韩光
HMF8M16F8V-90
FLASH- ROM模块16兆字节（ 8M ×16位）
–
内存堆栈
TYPE
产品型号HMF8M16F8V- 90
概述
该HMF8M16F8V是只读举办的存储器（ FROM ）含有8,388,608字模块高速闪存
x16bit配置。该模块包括八个2M ×8从装在一个100引脚， MMC接口FR4印刷电路
板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。主机系统可以检测到一个程序或
擦除操作完成，通过观察就绪引脚，或读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）状态位。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3V直流电源供电，所有输入和输出都LVTTL-
兼容。
特点
w
部分鉴定
-
HMF8M16F8V （底部启动块配置）
VCC
A22
A21
A20
DQ15
DQ14
DQ13
VSS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ8
VSS
DQ6
DQ4
DQ3
DQ2
VSS
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
引脚分配
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
VCC
NC
A19
A18
A17
A16
A15
VSS
A14
A13
DQ9
DQ7
VSS
DQ5
A12
A11
A10
VSS
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VCC
VCC
NC
/WE0
/WE1
准备
NC
NC
VSS
/ OE
/ CS
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
/ RESET
VSS
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
VCC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
VCC
w
访问时间： 70 ， 80 ， 90 ，为120ns
w
高密度的16兆字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
单+ 3V至3.6V电源供电
w
100针设计
50引脚细间距连接器MMC P1， P2
w
最低百万写周期保证
每个扇区
w
20年的数据保存在125摄氏度
w
灵活的部门架构
w
嵌入式算法
w
擦除暂停/删除恢复
选项
w
定时
为70ns存取
80ns的访问
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
FH 100针
记号
- 70
- 80
- 90
-120
50针连接器P1
50针连接器P2
F
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1
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韩光
真值表
模式
待机
RESET
部门保护
部门撤消
读
写
/ CS
Vcc±0.3V
X
L
L
L
L
/ OE
X
X
H
H
L
H
/ WE
X
X
L
L
H
L
RESET
Vcc±0.3V
L
V
ID
V
ID
H
H
HMF8M16F8V-90
DQ
高-Z
高-Z
D
IN，
D
OUT
D
IN，
D
OUT
D
OUT
D
OUT
记
：X表示不关心， WE0 *低字节（ D0 7 ）写使能， WE1 *高字节（ D8 15 ）写使能。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
输出短路电流
储存温度
等级
-0.5V到VCC + 0.5V
-0.5V至+ 4.0V
1,600mA
-65oC至+ 150℃
工作温度
-0oC至+ 70℃
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或在标明的任何其他条件
本规范的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
推荐工作条件
参数
VCC的稳压电源
VCC为全电压
范围
+ 3.0V至3.6V
+ 2.7V至3.6V
DC和工作特性
参数
输入负载电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
VCC读操作工作电流
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测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
I
OH
= -2.0mA ， VCC = VCC最小值
I
OL
= 4.0毫安， VCC = VCC敏
/ CE = V
IL
， ， / OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
符号
I
L1
I
L0
V
OH
V
OL
I
CC1
民
最大
±8.0
±8.0
单位
A
A
V
0.85Vcc
0.45
128
V
mA
3
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韩光
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
QH
/ CE和/ OE ，先到为准
芯片使能到输出延迟
芯片使能到输出延迟
芯片使能输出高-Z
输出使能到输出高阻
输出保持时间从地址，
民
/ OE = V
IL
最大
最大
最大
最大
HMF8M16F8V-90
80
80
25
25
0
90
90
30
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
测试条件
笔记
：测试条件：输出负载： 1TTL门和100 pF的
输入上升和下降时间： 5ns的
输入脉冲电平： 0V至3.0V
定时测量参考电平
输入： 1.5 V
输出： 1.5V
3.3V
2.7k
设备
下
TEST
C
L
IN3064
或同等学历
6.2k
二极管= IN3064
或同等学历
记
: C
L
= 100pF的包括夹具电容
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