HS-303RH
TM
数据表
2001年11月
网络文件编号
9046
抗辐射
CMOS双路SPDT模拟开关
在HS- 303RH模拟开关是一个单片器件
使用抗辐射CMOS技术制造，并
Intersil的电介质隔离工艺闩锁自由
操作。通过改善获得总剂量硬度
布局（薄氧化标签延伸至沟道停止）和
处理（硬化栅极氧化物）。该交换机能够提供低
模拟电阻开关性能电压高达
电源轨。 “ON”时的电阻是低的，合理地保持
常在整个工作电压范围和电流。
“ ON”电阻也保持相当稳定的时候
暴露于辐射，一般是30Ω预弧度和35Ω
后100kRAD （SI ） 。先开后合式开关是
由5V数字输入控制。
特点
QML ，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
无闩锁，介质隔离设备群岛
引脚对引脚兼容Intersil的HI -303系列模拟
开关
模拟信号范围15V
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100nA （最大值，邮政Rad公司）
低R
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60Ω （最大，邮政Rad公司）
较低的工作功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值，邮政Rad公司）
引脚配置
HS1-303RH （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
NC
S3
1
2
3
4
5
6
7
14 V+
13 S4
12 D4
11 D2
10 S2
9 IN2
8 V-
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 303RH是
载于SMD 5962-95813 。 “热链接”是由提供
我们的网站下载
D3
D1
S1
IN1
订购信息
订购
数
5962R9581301QCC
5962R9581301QXC
5962R9581301VCC
5962R9581301VXC
HS1-303RH/PROTO
HS9-303RH/PROTO
部分
数
HS1-303RH-8
HS9-303RH-8
HS1-303RH-Q
HS9-303RH-Q
HS1-303RH/PROTO
HS9-303RH/PROTO
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
GND
HS9-303RH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V+
S4
D4
D2
S2
IN2
V-
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001.版权所有
HS-303RH
工作原理图
SBDIP真值表
IN
N
P
D
逻辑
0
1
SW1AND SW2
关闭
ON
SW3和SW4
ON
关闭
模具特点
DIE尺寸：
(2130
m
x 1930
m
x 279
m ±25.4m)
84 ×76× 11mils
±
1mil
金属化：
类型：铝
厚度： 12.5K
±
2k
衬底电位：
无偏（ DI ）
背面表面处理：
金
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 8K
±
1k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
76
过程：
金属栅CMOS ，介质隔离
金属掩模布局
HS-303RH-T
S3
V+
S4
D3
D4
D1
D2
S1
S2
IN1
IN2
NC
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
2
GND
V-
HS-303RH
TM
数据表
2001年11月
网络文件编号
9046
抗辐射
CMOS双路SPDT模拟开关
在HS- 303RH模拟开关是一个单片器件
使用抗辐射CMOS技术制造，并
Intersil的电介质隔离工艺闩锁自由
操作。通过改善获得总剂量硬度
布局（薄氧化标签延伸至沟道停止）和
处理（硬化栅极氧化物）。该交换机能够提供低
模拟电阻开关性能电压高达
电源轨。 “ON”时的电阻是低的，合理地保持
常在整个工作电压范围和电流。
“ ON”电阻也保持相当稳定的时候
暴露于辐射，一般是30Ω预弧度和35Ω
后100kRAD （SI ） 。先开后合式开关是
由5V数字输入控制。
特点
QML ，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
无闩锁，介质隔离设备群岛
引脚对引脚兼容Intersil的HI -303系列模拟
开关
模拟信号范围15V
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100nA （最大值，邮政Rad公司）
低R
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60Ω （最大，邮政Rad公司）
较低的工作功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值，邮政Rad公司）
引脚配置
HS1-303RH （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
NC
S3
1
2
3
4
5
6
7
14 V+
13 S4
12 D4
11 D2
10 S2
9 IN2
8 V-
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 303RH是
载于SMD 5962-95813 。 “热链接”是由提供
我们的网站下载
D3
D1
S1
IN1
订购信息
订购
数
5962R9581301QCC
5962R9581301QXC
5962R9581301VCC
5962R9581301VXC
HS1-303RH/PROTO
HS9-303RH/PROTO
部分
数
HS1-303RH-8
HS9-303RH-8
HS1-303RH-Q
HS9-303RH-Q
HS1-303RH/PROTO
HS9-303RH/PROTO
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
GND
HS9-303RH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V+
S4
D4
D2
S2
IN2
V-
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2001.版权所有
HS-303RH
工作原理图
SBDIP真值表
IN
N
P
D
逻辑
0
1
SW1AND SW2
关闭
ON
SW3和SW4
ON
关闭
模具特点
DIE尺寸：
(2130
m
x 1930
m
x 279
m ±25.4m)
84 ×76× 11mils
±
1mil
金属化：
类型：铝
厚度： 12.5K
±
2k
衬底电位：
无偏（ DI ）
背面表面处理：
金
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 8K
±
1k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
76
过程：
金属栅CMOS ，介质隔离
金属掩模布局
HS-303RH-T
S3
V+
S4
D3
D4
D1
D2
S1
S2
IN1
IN2
NC
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
2
GND
V-
QQ：2880707522 复制
