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数据表
NTAC TERSIL
co
8-IN
1-88
HS-3374RH
2000年8月
网络文件编号
3038.2
抗辐射的8位双向
CMOS / TTL电平转换器
Intersil的HS- 3374RH是一种抗辐射的8位
双向电平转换器,接口CMOS
逻辑电平与TTL逻辑电平的抗辐射巴士
导向系统。该HS- 3374RH是用制造
抗辐射EPI- CMOS工艺,并设有8
并行双向缓冲器/电平转换器。
两个控制输入,启用和禁用,是用来
确定数据流的方向,并同时设置在
看跌期权和输出处于高阻抗状态。控制
输入端可以由TTL或CMOS逻辑驱动器驱动
可以吸收一个标准TTL负载。
在HS- 3374RH是业内的一个非反相版本
标准CD40116 。的非反相输出端
HS- 3374RH减少印刷电路板芯片数量通过消除
需要回数据还原到非反转格式。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96786 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.asp
特点
电筛选,以SMD # 5962-96786
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
抗辐射EPI -CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1× 10
5
Rad公司(SI )
- 闭锁免疫。 。 。 。 。 。 。 >1 ×10
12
RAD (SI ) / S(注1 )
低传播延迟时间
- 典型的CMOS与TTL预RAD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为40ns
- 典型的CMOS与TTL邮政100KRAD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为40ns
- 典型的TTL和CMOS预RAD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为50ns
- 典型的TTL和CMOS邮政100KRAD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为50ns
低待机功耗
+ 10V CMOS和+ 5V TTL电源输入
八同相三态输入/输出通道
无需外部TTL输入上拉电阻要求
高TTL灌电流
相当于桑迪亚SA2996
军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意:
1.对于工作在10V和瞬态水平以上
1 x 10
10
RAD (SI ) / S,请参考应用笔记401 。
订购信息
订购数量
5962R9678601QWC
5962R9678601VWC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-3374RH-8
HS1-3374RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
引脚
HS-3374RH
MIL- STD- 1835 , CDIP2 - T22
( SBDIP )
顶视图
VDD
A0
A1
VDD - 1
VCC = 22
GND = 11
A2
CMOS
输入/输出
A3
A4
A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
22的Vcc
21 B0
20 B1
19 B2
18 B3
17 B4
16 B5
15 B6
14 B7
13 DISABLE
12 NC
TTL
输入/输出
工作原理图
关闭
13
CMOS
IN / OUT
8
2-9
水平
8
TTL
输出( IN)的
14-21
A6
A7
ENABLE 10
GND 11
启用
10
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
HS-3374RH
功能框图
1 8个相同的电路
VDD
VDD
VCC
2 (3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
A1 CMOS
输入(输出)
D
水平
E
GND
GND
GND
B1 TTL
产量
(输入)
21 (20, 19,
18, 17, 16,
15, 14)
VCC
关闭
13
VDD
水平
D
VDD
GND
启用
10
水平
E
注意事项:
2.启用和禁用是TTL型输入
3, D和E的输出是所有8个通道
输入(输出)
数据
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
终奌站
2
3
4
5
6
7
8
9
输出(输入)
数据
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
终奌站
21
20
19
18
17
16
15
14
启用
X
1
0
关闭
0
1
1
真值表
功能
转换CMOS电平为TTL电平
转换成TTL电平到CMOS电平
高阻抗( Z)
0 =低电平1 =高电平X =无关
Z =高阻抗的CMOS和TTL两侧。
注意:一个重要的警告可应用于CMOS器件中
一般是不用的输入不应该离开浮动。此规则
适用于连接到一个三态总线输入。需要
在三态总线条件外部上拉电阻是
通过再生锁存器对以下存在淘汰
HS- 3374RH引脚: A0 - 7 。
功能块图描述这些引脚与一
再生锁存器。当CMOS驱动器呈高
阻抗状态,锁持有的巴士在任何逻辑状态
(高或低),它是三态条件之前。瞬态
的驱动电流
±1.5mA
在VDD / 2
±0.5V
为10ns的要求
开关锁。因此, CMOS器件的输入连接到总线
在三态条件不允许FL燕麦。
警告:不要通过硬连线到任何激活禁止输入
TTL输入引脚。这是一个不正确的操作模式。
2
HS-3374RH
模具特点
DIE尺寸:
89.4密耳X 76.0密耳×14密耳
±1
米尔
界面材料:
玻璃钝化:
类型:二氧化硅
厚度: 11K
±2k
顶级金属化:
类型:铝硅
厚度: 8K
±1k
基材:
抗辐射硅栅,
介质隔离
背面表面处理:
大会相关信息:
衬底电位:
无偏( DI )
金属掩模布局
HS-3374RH
( 22 ) VCC
(1) VDD
(21) B0
(3) A1
(2) A0
(20) B1
A2 (4)
(19) B2
A3 (5)
(18) B3
A4 (6)
(17) B4
A5 (7)
(16) B5
A6 (8)
(15) B6
A7 (9)
(14) B7
ENABLE ( 10 )
GND (11)
3
DISABLE ( 13 )
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INTERSIL
21+
18600
DIP
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