(A)

10

5