H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1125-0500
（上一个： ADE- 208-1422C ）
Rev.5.00
2006年4月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 8毫欧（典型值） 。
低驱动电流
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
1
2
1
3
2
3
H7N0310LD
H7N0310LS
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -C
（包名称： LDPAK （ S） - （ 2 ） ）
4
G
D
1
2
3
S
H7N0310LM
Rev.5.00 2006年4月7日第1页7
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
30
±20
30
120
30
50
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
PCH
θ
CH-C
总胆固醇
TSTG
注2
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
±20
—
—
1.0
—
—
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
8.0
13
35
1400
380
210
24
4.8
4.6
21
250
55
16
0.90
35
最大
—
—
±10
10
2.5
10
19
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
注3
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 5 V
注3
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
R
L
= 0.67
RG = 4.7
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
注3
Rev.5.00 2006年4月7日第2 7
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
主要特点
功率与温度降额
80
500
最高安全工作区
10
s
P沟（W）的
60
I
D
(A)
100
1m 1
s 00
s
散热通道
10
40
漏电流
1
20
欧普PW
=
er
10
ATI
on
ms
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25°C
1次脉冲
0.3
1
3
10
30
100
DC
0.1
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
6V
50
4V
脉冲测试
3.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
40
I
D
(A)
漏电流
40
30
30
漏电流
20
V
GS
= 3 V
20
TC = 75℃
25°C
–25°C
10
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
0.5
脉冲测试
0.4
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
脉冲测试
50
0.3
20
10
5
V
GS
= 5 V
0.2
I
D
= 20 A
10 A
5A
0
4
8
12
16
20
10 V
0.1
2
1
0.1 0.2 0.5 1
0
2
5 10 20
50 100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2006年4月7日第3页7
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
40
脉冲测试
32
I
D
= 20 A
I
D
= 5 A, 10 A
16
V
GS
= 5 V
100
30
10
25°C
3
1
0.3
0.1
0.1
TC = -25°C
75°C
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
24
8
10 V
0
–40
0
40
5 A, 10 A, 20 A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
科斯
300
100
30
10
CRSS
体漏二极管反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
500
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
200
100
50
20
10
0.1
电容C （PF ）
西塞
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
(V)
I
D
= 30 A
40
V
DD
= 25 V
10 V
5V
V
DS
开关特性
V
GS
(V)
20
500
50
V
GS
V
DS
开关时间t（ NS ）
16
200
100
50
TD （上）
20
10
5
0.1 0.2 0.5 1
tf
TD （关闭）
tr
漏源极电压
30
12
20
8
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
0
8
16
24
32
40
4
栅极至源极电压
0
0
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
2
5 10 20
50 100
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2006年4月7日第4 7
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
反向漏电流 -
Souece漏极电压
50
反向漏电流I
DR
(A)
40
10 V
30
5V
V
GS
= 0
20
10
脉冲测试
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 2.5
°
C / W ，TC = 25
°
C
P
DM
PW
T
0.05
0.02
0.03
1
e
0.0
PULS
t
ho
1s
100
D=
PW
T
0.01
10
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
开关时间波形
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
90%
10%
VIN
10 V
V
DS
= 10 V
TD （上）
90%
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.5.00 2006年4月7日第5 7
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE-208-1422C(Z)
4 。版
2002年8月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 8毫欧（典型值） 。
低驱动电流
概要
LDPAK
4
D
4
4
G
1
S
2
1
2
3
1
2
H7N0310LS
3
3
H7N0310LM
1.门
2.漏
3.源
4.漏
H7N0310LD
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
注2
注1
评级
30
±20
30
120
30
50
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
θch -C
总胆固醇
TSTG
订正， 2002年8月，第2页2
H7N0310LD ， H7N0310LS ， H7N0310LM
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
30
±20
—
—
1.0
—
—
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
8.0
13
35
1400
380
210
24
4.8
4.6
21
250
55
16
0.90
35
最大
—
—
±10
10
2.5
10
19
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
I
F
= 30 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A，V
GS
= 5 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
R
L
= 0.67
R
g
= 4.7
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V
Note1
Note1
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅源击穿电压
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
Note1
Note1
体漏二极管的反向恢复吨
rr
时间
注意事项： 1.脉冲测试
订正， 2002年8月，第3页3
QQ：2881677436 复制
