HS-1254RH
初步
1998年4月
抗辐射，高速，低功耗
双路运算放大器器具有禁用
描述
在HS- 1254RH是一个
±5V,
抗辐射，单片式，双，
电流反馈型放大器，提供高度可靠
表现在恶劣的辐射环境。电介质
隔离和键合晶片的处理，使该器件
免疫闩锁（ SEL ） 。
良好的动态特性，再加上禁用
功能，使这个放大器呃非常适合于各种个卫星的
精简版的系统应用程序。输出具有独立关闭
控制引脚，可以很容易复用宽带信号，
把输出端处于高阻抗状态，并减少
每个运算放大器的电源电流降至3毫安（典型值） 。
邮政辐射限值是完全特定网络版和保证
300kRAD （ Si）的总剂量，以确保可预测的性能
在任何空间应用。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。
订货时SMD号码必须使用。
详细的电气连接特定的阳离子为HS- 1254RH是
载于贴片5962-98581 ，这是很容易向下
从我们的网站可加载，通过DSCC “热点链接” 。
http://www.semi.Intersil.com/data/sm/index.htm
特点
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
辐射环境
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
Rad公司（SI ）
- SEL免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。晶圆键合工艺DI
低静态电流（每安培） 。 。 。 。 。 。 6.1毫安（最大）
禁用电源电流（每安培） 。 。 。 。 。 4.0毫安（最大）
低失调电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0mV （最大值）
输出使能/禁止时间。 。 。 。 。 。 。值为160ns /为20ns （典型值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1050V / μs（典型值）
宽-3dB带宽（A
V
= 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 530MHz （典型值）
应用
高速A / D驱动器
电缆驱动器
宽带信号交换和路由
冗余电路复
脉冲放大器器
订购信息
SMD零件编号
5962R9858101VXC
不适用
INTERSIL部件编号
HS9-1254RH-Q
HS9-1254RH/Sample
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
25
包
14 Ld的扁平
14 Ld的扁平
案例外形
CDFP3-F14
CDFP3-F14
引脚
HS- 1254RH （ FLATPACK ）
顶视图
-IN1
+IN1
禁止1
V-
关闭2
+IN2
-IN2
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
OUT1
NC
GND
V+
NC
NC
OUT2
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4507
1
HS-1254RH
模具特点
模具尺寸
尺寸： 1750μm X 2330μm （ 69密耳X 92密耳）
厚度： 483μm （ 19密耳）
玻璃熔封
类型：氮化
厚度： 4K
±
0.5k
金属化
金属1
类型：铝铜（2％） /的TiW
厚度： 8K
±
0.4k
金属2
类型：铝铜（2％）
厚度： 16K
±
0.8k
基板
DI ，贴合晶片
背面完成
硅
衬底电位
浮动（推荐连接到V-）
晶体管数量：
180
金属掩模布局
HS-1254RH
-IN1
OUT1
GND （见注1 ）
V+
+IN1
NC
DISABLE1
V-
DISABLE2
NC
+IN2
OUT2
-IN2
V-
注意：
1.这是一个可选的GND焊盘。用户可以设置一个接地的参考，通过此片，保证了DISABLE输入时的TTL兼容
采用非对称用品（如V + = 10V ，V = 0V） 。
2
HS-1254RH
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3
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