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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第171页 > HN1K05FU
HN1K05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
HN1K05FU
用于便携式设备
高速开关应用
接口应用
单位：mm
·
·
·
高输入阻抗和极低的驱动电流。
V
th
低，也能够直接驱动，在低电压CMOS 。
: V
th
= 0.5 1.0V的
适合于高密度安装，因为紧凑的包装中。
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
（注）
T
ch
T
英镑
等级
20
10
100
200
150
-55
150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 6.8毫克
―
―
2-2J1C
注：总的评价
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极 - 源极导通电阻1
漏极 - 源极导通电阻2
漏极 - 源极导通电阻3
输入电容
反向传输电容
输出电容
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON） 1
R
DS （ON ） 2
R
DS （ ON） 3
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
开关时间
t
关闭
测试条件
V
GS
=
10 V, V
DS
=
0 V
I
D
=
100
毫安，
V
GS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
V
DS
=
1.5 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
1.5 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
1毫安，V
GS
=
1.2 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
1.5 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DD
=
1.5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0到1.5伏
V
DD
=
1.5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0到1.5伏
民
20
0.5
35
典型值。
70
15
10
7
12
3.4
12
0.35
0.2
最大
1
1
1
50
40
28
ms
单位
mA
V
mA
V
mS
W
W
W
pF
pF
pF
1
2002-01-16
HN1K05FU
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
记号
6
5
4
Q1
Q2
KK
1
（ Q1 ， Q2常见）
2
3
1
2
3
开关时间测试电路
（ a）测试电路
I
D
1.5 V
0
10
ms
V
IN
IN
50
W
R
L
OUT
V
DD
=
1.5 V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
（二）V
IN
V
GS
1.5 V
10%
90%
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DS
V
DS （ ON）
90%
t
r
t
on
t
关闭
10%
V
DD
t
f
2
2002-01-16
HN1K05FU
（ Q1 ， Q2常见）
100
I
D
– V
DS
2.0 V
1.8 V
常见
来源
I
D
– V
DS
（低电压区域）
100
常见
来源
Ta
=
25°C
2.5 V
2.2 V
1.6 V
60
2.0 V
1.8 V
（MA ）
1.6 V
漏电流I
D
60
漏电流I
D
（MA ）
80
80
40
1.4 V
40
1.4 V
1.2 V
20
VGS = 1V
1.2 V
20
VGS
=
1 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
100
常见的来源
VDS
=
1.5 V
10
Ta
=
100°C
I
D
– V
GS
100
常见的来源
Ta
=
25°C
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
（MA ）
1.2 V
1.5 V
10
漏电流I
D
25°C
1
-25°C
VGS
=
2.5 V
0.1
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
1
0.1
1
10
100
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
（MA ）
R
DS （ ON）
- TA
50
常见的来源
40
1000
Y
fs
– I
D
常见的来源
VDS
=
1.5 V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
Y
fs
（女士）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
100
30
20
VGS
=
1.5 V， ID
=
10毫安
VGS
=
1.2伏，身份证
=
1毫安
10
10
VGS
=
2.5 V ， ID
=
10毫安
0
-50
0
50
100
150
1
1
10
100
1000
环境温度Ta （C ）
漏电流I
D
（MA ）
3
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HN1K05FU
（ Q1 ， Q2常见）
- V
DS
100
常见的来源
VGS
=
0
10000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
1.5 V
电容C （PF ）
（纳秒）
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
VGS
=
0到1.5伏
Ta
=
25°C
1000
花花公子
10
西塞
科斯
开关时间t
吨
100
tr
tf
CRSS
0
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
（MA ）
P
D
* - TA
300
漏极功耗
P
D
* （ mW）的
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
* ：总分
4
2002-01-16
HN1K05FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2002-01-16
HN1K05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
HN1K05FU
用于便携式设备
高速开关应用
接口应用
单位：mm
·
·
·
高输入阻抗和极低的驱动电流。
V
th
低，也能够直接驱动，在低电压CMOS 。
: V
th
= 0.5 1.0V的
适合于高密度安装，因为紧凑的包装中。
最大额定值
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
（注）
T
ch
T
英镑
等级
20
10
100
200
150
-55
150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 6.8毫克
―
―
2-2J1C
注：总的评价
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极 - 源极导通电阻1
漏极 - 源极导通电阻2
漏极 - 源极导通电阻3
输入电容
反向传输电容
输出电容
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON） 1
R
DS （ON ） 2
R
DS （ ON） 3
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
开关时间
t
关闭
测试条件
V
GS
=
10 V, V
DS
=
0 V
I
D
=
100
毫安，
V
GS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
V
DS
=
1.5 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
1.5 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
1毫安，V
GS
=
1.2 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
1.5 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DD
=
1.5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0到1.5伏
V
DD
=
1.5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0到1.5伏
民
20
0.5
35
典型值。
70
15
10
7
12
3.4
12
0.35
0.2
最大
1
1
1
50
40
28
ms
单位
mA
V
mA
V
mS
W
W
W
pF
pF
pF
1
2002-01-16
HN1K05FU
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
记号
6
5
4
Q1
Q2
KK
1
（ Q1 ， Q2常见）
2
3
1
2
3
开关时间测试电路
（ a）测试电路
I
D
1.5 V
0
10
ms
V
IN
IN
50
W
R
L
OUT
V
DD
=
1.5 V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
W)
常见的来源
Ta
=
25°C
（二）V
IN
V
GS
1.5 V
10%
90%
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DS
V
DS （ ON）
90%
t
r
t
on
t
关闭
10%
V
DD
t
f
2
2002-01-16
HN1K05FU
（ Q1 ， Q2常见）
100
I
D
– V
DS
2.0 V
1.8 V
常见
来源
I
D
– V
DS
（低电压区域）
100
常见
来源
Ta
=
25°C
2.5 V
2.2 V
1.6 V
60
2.0 V
1.8 V
（MA ）
1.6 V
漏电流I
D
60
漏电流I
D
（MA ）
80
80
40
1.4 V
40
1.4 V
1.2 V
20
VGS = 1V
1.2 V
20
VGS
=
1 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
100
常见的来源
VDS
=
1.5 V
10
Ta
=
100°C
I
D
– V
GS
100
常见的来源
Ta
=
25°C
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
（MA ）
1.2 V
1.5 V
10
漏电流I
D
25°C
1
-25°C
VGS
=
2.5 V
0.1
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
1
0.1
1
10
100
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
（MA ）
R
DS （ ON）
- TA
50
常见的来源
40
1000
Y
fs
– I
D
常见的来源
VDS
=
1.5 V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
Y
fs
（女士）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(W)
100
30
20
VGS
=
1.5 V， ID
=
10毫安
VGS
=
1.2伏，身份证
=
1毫安
10
10
VGS
=
2.5 V ， ID
=
10毫安
0
-50
0
50
100
150
1
1
10
100
1000
环境温度Ta （C ）
漏电流I
D
（MA ）
3
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HN1K05FU
（ Q1 ， Q2常见）
- V
DS
100
常见的来源
VGS
=
0
10000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
1.5 V
电容C （PF ）
（纳秒）
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
VGS
=
0到1.5伏
Ta
=
25°C
1000
花花公子
10
西塞
科斯
开关时间t
吨
100
tr
tf
CRSS
0
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
（MA ）
P
D
* - TA
300
漏极功耗
P
D
* （ mW）的
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
* ：总分
4
2002-01-16
HN1K05FU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2002-01-16
HN1K05FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
HN1K05FU
用于便携式设备
高速开关应用
接口应用
单位：mm
高输入阻抗和极低的驱动电流。
V
th
低，也能够直接驱动，在低电压CMOS 。
: V
th
= 0.5 1.0V的
适合于高密度安装，因为紧凑的包装中。
绝对最大额定值（Ta
=
25°C)
（ Q1 ， Q2常见）
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
20
10
100
200
150
55
150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 6.8毫克
―
―
2-2J1C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价
1
2007-11-01
HN1K05FU
电气特性
（大
=
25 ° C） （ Q1 ， Q2公用）
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极 - 源极导通电阻1
漏极 - 源极导通电阻2
漏极 - 源极导通电阻3
输入电容
反向传输电容
输出电容
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON） 1
R
DS （ON ） 2
R
DS （ ON） 3
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
开关时间
t
关闭
测试条件
V
GS
=
10 V, V
DS
=
0 V
I
D
=
100
μA,
V
GS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
V
DS
=
1.5 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
1.5 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
1毫安，V
GS
=
1.2 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
1.5 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
1.5 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DD
=
1.5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0到1.5伏
V
DD
=
1.5 V，I
D
=
10毫安，
V
GS
=
0到1.5伏
民
20
0.5
35
典型值。
70
15
10
7
12
3.4
12
0.35
0.2
最大
1
1
1
50
40
28
μs
单位
μA
V
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
记号
6
5
4
Q1
Q2
KK
1
（ Q1 ， Q2常见）
2
3
1
2
3
开关时间测试电路
（ a）测试电路
I
D
1.5 V
0
10
μs
V
IN
IN
50
Ω
R
L
OUT
V
DD
=
1.5 V
D.U.
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
(Z
OUT
=
50
Ω)
常见的来源
Ta
=
25°C
（二）V
IN
V
GS
1.5 V
10%
90%
0
V
DD
（三）V
OUT
V
DS
V
DS （ ON）
90%
t
r
t
on
t
关闭
10%
V
DD
t
f
2
2007-11-01
HN1K05FU
（ Q1 ， Q2常见）
100
I
D
– V
DS
2.0 V
1.8 V
常见
来源
I
D
– V
DS
（低电压区域）
100
常见
来源
Ta
=
25°C
2.5 V
2.2 V
1.6 V
60
2.0 V
1.8 V
（MA ）
1.6 V
I
D
60
漏电流
漏电流
I
D
（MA ）
80
80
40
1.4 V
40
1.4 V
1.2 V
20
VGS = 1V
1.2 V
20
VGS
=
1 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
100
常见的来源
VDS
=
1.5 V
10
Ta
=
100°C
I
D
– V
GS
100
常见的来源
Ta
=
25°C
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
（MA ）
1.2 V
1.5 V
10
I
D
25°C
1
25°C
漏电流
VGS
=
2.5 V
0.1
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
1
0.1
1
10
100
栅源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
（MA ）
R
DS （ ON）
- TA
50
常见的来源
40
1000
Y
fs
– I
D
常见的来源
VDS
=
1.5 V
Ta
=
25°C
正向转移导纳
Y
fs
（女士）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
30
20
VGS
=
1.5 V， ID
=
10毫安
VGS
=
1.2伏，身份证
=
1毫安
10
10
VGS
=
2.5 V ， ID
=
10毫安
0
50
0
50
100
150
1
1
10
100
1000
环境温度
Ta
(°C)
漏电流
I
D
（MA ）
3
2007-11-01
HN1K05FU
（ Q1 ， Q2常见）
- V
DS
100
常见的来源
VGS
=
0
10000
吨 - 我
D
常见的来源
VDD
=
1.5 V
VGS
=
0到1.5伏
Ta
=
25°C
1000
花花公子
（PF ）
Ta
=
25°C
C
电容
10
西塞
科斯
开关时间
t
（纳秒）
f
=
1兆赫
吨
100
tr
tf
CRSS
0
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
漏源电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
（MA ）
P
D
* - TA
300
漏极功耗
P
D
* （ mW）的
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(°C)
* ：总分
4
2007-11-01
HN1K05FU
限制产品使用
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20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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