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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4075B
门
三路3输入或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三路3输入或门
描述
该HEF4075B提供正三重3输入OR
功能。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4075B
门
图2钢钉图。
HEF4075BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4075BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4075BT （D）： 14引线SO ;塑料
图1的功能框图。
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三路3输入或门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
65
30
20
65
30
25
60
30
20
60
30
20
130
60
40
130
60
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4075B
门
典型的外推
公式
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
750 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
3 600 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
11 200 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4075B
门
三路3输入或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三路3输入或门
描述
该HEF4075B提供正三重3输入OR
功能。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4075B
门
图2钢钉图。
HEF4075BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4075BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4075BT （D）： 14引线SO ;塑料
图1的功能框图。
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三路3输入或门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
65
30
20
65
30
25
60
30
20
60
30
20
130
60
40
130
60
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4075B
门
典型的外推
公式
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
750 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
3 600 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
11 200 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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HY57V281620ELTP-5
HMC337_07
HVL368CM
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