HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D

数据表

2001年12月

600V ，开关电源系列N沟道IGBT具有

反并联二极管超高速

该HGT1S3N60A4DS和HGTP3N60A4D是MOS

结合最好的门控高压开关设备

MOSFET和双极型晶体管的特性。这些设备

有一个MOSFET和低的高输入阻抗

导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。备受

较低的通态压降变化只是适度的

25

o

C和150

o

C.使用的IGBT是发展型

TA49327 。在反并联使用的二极管是开发

类型TA49369 。

这IGBT适用于多种高压开关

在高频率下操作的应用，其中低

导通损耗是必不可少的。

该装置已

高频开关模式电源优化

耗材。

以前发育类型TA49329 。

特点

在390V ， 3A >100kHz操作

在390V 200kHz的操作， 2.5A

600V开关SOA能力

典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在T

J

= 125

o

C

低传导损耗

温度补偿

SABER 模型

www.fairchildsemi.com

包装

JEDEC TO- 263AB

G

E

集热器

（法兰）

订购信息

产品型号

HGT1S3N60A4DS

HGTP3N60A4D

包

TO-263AB

TO-220AB

BRAND

3N60A4D

3N60A4D

E

C

G

JEDEC TO- 220AB

注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A

获得TO- 263AB卷带式，即HGT1S3N60A4DS9A 。

符号

C

集热器

（法兰）

G

E

飞兆半导体公司IGBT产品受以下一个美国的一项或多项专利权

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

2001仙童半导体公司

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D版本B

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

HGT1S3N60A4DS

HGTP3N60A4D

集电极到发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV

CES

连续集电极电流

在T

C

= 25

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I

C25

在T

C

= 110

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I

C110

集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

CM

门到发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

GES

门到发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

创业板

开关安全工作区在T

J

= 150

o

C（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA

功耗总在T

C

= 25

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P

D

功耗降额牛逼

C

＆ GT ; 25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

J

, T

英镑

最大无铅焊接温度的

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

L

包体为10S ，请参见技术简介334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

PKG

600

17

8

40

±

20

±

30

15A电压为600V

70

0.58

-55到150

300

260

单位

V

A

A

A

V

V

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意：

1.脉冲宽度有限的最高结温。

电气连接特定的阳离子

参数

T

J

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

CES

I

CES

测试条件

I

C

= 250

A，V

GE

= 0V

V

CE

= 600V

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

民

600

-

-

-

-

4.5

-

15

-

V

GE

= 15V

V

GE

= 20V

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值

-

-

-

2.0

1.6

6.1

-

-

8.8

21

26

6

11

73

47

37

55

25

最大

-

250

3.0

2.7

2.2

7.0

±

250

-

-

25

32

-

-

-

-

-

70

35

单位

V

A

mA

V

V

V

nA

A

V

nC

nC

ns

ns

ns

ns

J

J

J

集电极到发射极击穿电压

集电极到发射极漏电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

I

C

= 3A,

V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

门到发射极阈值电压

门到发射极漏电流

开关SOA

门到发射极电压高原

导通状态的栅极电荷

V

GE （日）

I

GES

SSOA

V

GEP

Q

G（ ON）的

I

C

= 250

A，V

CE

= 600V

V

GE

=

±

20V

T

J

= 150

o

C，R

G

= 50

, V

GE

= 15V,

L = 200

H，V

CE

= 600V

I

C

= 3A ，V

CE

= 300V

I

C

= 3A,

V

CE

= 300V

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注2 ）

开启能量（注2 ）

关断能量（注3 ）

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

IGBT和二极管在T

J

= 25

o

C,

I

CE

= 3A,

V

CE

= 390V,

V

GE

= 15V,

R

G

= 50

,

L = 1MH ，

测试电路（图24）

2001仙童半导体公司

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D版本B

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D

电气连接特定的阳离子

参数

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注2 ）

开启能量（注2 ）

关断能量（注3 ）

二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

T

J

= 25

o

C，除非另有规定编

（续）

符号

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

V

EC

t

rr

I

EC

= 3A

I

EC

= 3A ，二

EC

/ DT = 200A /

s

I

EC

= 1A ，二

EC

/ DT = 200A /

s

热阻结到外壳

R

θ

JC

IGBT

二极管

注意事项：

2.价值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê

ON1

只是IGBT的导通损耗。 ê

ON2

是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一

J

作为IGBT 。二极管类型是特定网络版

图24 。

3.开启，关闭能源损耗（E

关闭

）是德音响定义为瞬时功率损耗的积分起始于输入脉冲的后沿与

在其中的集电极电流等于零（我的点结束

CE

= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试

功率器件的测量关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。

测试条件

IGBT和二极管在T

J

= 125

o

C,

I

CE

= 3A,

V

CE

= 390V, V

GE

= 15V,

R

G

= 50

,

L = 1MH ，

测试电路（图24）

民

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值

5.5

12

110

70

37

90

50

2.25

29

19

-

-

最大

8

15

165

100

-

100

80

-

-

-

1.8

3.5

单位

ns

ns

ns

ns

J

J

J

V

ns

ns

o

C / W

o

C / W

典型性能曲线

20

I

CE

， DC集电极电流（ A）

除非另有规定编

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

20

T

J

= 150

o

C，R

G

= 50, V

GE

= 15V ，L = 200μH

16

V

GE

= 15V

16

12

12

8

8

4

4

0

25

50

75

100

125

150

0

0

100

200

300

400

500

600

700

T

C

，外壳温度（

o

C)

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图1. DC集电极电流与案例

温度

图2.最小开关安全工作区

2001仙童半导体公司

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D版本B

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D

典型性能曲线

600

f

最大

，工作频率（千赫）

T

C

75

o

C

300

200

f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ OFF ）I

+ t

D（ ON ）I

)

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON2

+ E

关闭

)

P

C

=传导耗散

（占空比= 50％）

R

θJC

= 1.8

o

C / W ，见注解

T

J

= 125

o

C，R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

1

2

3

4

5

6

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

V

GE

15V

除非另有规定编

（续）

t

SC

，短路耐受时间（μs ）

V

CE

= 390V ，R

G

= 50, T

J

= 125

o

C

t

SC

16

14

12

10

8

6

4

10

11

12

13

14

I

SC

48

40

32

24

16

8

0

15

I

SC

峰值短路电流（ A）

4

6

20

18

64

56

100

50

V

GE

，门到发射极电压（ V）

图3.工作频率与集电极

发射极电流

图4.短路耐受时间

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

20

占空比< 0.5 ％ ，V

GE

= 12V

脉冲宽度= 250μs的

T

J

= 150

o

C

T

J

= 125

o

C

20

占空比< 0.5 ％ ，V

GE

= 15V

脉冲宽度= 250μs的

T

J

= 125

o

C

T

J

= 150

o

C

16

16

12

12

8

8

4

T

J

= 25

o

C

0

1

2

3

4

5

4

T

J

= 25

o

C

0

0

0

1

2

3

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图5.集电极到发射极导通电压

图6.集电极到发射极导通电压

240

E

ON2

，开启能量损失（ μJ ）

200

160

120

80

40

0

E

关闭

，关断能量损失（ μJ ）

R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

140

R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

120

100

80

60

40

20

0

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

1

2

3

4

5

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V或15V

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V, V

GE

= 15V

1

2

3

4

5

6

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图7.开启能量损失VS收藏家

发射极电流

图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家

发射极电流

2001仙童半导体公司

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D版本B

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D

典型性能曲线

16

t

D（ ON ）I

，导通延迟时间（纳秒）

R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

28

12

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V

8

t

rI

，上升时间（ NS ）

24

20

16

12

8

0

4

T

J

= 25

o

C或T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C或T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V

除非另有规定编

（续）

32

R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

4

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

1

2

3

4

5

6

1

2

3

4

5

6

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图9.导通延迟时间与收藏家

发射极电流

图10.导通上升时间与收藏家

发射极电流

112

t

D（ OFF ）I

，关断延迟时间（纳秒）

104

96

88

80

72

V

GE

= 12V ，T

J

= 25

o

C

64

56

R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

48

1

2

3

4

5

6

V

GE

= 15V ，T

J

= 25

o

C

V

GE

= 12V ，T

J

= 125

o

C

t

fI

，下降时间（ NS ）

V

GE

= 15V ，T

J

= 125

o

C

96

R

G

= 50Ω ， L = 1MH ，V

CE

= 390V

88

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 12V或15V

80

72

64

56

48

40

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 12V或15V

1

2

3

4

5

6

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11.关断延迟时间与收藏家

发射极电流

图12. FALL时间与集电极到发射极

当前

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

20

V

GE

，门到发射极电压（ V）

占空比< 0.5 ％ ，V

CE

= 10V

脉冲宽度= 250μs的

16

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0

I

G（ REF ）

= 1毫安，R

L

= 100, T

J

= 25

o

C

V

CE

= 600V

12

8

V

CE

= 200V

V

CE

= 400V

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

4

6

8

T

J

= -55

o

C

10

12

14

4

0

4

8

12

16

20

24

28

V

GE

，门到发射极电压（ V）

Q

G

，栅极电荷（ NC）

图13.传输特性

图14.门充电波形

2001仙童半导体公司

HGT1S3N60A4DS ， HGTP3N60A4D版本B