HS-26C31RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
3401.3
抗辐射四路差分线路
司机
Intersil的HS- 26C31RH是一款四通道差分线路驱动器
设计用于在平衡线路的数字数据传输
和符合EIA标准RS- 422的要求。
抗辐射CMOS工艺保证了低功耗
消耗量，高速，并在最可靠的操作
严重的辐射环境。
该HS- 26C31RH接受CMOS信号电平转换和
他们RS - 422兼容输出。该电路采用特殊的
输出，使驾驶者关闭电源，无负载
下公交车。启用和禁用引脚允许多个器件
被连接到相同的数据源和处理
独立。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96663 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96663
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量最高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD （SI ）
- 剂量率无奈之举。 。 。 。 。 。 。 > ×10
9
弧度/秒（ 20ns的脉冲）
闭锁免费
EIA RS - 422兼容输出（除IOS ）
- CMOS输入
高阻抗输出时禁用或供电
下
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.75mW待机（最大）
单5V电源
低输出阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10Ω或以下
全-55
o
C至125
o
军用温度范围
引脚配置
HS1-26C31RH （ SBDIP ）
CDIP2-T16
顶视图
AIN 1
AO
AO
2
3
16 VDD
15 DIN
14 DO
13 DO
12 ENABLE
11 CO
10 CO
9 CIN
订购信息
订购数量
5962F9666301QEC
5962F9666301QXC
5962F9666301V9A
5962F9666301VEC
5962F9666301VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-26C31RH-8
HS9-26C31RH-8
HS0-26C31RH-Q
HS1-26C31RH-Q
HS9-26C31RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
25
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
ENABLE 4
BO 5
BO 6
7 BIN
GND 8
HS1-26C31RH / PROTO HS1-26C31RH / PROTO
HS9-26C31RH / PROTO HS9-26C31RH / PROTO
逻辑图
启用
启用
DIN
CIN
箱子
艾因
艾因
AO
AO
启用
BO
BO
DO DO
CO CO
BO BO
AO AO
箱子
GND
HS9-26C31RH （ FLATPACK ）
CDFP4-F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
DIN
DO
DO
启用
CO
CO
CIN
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HS-26C31RH
模具特点
DIE尺寸：
96.5密耳X 195密耳×21密耳
(2450 x 4950)
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 10K
±1k
金属化：
M1 ：莫/ TIW
厚度： 5800
M2 ：铝/硅/铜（上）
厚度： 10K
±1k
基材：
AVLSI1RA
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位（电） ：
V
DD
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS-26C31RH
（ 16 ） VDD
（ 16 ） VDD
（15）， DIN
（ 14 ） DO
（ 13 ） DO
（ 12 ）启用
（ 11 ） CO
（ 10 ） CO
CIN （9）
（1）氮化铝
AO （ 2 ）
AO （ 3 ）
ENABLE （ 4 ）
BO （ 5 ）
BO （ 6 ）
BIN （ 7 ）
GND （ 8 ）
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
2
GND （ 8 ）
HS-26C31RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
3401.3
抗辐射四路差分线路
司机
Intersil的HS- 26C31RH是一款四通道差分线路驱动器
设计用于在平衡线路的数字数据传输
和符合EIA标准RS- 422的要求。
抗辐射CMOS工艺保证了低功耗
消耗量，高速，并在最可靠的操作
严重的辐射环境。
该HS- 26C31RH接受CMOS信号电平转换和
他们RS - 422兼容输出。该电路采用特殊的
输出，使驾驶者关闭电源，无负载
下公交车。启用和禁用引脚允许多个器件
被连接到相同的数据源和处理
独立。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96663 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96663
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量最高。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD （SI ）
- 剂量率无奈之举。 。 。 。 。 。 。 > ×10
9
弧度/秒（ 20ns的脉冲）
闭锁免费
EIA RS - 422兼容输出（除IOS ）
- CMOS输入
高阻抗输出时禁用或供电
下
低功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.75mW待机（最大）
单5V电源
低输出阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10Ω或以下
全-55
o
C至125
o
军用温度范围
引脚配置
HS1-26C31RH （ SBDIP ）
CDIP2-T16
顶视图
AIN 1
AO
AO
2
3
16 VDD
15 DIN
14 DO
13 DO
12 ENABLE
11 CO
10 CO
9 CIN
订购信息
订购数量
5962F9666301QEC
5962F9666301QXC
5962F9666301V9A
5962F9666301VEC
5962F9666301VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-26C31RH-8
HS9-26C31RH-8
HS0-26C31RH-Q
HS1-26C31RH-Q
HS9-26C31RH-Q
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
25
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
ENABLE 4
BO 5
BO 6
7 BIN
GND 8
HS1-26C31RH / PROTO HS1-26C31RH / PROTO
HS9-26C31RH / PROTO HS9-26C31RH / PROTO
逻辑图
启用
启用
DIN
CIN
箱子
艾因
艾因
AO
AO
启用
BO
BO
DO DO
CO CO
BO BO
AO AO
箱子
GND
HS9-26C31RH （ FLATPACK ）
CDFP4-F16
顶视图
1
2
3
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6
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16
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11
10
9
VDD
DIN
DO
DO
启用
CO
CO
CIN
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HS-26C31RH
模具特点
DIE尺寸：
96.5密耳X 195密耳×21密耳
(2450 x 4950)
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 10K
±1k
金属化：
M1 ：莫/ TIW
厚度： 5800
M2 ：铝/硅/铜（上）
厚度： 10K
±1k
基材：
AVLSI1RA
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位（电） ：
V
DD
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS-26C31RH
（ 16 ） VDD
（ 16 ） VDD
（15）， DIN
（ 14 ） DO
（ 13 ） DO
（ 12 ）启用
（ 11 ） CO
（ 10 ） CO
CIN （9）
（1）氮化铝
AO （ 2 ）
AO （ 3 ）
ENABLE （ 4 ）
BO （ 5 ）
BO （ 6 ）
BIN （ 7 ）
GND （ 8 ）
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
2
GND （ 8 ）
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