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SMD型
硅肖特基二极管
HSB276AS
二极管
特点
较高的正向电流,低电容。
HSB276AS这是在互连
一系列的配置是专为平衡混频器使用。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
P·E titiv P·E A K重; V。E RS电子V LTA克é
V è RS电子V LTA克é
A V ê RA克えれ tifie D C ④此吨
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
RRM
V
R
I
O
T
j
T
s TG
伏鲁é
5
3
30
125
-5 5 + 1 2 5
加利IT
V
V
mA
电气特性TA = 25
参数
正向电压
反向电流
正向电流
电容
电容偏差
防静电能力(注1 )
1.破坏准则;我
R
100
一个在V
R
=0.5 V
符号
V
F
I
R
I
F
C
C
条件
I
F
= 1.0毫安
V
R
=0.5 V
V
F
=0.5 V
V
R
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
R
= 0.5V , F = 1兆赫
C = 200pF的, R = 0
正向和
30
35
0.90
0.10
3
50
典型值
最大
单位
V
A
mA
pF
pF
V
反向1脉冲。
记号
记号
E8
www.kexin.com.cn
1
HSB276AS
硅肖特基二极管平衡混频器
REJ03G0594-0100
(上一个: ADE- 208-838 )
Rev.1.00
2005年4月6日
特点
较高的正向电流,低电容。
HSB276AS其串联互连结构被设计用于平衡混频器的使用。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB276AS
激光标记
E8
包名称
CMPAK
封装代码
(以前的代码)
PTSP0003ZB-A
( CMPAK )
管脚配置
3
1.阴极2
2.阳极1
3.阴极1
阳极2
2
1
( TOP VIEW )
Rev.1.00 2005年4月6日第1页4
HSB276AS
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
反向重复峰值电压
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
注意:
1.每一个设备
符号
V
RRM
V
R
*1
I
O
Tj
TSTG
价值
5
3
30
125
55
+125
单位
V
V
mA
°C
°C
电气特性*
1
( TA = 25°C )
反向电压
反向电流
正向电流
电容
电容偏差
防静电能力*
2
符号
V
R
I
R
I
F
C
C
3
35
30
典型值
最大
50
0.90
0.10
单位
V
A
mA
pF
pF
V
测试条件
I
R
= 1毫安
V
R
= 0.5 V
V
F
= 0.5V
V
R
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
R
= 0.5 V , F = 1兆赫
C = 200 pF的, R = 0
向前和
反向1脉冲。
注:1。每一个设备
2.破坏准则;我
R
100
A
在V
R
= 0.5 V
Rev.1.00 2005年4月6日第2页4
HSB276AS
主要特点
10
–1
10
–2
反向电流I
R
(A)
正向电流I
F
(A)
10
–2
10
–3
10
–3
TA = 75℃
10
–4
TA = 75℃
10
–4
TA = 25°C
10
–5
TA = 25°C
10
–5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压V
F
(V)
1.0
10
–6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
反向电压V
R
(V)
5.0
图1正向电流与正向电压
图2反向电流与反向电压
f=1MHz
10
电容
C( pF)的
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V
R
(V)
10
图3电容与反向电压
Rev.1.00 2005年4月6日第3页4
HSB276AS
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-70
瑞萨代码
PTSP0003ZB-A
以前的代码
CMPAK / CMPAKV
质量[典型值]
0.006g
D
e
Q
c
E
H
E
L
A
A
b
e
参考
尺寸以毫米为单位
A
2
A
符号
A
1
e
1
b
l
1
c
A - A组
b
2
终端位置的区域格局
A
A
1
A
2
b
c
D
E
e
H
E
L
b
2
e
1
l
1
Q
0.8
0
0.8
0.25
0.1
1.8
1.15
-
1.8
-
-
-
-
-
-
-
0.9
0.3
0.16
2.0
1.25
0.65
2.1
0.425
-
1.5
-
0.2
最大
1.1
0.1
1.0
0.4
0.26
2.2
1.35
-
2.4
-
0.45
-
0.9
-
Rev.1.00 2005年4月6日第4页4
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
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他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
还记得让你的电路设计时,适当的措施,如替代性,辅助电路(一)配售充分考虑到安全性给予,
(ⅱ)利用针对任何故障或事故不燃材料或(iii)预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
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图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
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公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
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另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
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对于任何损害,责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。
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是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
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使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技
(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道1 ,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
Unit2607瑞景大厦205号茂名路(S ) ,上海200020 ,中国
联系电话: <86> ( 21 ) 6472-1001 ,传真: <86> ( 21 ) 6415-2952
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
http://www.renesas.com
2005年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记2.0
HSB276AS
硅肖特基二极管平衡混频器
ADE-208-838(Z)
第0版
2000年2月
特点
较高的正向电流,低电容。
HSB276AS其串联互连结构被设计用于平衡混频器的使用。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
订购信息
型号
HSB276AS
激光标记
E8
封装代码
CMPAK
概要
3
2
1
( TOP VIEW )
1阴极2
2阳极1
3阴极1
阳极2
HSB276AS
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
反向重复峰值
电压
反向电压
平均整流电流
结温
储存温度
1.每一个设备
符号
V
RRM
V
R
I
O*1
Tj
TSTG
价值
5
3
30
125
-55到+125
单位
V
V
mA
°C
°C
电气特性(Ta = 25 ° C)
*2
反向电压
反向电流
正向电流
电容
电容偏差
防静电能力
*1
符号最小值
V
R
I
R
I
F
C
C
3
35
30
典型值
最大
50
0.90
0.10
单位
V
A
mA
pF
pF
V
测试条件
I
R
= 1毫安
V
R
= 0.5V
V
F
= 0.5V
V
R
= 0.5V , F = 1兆赫
V
R
= 0.5V , F = 1兆赫
C = 200pF的, R = 0Ω
正向和反向1脉冲。
1.破坏准则;我
R
100μA在V
R
=0.5 V
2.每一个设备
2
HSB276AS
主要特点
10
-1
10
-2
反向电流I R( A)
(A)
10
-2
10
-3
正向电流IF
10
-3
TA = 75℃
10
-4
TA = 75℃
10
-4
TA = 25℃
10
-5
TA = 25℃
10
-5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
-6
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
正向电压V F (V )
图1正向电流与正向电压
反向电压V R (V )
图2反向电流与反向电压
f=1MHz
10
电容C
(PF )
1.0
0.1
0.1
1.0
反向电压V R (V )
10
图3电容与反向电压
3
HSB276AS
包装尺寸
单位:mm
0.425
2.0 ± 0.2
0.1
0.3
+ 0.05
0.16
– 0.06
2.1 ± 0.3
+ 0.1
1.25 ± 0.1
0 – 0.1
1.3 ± 0.2
0.2
0.9 ± 0.1
(0.65) (0.65)
0.425
0.1
0.3
+ 0.05
0.1
0.3
+ 0.05
日立代码
JEDEC
EIAJ
CMPAK
符合
0.006 g
4
HSB276AS
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本文档中包含的信息,版权,商标或其他知识产权。
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半导体&集成电路。
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北美洲
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亚洲(新加坡)
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亚洲(香港) : http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm
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日立欧洲公司
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Whitebrook公园
较低的Cookham路
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日立(亚洲) 。有限公司
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第三组(电子元器件)
7 / F。 ,北塔,世界金融中心,
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日立半导体
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179东塔斯曼驱动器,
圣何塞, CA 95134
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传真: <1> ( 408 ) 433-0223
版权所有“日立制作所, 2000年保留所有权利。日本印刷。
5
产品speci fi cation
HSB276AS
特点
较高的正向电流,低电容。
HSB276AS这是在互连
一系列的配置是专为平衡混频器使用。
CMPAK包是适合于高密度的表面安装和高速装配。
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
P·E titiv P·E A K重; V。E RS电子V LTA克é
V è RS电子V LTA克é
A V ê RA克えれ tifie D C ④此吨
加利 TIO N TE米P·Eラ恩重
S到RA克éて米P·Eラ恩重
S YM BOL
V
RRM
V
R
I
O
T
j
T
s TG
伏鲁é
5
3
30
125
-5 5 + 1 2 5
加利IT
V
V
mA
电气特性TA = 25
参数
正向电压
反向电流
正向电流
电容
电容偏差
防静电能力(注1 )
1.破坏准则;我
R
100
一个在V
R
=0.5 V
符号
V
F
I
R
I
F
C
C
条件
I
F
= 1.0毫安
V
R
=0.5 V
V
F
=0.5 V
V
R
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
R
= 0.5V , F = 1兆赫
C = 200pF的, R = 0
正向和
30
35
0.90
0.10
3
50
典型值
最大
单位
V
A
mA
pF
pF
V
反向1脉冲。
记号
记号
E8
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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    电话:0755-82780082
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