HS- 303ARH ， HS- 303BRH
数据表
2008年7月7日
FN6411.1
抗辐射
CMOS双路SPDT模拟开关
在HS- 303ARH和HS- 303BRH模拟开关
单片器件采用Intersil的介电制
孤立的抗辐射硅栅（ RSG ）的过程
技术，以确保闩锁释放操作。它们的引脚
兼容，并且功能上等同于所述HS- 303RH ，但
报价提高300kRAD （ Si）的总剂量能力。这些
交换机提供低导通电阻的开关性能
模拟电压高达电源电压。 “ON”时的电阻是低
并保持相当恒定的全系列
操作电压和电流。 “ ON”电阻也撑
合理恒定当暴露于辐射。
先开后合式开关是由5V的数字控制
输入。在HS- 303ARH应与标称操作
±15V电源，而HS- 303BRH应操作
标称± 12V电源。
特点
QML ，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 总剂量： 3×10
5
Rad公司（SI ）
- 请参阅： LET = 60MeV -毫克/平方厘米
2
在60 °入射角，
<150pC收费转移到关的输出
开关
无闩锁，介质隔离设备群岛
引脚和功能兼容Intersil公司
HS- 303RH和HI- 303系列模拟开关
模拟信号范围等于电源电压范围
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100nA （最大值，后-Rad公司）
低R
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70Ω （最大值，后-Rad公司）
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150μA / -100μA
（最大值，后-Rad公司）
特定网络阳离子
规格为抗辐射QML装置通过控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气规格的HS- 303ARH和
HS- 303BRH载于SMD 5962-95813 。 “热链接”
从我们的网站上提供下载
引脚配置
HS1-303ARH ， HS- 303BRH （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
1
2
3
4
5
6
7
14 V+
13 S4
12 D4
11 D2
10 S2
9 IN2
8 V-
HS9-303ARH ， HS- 303BRH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V+
S4
D4
D2
S2
IN2
V-
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006年， 2008年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS- 303ARH ， HS- 303BRH
工作原理图
真值表
IN
N
P
D
逻辑
0
1
SW1与SW2的
关闭
ON
SW3和SW4
ON
关闭
模具特点
DIE尺寸：
2690μm X 5200μm （ 106 milsx205密耳）
厚度： 483μm
±
25.4μm （ 19密耳
±
1密耳）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8.0k
±
1.0k
顶级金属化：
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k
±
2k
基材：
抗辐射硅栅，
介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
196
金属掩模布局
HS- 303ARH ， HS- 303BRH
IN2
V-
V+
GND
IN1
D4
D2
S4
S2
S1
S3
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
3
FN6411.1
2008年7月7日
D3
D1
HS-303ARH
数据表
2006年12月14日
FN6411.0
抗辐射
CMOS双路SPDT模拟开关
在HS- 303ARH模拟开关是一个单片器件
采用Intersil的介质隔离辐射捏造
硬化硅栅（ RSG）工艺技术，以确保
闩锁释放操作。它的引脚兼容，
功能上等同于所述HS- 303RH ，但提供了改进的
300kRAD （ Si）的总剂量能力。该交换机能够提供低
模拟电阻开关性能电压高达
电源轨。 “ON”时的电阻是低的，合理地保持
常在整个工作电压范围和电流。
“ ON”电阻也保持相当稳定的时候
暴露于辐射，一般是29Ω预弧度和34Ω
后300kRAD （Si）的。先开后合式开关是
由5V数字输入控制。
特点
QML ，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 总剂量： 3× 10
5
Rad公司（SI ）
- 请参阅： LET = 60MeV -毫克/平方厘米
2
在60 °入射角，
<150pC收费转移到关的输出
开关
无闩锁，介质隔离设备群岛
引脚和功能兼容Intersil公司
HS- 303RH和HI- 303系列模拟开关
模拟信号范围15V
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为100nA （最大值，后-Rad公司）
低R
ON
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60Ω （最大值，后-Rad公司）
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150μA / -100μA
（最大值，后-Rad公司）
特定网络阳离子
规格为抗辐射QML装置通过控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气规格的HS- 303ARH是
载于SMD 5962-95813 。 “热链接”是由提供
我们的网站下载
引脚配置
HS1-303ARH （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
NC
S3
1
2
3
4
5
6
7
14 V+
13 S4
12 D4
11 D2
10 S2
9 IN2
8 V-
订购信息
订购
数
5962F9581304QCC
5962F9581304QXC
5962F9581304V9A
5962F9581304VCC
5962F9581304VXC
部分
数
HS1-303ARH-8
HS9-303ARH-8
HS0-303ARH-Q
HS1-303ARH-Q
HS9-303ARH-Q
温度。
范围
(°C)
-55
+125
-55
+125
-55
+125
-55
+125
-55
+125
-55
+125
-55
+125
-55
+125
14 LD
SBDIP
D14.3
14 LD
SBDIP
D14.3
NC
S3
D3
D1
S1
IN1
GND
D3
D1
PKG 。
14 LD
SBDIP
PKG 。
DWG 。 ＃
D14.3
S1
IN1
GND
14 LD K14.A
扁平
HS9-303ARH （ FLATPACK ） CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V+
S4
D4
D2
S2
IN2
V-
14 LD K14.A
扁平
HS0-303ARH / PROTO HS0-303ARH /样品
HS1-303ARH / PROTO HS1-303ARH / PROTO
HS9-303ARH / PROTO HS9-303ARH / PROTO
14 LD K14.A
扁平
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS-303ARH
工作原理图
SBDIP真值表
IN
N
P
D
逻辑
0
1
SW1与SW2的
关闭
ON
SW3和SW4
ON
关闭
模具特点
DIE尺寸：
2690μm X 5200μm （ 106密耳X 205密耳）
厚度： 483μm
±
25.4μm （ 19密耳
±
1密耳）
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8.0k
±
1.0k
顶级金属化：
类型： AlSiCu
厚度： 16.0k
±
2k
基材：
抗辐射硅栅，
介质隔离
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位：
无偏（ DI ）
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量：
196
金属掩模布局
HS-303ARH
IN2
V-
V+
GND
IN1
D4
D2
S4
S2
S1
S3
Intersil公司所有产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系标准。
Intersil公司的质量CERTI网络阳离子可在www.intersil.com/design/quality观看
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留随时修改电路设计，软件和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅www.intersil.com
2
FN6411.0
2006年12月14日
D3
D1
QQ：2881677436 复制
