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HMC716LP3 / 716LP3E
v02.1009
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器, 3.1 - 3.9 GHz的
特点
噪声系数: 1分贝
增益: 18分贝
输出IP3 : +33 dBm的
单电源: + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的QFN封装: 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC716lp3 ( E)是理想的:
固定无线和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
接入点
工作原理图
概述
该HmC716lp3 ( E)是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器,是理想的固定无线
和LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
3.1和3.9 GHz的运行。该放大器
经过优化,提供100分贝的噪音的身影,
18分贝增益,从一个单一的+33 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC716lp3 ( E)可以与+ 3V的偏置为+ 5V和
拥有一个外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。
电气规格
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
T
A
= +25 ° C, Rbias两端= 820Ω当VDD = 5V , Rbias两端= 47K Ω于VDD = 3V
[1]
VDD = 3V +
分钟。
典型值。
3.1 - 3.9
13
17
0.01
1
25
13
12
15
16.5
26
41
55
16
1.3
15.5
马克斯。
分钟。
VDD = 5V +
典型值。
3.1 - 3.9
18
0.01
1
30
16
19
20.5
33
65
90
1.3
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD)
[1] RBIAS电阻设定电流,请参阅应用电路这里
7-1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持:电话: 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC716LP3 / 716LP3E
v02.1009
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器, 3.1 - 3.9 GHz的
增益与温度
[1]
26
24
22
增益(dB )
宽带增益&回波损耗
[1] [2]
30
20
响应( dB)的
10
0
-10
-20
-30
-40
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
7
8
5V
3V
S11
S22
S21
7
+25C
+85C
-40C
20
18
16
14
12
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
增益与温度
[2]
26
24
22
增益(dB )
20
18
16
14
12
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
+25C
+85C
-40C
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
回波损耗(分贝)
-10
+25C
+85C
-40C
-20
-30
-40
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
+25C
+85C
-40C
反向隔离与温度的关系
[1]
-15
-20
隔离度(dB )
-25
-30
-35
-40
-45
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗(分贝)
-10
-15
-20
-25
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
[1] VDD = 5V , RBIAS = 820 Ω
[2] VDD = 3V , RBIAS = 47K Ω
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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7-2
放大器 - 低噪声 - SMT
HMC716LP3 / 716LP3E
v02.1009
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器, 3.1 - 3.9 GHz的
P1dB为与温度的关系
[1] [2]
24
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1] [2] [4]
1.8
1.5
噪声系数(dB )
1.2
0.9
0.6
-40C
+25C
+85C
21
P1dB的( DBM)
18
Vdd=3V
15
0.3
0
3
3.2
Vdd=5V
Vdd=3V
12
+25C
+85C
-40C
9
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
3
3.2
3.4
3.6
3.8
4
频率(GHz )
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
45
41
37
IP3 ( dBm的)
+25C
+85C
-40C
21
PSAT ( DBM)
Vdd=5V
18
33
29
15
Vdd=3V
+25C
+85C
-40C
12
25
Vdd=3V
9
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
21
3
3.2
3.4
3.6
频率(GHz )
3.8
4
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 3300 MHz的
[3]
36
34
32
IP3 ( dBm的)
30
28
26
24
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压( V)
国际直拨电话
IP3
输出IP3和供电电流 -
电源电压@ 3800 MHz的
[3]
95
80
65
IP3 ( dBm的)
IDD (MA )
50
35
20
5
5.5
36
34
32
30
28
26
24
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压( V)
国际直拨电话
IP3
95
80
65
IDD (MA )
50
35
20
5
5.5
[1] VDD = 5V , RBIAS = 820 Ω
[2] VDD = 3V , RBIAS = 47千欧姆
[ 3 ] RBIAS = 820 Ω当VDD = 5V , RBIAS = 47K Ω于VDD = 3V
在评价PCB图中所示[ 4 ]测量基准面。
7-3
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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HMC716LP3 / 716LP3E
v02.1009
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器, 3.1 - 3.9 GHz的
功率压缩@ 3300 MHz的
[2]
35
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
30
25
20
15
10
5
0
-5
-20 -18
-16
-14 -12 -10 -8
-6
-4
输入功率(dBm )
-2
收益
PAE
功率压缩@ 3300 MHz的
[1]
40
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-20
-15
-10
-5
输入功率(dBm )
0
5
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
1.4
1.3
噪声系数(dB )
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
2
功率压缩@ 3300 MHz的
[1]
35
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-20
-16
-12
-8
-4
0
输入功率(dBm )
收益
PAE
功率压缩@ 3800 MHz的
[2]
32
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
26
20
14
8
2
-4
-10
-20
收益
PAE
4
8
-15
-10
-5
输入功率(dBm )
0
5
增益,功率&噪声系数
与电源电压@ 3300 MHz的
[3]
24
22
增益(dB ) &的P1dB ( dBm的)
20
18
16
14
12
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压( V)
NF
P1dB
收益
增益,功率&噪声系数
与电源电压@ 3800 MHz的
[3]
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
5.5
增益(dB ) &的P1dB ( dBm的)
噪声系数(dB )
23
21
19
17
15
13
11
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压( V)
NF
P1dB
收益
5.5
[1] VDD = 5V , RBIAS = 820 Ω
[2] VDD = 3V , RBIAS = 47K Ω
[ 3 ] RBIAS = 820 Ω当VDD = 5V , RBIAS = 47K为3V的Vdd
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7-4
HMC716LP3 / 716LP3E
v02.1009
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器, 3.1 - 3.9 GHz的
增益,噪声系数& Rbias两端@ 3300 MHz的
22
20
Vdd=3V
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 3300 MHz的
40
1.3
1.25
噪声系数(dB )
1.2
1.15
1.1
1.05
1
1000
Rbias两端(欧姆)
10000
100000
36
Vdd=3V
Vdd=5V
IP3 ( dBm的)
增益(dB )
1000
10000
Rbias两端(欧姆)
100000
32
18
16
14
28
24
12
10
100
20
100
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 3800 MHz的
40
增益,噪声系数& Rbias两端@ 3800 MHz的
20
1.25
Vdd=3V
Vdd=5V
36
Vdd=3V
Vdd=5V
18
16
增益(dB )
14
12
1.2
噪声系数(dB )
1.15
1.1
1.05
1
0.95
IP3 ( dBm的)
32
28
24
10
8
100
1000
Rbias两端(欧姆)
10000
20
100
1000
10000
Rbias两端(欧姆)
100000
100000
7-5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HMC716LP3E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
HMC716LP3E
ADI(亚德诺)
22+
37494
原装原厂公司现货
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电话:15321902067
联系人:韩
地址:北京市海淀区上地三街9号E座2层
HMC716LP3E
ADI
22+
19600
全新原装现货期货价格优惠
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
HMC716LP3E
ADI
24+
5000
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
HMC716LP3E
ADI
2024+
9675
优势现货,全新原装进口
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
HMC716LP3E
ADI
21+22+
27000
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885518697 复制

电话:18025408677
联系人:张先生
地址:深圳市福田区赛格广场5610B
HMC716LP3E
Analog Devices Inc.
22+
3852
16-QFN3x3
ADI原厂窗口,华南区一级现货分销商/军用合供方,原
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
HMC716LP3E
ADI/亚德诺
22+
16000
NA
原装正品自家库存
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电话:+86 18025419171
联系人:江小姐
地址:福田区赛格广场5610B
HMC716LP3E
Analog Devices Inc.
22+
3852
16-QFN3x3
ADI原厂窗口,华南区一级现货分销商/军用合供方,原
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
HMC716LP3E
ADI
2023+
700000
16-VFQFN 裸露焊盘
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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2404+
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