HP4410DY
数据表
2001年12月
10A ， 30V ， 0.0135欧姆，单N通道，
逻辑电平功率MOSFET
这是功率MOSFET采用了创新的制造
流程。这种先进的工艺技术，实现了
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
特点
逻辑电平栅极驱动器
10A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.0135
在我
D
= 10A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.020
在我
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
订购信息
产品型号
HP4410DY
包
SO-8
BRAND
P4410DY
SOURCE(1)
DRAIN(8)
SOURCE(2)
DRAIN(7)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HP4410DYT的变种。
SOURCE(3)
DRAIN(6)
GATE(4)
DRAIN(5)
包装
SO-8
2001仙童半导体公司
HP4410DY版本B
HP4410DY
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HP4410DY
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（ 10
s脉冲宽度） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±
16
10
50
2.5
0.02
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
A
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图9 ）
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ，T
A
= 55
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
10A
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图4）
-
-
-
脉冲宽度< 10秒（图11）
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
0.015
0.011
15
9
70
20
35
7.5
5.8
1600
685
115
-
最大
-
-
1
25
100
0.020
0.0135
30
20
100
80
60
-
-
-
-
-
50
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±
16V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V （图6，图8）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V （图6，图8）的
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JA
V
DD
= 25V ，我
D
1A,
R
L
= 25
, V
根
=
10V,
R
GS
= 6
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 2.3A （图7）
I
SD
= 2.3A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
民
-
-
典型值
0.75
50
最大
1.1
80
单位
V
ns
2001仙童半导体公司
HP4410DY版本B
HP4410DY
数据表
1999年8月
网络文件编号
4468.4
10A ， 30V ， 0.0135欧姆，单N通道，
逻辑电平功率MOSFET
这是功率MOSFET采用了创新的制造
流程。这种先进的工艺技术，实现了
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
特点
逻辑电平栅极驱动器
10A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.0135Ω在我
D
= 10A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.020Ω ，在我
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
订购信息
产品型号
HP4410DY
包
SO-8
BRAND
P4410DY
SOURCE(1)
DRAIN(8)
SOURCE(2)
DRAIN(7)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HP4410DYT的变种。
SOURCE(3)
DRAIN(6)
GATE(4)
DRAIN(5)
包装
SO-8
8-3
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HP4410DY
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HP4410DY
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲宽度） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±16
10
50
2.5
0.02
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
A
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图9 ）
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ，T
A
= 55
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
10A
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图4）
-
-
-
脉冲宽度< 10秒（图11）
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
0.015
0.011
15
9
70
20
35
7.5
5.8
1600
685
115
-
最大
-
-
1
25
100
0.020
0.0135
30
20
100
80
60
-
-
-
-
-
50
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±16V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V （图6，图8）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V （图6，图8）的
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
V
DD
= 25V ，我
D
1A,
R
L
= 25, V
根
=
10V,
R
GS
= 6
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 2.3A （图7）
I
SD
= 2.3A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
0.75
50
最大
1.1
80
单位
V
ns
8-4
HP4410DY
测试电路和波形
V
DS
t
ON
t
D（上）
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
90%
V
GS
-
DUT
R
GS
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图12.开关时间测试电路
图13.开关时间波形
V
DS
R
L
V
DD
Q
g
Q
gd
Q
gs
V
GS
V
GS
+
V
DD
-
DUT
I
G（ REF ）
I
G（ REF ）
0
0
V
DS
图14.栅极电荷测试电路
图15.栅极电荷WsAVEFORMS
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
网络连接CE总部销售
北美
Intersil公司
邮政信箱883 ，邮件停止53-204
墨尔本， FL 32902
电话： （ 407 ） 724-7000
传真： （ 407 ） 724-7240
欧洲
Intersil的SA
美居中心
100街德拉引信
1130布鲁塞尔，比利时
TEL ： （ 32 ） 2.724.2111
FAX ： （ 32 ） 2.724.22.05
亚洲
Intersil公司（台湾）有限公司
7F - 6 ， 101号富兴北路
台北，台湾
中华民国
电话： （ 886 ） 2 2716 9310
传真： （ 886 ） 2 2715 3029
8-7
HP4410DY
数据表
1999年8月
网络文件编号
4468.4
10A ， 30V ， 0.0135欧姆，单N通道，
逻辑电平功率MOSFET
这是功率MOSFET采用了创新的制造
流程。这种先进的工艺技术，实现了
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
特点
逻辑电平栅极驱动器
10A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.0135Ω在我
D
= 10A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.020Ω ，在我
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
订购信息
产品型号
HP4410DY
包
SO-8
BRAND
P4410DY
SOURCE(1)
DRAIN(8)
SOURCE(2)
DRAIN(7)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HP4410DYT的变种。
SOURCE(3)
DRAIN(6)
GATE(4)
DRAIN(5)
包装
SO-8
8-3
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HP4410DY
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HP4410DY
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲宽度） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±16
10
50
2.5
0.02
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
A
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图9 ）
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ，T
A
= 55
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
10A
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图4）
-
-
-
脉冲宽度< 10秒（图11）
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
0.015
0.011
15
9
70
20
35
7.5
5.8
1600
685
115
-
最大
-
-
1
25
100
0.020
0.0135
30
20
100
80
60
-
-
-
-
-
50
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±16V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V （图6，图8）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V （图6，图8）的
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
V
DD
= 25V ，我
D
1A,
R
L
= 25, V
根
=
10V,
R
GS
= 6
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 2.3A （图7）
I
SD
= 2.3A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
0.75
50
最大
1.1
80
单位
V
ns
8-4
HP4410DY
测试电路和波形
V
DS
t
ON
t
D（上）
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
90%
V
GS
-
DUT
R
GS
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图12.开关时间测试电路
图13.开关时间波形
V
DS
R
L
V
DD
Q
g
Q
gd
Q
gs
V
GS
V
GS
+
V
DD
-
DUT
I
G（ REF ）
I
G（ REF ）
0
0
V
DS
图14.栅极电荷测试电路
图15.栅极电荷WsAVEFORMS
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
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北美
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美居中心
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亚洲
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7F - 6 ， 101号富兴北路
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中华民国
电话： （ 886 ） 2 2716 9310
传真： （ 886 ） 2 2715 3029
8-7
HP4410DY
数据表
2001年12月
10A ， 30V ， 0.0135欧姆，单N通道，
逻辑电平功率MOSFET
这是功率MOSFET采用了创新的制造
流程。这种先进的工艺技术，实现了
每个硅面积尽可能低的导通电阻，从而产生
出色的表现。这种装置能够
在雪崩模式和经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
特点
逻辑电平栅极驱动器
10A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.0135
在我
D
= 10A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
= 0.020
在我
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
订购信息
产品型号
HP4410DY
包
SO-8
BRAND
P4410DY
SOURCE(1)
DRAIN(8)
SOURCE(2)
DRAIN(7)
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴，例如， HP4410DYT的变种。
SOURCE(3)
DRAIN(6)
GATE(4)
DRAIN(5)
包装
SO-8
2001仙童半导体公司
HP4410DY版本B
HP4410DY
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
HP4410DY
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（ 10
s脉冲宽度） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
30
30
±
16
10
50
2.5
0.02
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
A
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图9 ）
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ，T
A
= 55
o
C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
10A
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图4）
-
-
-
脉冲宽度< 10秒（图11）
设备安装在FR -4材料
-
典型值
-
-
-
-
-
0.015
0.011
15
9
70
20
35
7.5
5.8
1600
685
115
-
最大
-
-
1
25
100
0.020
0.0135
30
20
100
80
60
-
-
-
-
-
50
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±
16V
I
D
= 8A ，V
GS
= 4.5V （图6，图8）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V （图6，图8）的
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JA
V
DD
= 25V ，我
D
1A,
R
L
= 25
, V
根
=
10V,
R
GS
= 6
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 2.3A （图7）
I
SD
= 2.3A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
民
-
-
典型值
0.75
50
最大
1.1
80
单位
V
ns
2001仙童半导体公司
HP4410DY版本B
QQ：2881677436 复制
