【HRF32硅肖特基二极管整流ADE-208-164D(Z)转41997年7月特点适合高频整流。LRP】,IC型号HRF32,HRF32 PDF资料,HRF32经销商,ic,电子元器件-51电子网

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HRF32

硅肖特基二极管整流

ADE-208-164D(Z)

转4

1997年7月

特点

适合高频整流。

LRP结构，确保更高的可靠性。

订购信息

型号

HRF32

激光标记

32

封装代码

LRP

概要

阴极标记

标志

1

32

2

1.阴极

2.阳极

HRF32

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

项

反向重复峰值

电压

平均整流电流

非重复性峰值

正向浪涌电流

结温

储存温度

注意：

注意：

符号

V

RRM*1

I

o*1

I

FSM * 2

Tj

TSTG

价值

90

1.0

20

125

-40到+125

单位

V

A

A

°C

°C

1.请参阅从图4至图7

2. 10毫秒半正弦波脉冲1

电气特性（Ta = 25 ° C）

项

正向电压

反向电流

防静电能力

热阻

符号

V

F

I

R

—

Rth的第（j-一）

民

—

—

150

—

—

注意：

1.氧化铝板

典型值

—

—

—

—

—

最大

0.8

1.0

—

108

157

单位

V

mA

V

测试条件

I

F

= 1.0A

V

R

= 90V

C = 200pF的，

R=0

，正向和反向

方向1个脉冲。

*1

° C / W

氧化铝板

印刷板

*2

（25毫米 25毫米 0.64吨

2.0mm

2.0mm

4.2mm

注意：

2.印刷电路板

（25毫米 25毫米 1.64吨

2.0mm

2.0mm

4.2mm

2

HRF32

主要特点

1.0

10

–4

10

–1

脉冲测试

10

–5

脉冲测试

正向电流I

F

(A)

10

–3

10

–4

反向电流I

R

(A)

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

10

–2

10

–6

10

–5

10

–7

10

–6

10

–7

0

10

–8

0

20

40

60

80

100

正向电压V

F

(V)

图1正向电流与正向电压

反向电压V

R

(V)

图2反向电流与反向电压

f=1MHz

脉冲测试

10

电容C （PF ）

3

10

2

10

1.0

10

反向电压V

R

(V)

图3电容与反向电压

10

2

3

HRF32

主要特点

1.2

0A

t

T

DC

0.10

0V

正向功率损耗PD （W ）

反向功率损耗PD （W ）

1.0

t

D=

\

T

t

D=1/2

罪

0.08

T

t

D=

\

T

D=5/6

0.8

D=1/3

D=1/6

D=2/3

0.06

D=1/2

0.04

罪

0.02

0.6

0.4

0.2

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

正向电流I F （A ）

图4正向P奥尔功耗比。正向电流

0

0

20

40

60

80

100

反向电压V

R

@

(V)

图5反向功率耗散主场迎战反向电压

1.6

1.4

平均正向电流IO （ A）

DC

VR = VRRM

Tj=125°C

氧化铝板

1.6

1.4

平均正向电流IO （ A）

VR = VRRM

Tj=125°C

印刷板

1.2

1.0

0.8

D=1/2

D=1/3

1.2

DC

1.0

0.8

D=1/3

0.6

0.4

0.2

0

D=1/6

罪

D=1/2

D=1/6

0.6

0.4

0.2

0

0

25

50

75

100

125

环境温度

的Ta （℃）

罪

0

25

50

75

100

环境温度

的Ta （℃）

125

图6平均正向电流比。环境温度

图7平均正向电流比。环境温度

4

HRF32

包装尺寸

单位：mm

阴极标记

1

4.5 ± 0.2

5.0 ± 0.3

2

1阴极

2阳极

1.5 ± 0.2

0.2

2.0 ± 0.3

2.5 ± 0.3

32

1.2 ± 0.3

1.2 ± 0.3

日立代码

JEDEC代码

EIAJ代码

重量（g ）

LRP

—

—

0.058

5

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型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

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