【HN1K04FU东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型HN1K04FU高速开关应用模拟开关应用单位：mm·】,IC型号HN1K04FU,HN1K04FU PDF资料,HN1K04FU经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN1K04FU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

HN1K04FU

高速开关应用

模拟开关应用

单位：mm

·

高输入阻抗和极低的驱动电流。

V

th

低，也能够直接驱动，在低电压CMOS 。

: V

th

= 0.8 2.5伏

开关速度快。

适合于高密度安装，因为紧凑的包装中。

最大额定值

（大

=

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

V

DS

V

GSS

I

D

P

D

（注）

T

ch

T

英镑

等级

50

10

50

200

150

-55

150

单位

V

mA

mW

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 6.8毫克

―

2-2J1C

注：总的评价

电气特性

（大

=

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

符号

I

GSS

V

（ BR ） DSS

I

DSS

V

th

Y

fs

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

on

开关时间

t

关闭

测试条件

V

GS

=

10 V, V

DS

=

0 V

I

D

=

100

毫安，

V

GS

=

0 V

V

DS

=

50V, V

GS

=

0 V

V

DS

=

5V ，我

D

=

0.1毫安

V

DS

=

5V ，我

D

=

10毫安

I

D

=

10毫安，V

GS

=

4.0 V

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DD

=

5 V，I

D

=

10毫安，

V

GS

=

0 4.0 V

V

DD

=

5 V，I

D

=

10毫安，

V

GS

=

0 4.0 V

民

50

0.8

20

典型值。

20

6.3

1.3

5.7

0.11

0.15

最大

1

2.5

50

单位

mA

V

mA

V

mS

W

pF

ms

1

2002-01-16

HN1K04FU

等效电路

（ TOP VIEW ）

6

5

4

记号

6

5

4

Q1

Q2

KH

1

（ Q1 ， Q2常见）

2

3

1

2

3

开关时间测试电路

（ a）测试电路

I

D

4V

IN

50

W

R

L

OUT

V

DD

=

5 V

D.U.

＆ LT ;

1%

=

V

IN

: t

r

, t

f

＆ LT ;

5纳秒

(Z

OUT

=

50

W)

常见的来源

Ta

=

25°C

（二）V

IN

V

GS

4V

10%

90%

0

V

DD

10

ms

V

IN

（三）V

OUT

V

DS

V

DS （ ON）

90%

t

r

t

on

t

关闭

10%

V

DD

t

f

2

2002-01-16

HN1K04FU

（ Q1 ， Q2常见）

60

3.0

I

D

– V

DS

常见的来源

1.2

4.0

2.0

1.8

0.8

I

D

– V

DS

（低电压区域）

常见的来源

1.7

Ta

=

25°C

（MA ）

40

2.7

漏电流I

D

漏电流I

D

（MA ）

50

4.0

Ta

=

25°C

1.0

1.65

0.6

VGS

=

1.6 V

0.4

1.55

0.2

1.5

30

2.4

20

VGS

=

2.1 V

10

1.8

0

2

4

6

8

1.5

10

12

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

50

30

I

DR

– V

DS

常见的来源

VGS

=

0

50

30

10

5

3

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0

I

D

– V

GS

Ta

=

100°C

常见的来源

VDS

=

5 V

（MA ）

反向漏电流I

DR

5

3

D

G

I

DR

S

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0

漏电流I

D

（MA ）

10

Ta

=

25°C

25

-25

-0.2

-0.4 -0.6 -0.8

-1.0 -1.2

-1.4

-1.6

-1.8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

GS

(V)

Y

fs

– I

D

100

常见

50

来源

100

50

- V

DS

常见的来源

VGS

=

0

f

=

1兆赫

Ta

=

25°C

10

西塞

5

3

科斯

1

0.5

CRSS

正向转移导纳

Y

fs

（女士）

30

10

5

3

0.5

电容C （PF ）

3

5

10

30

50

100

VDS

=

5 V

Ta

=

25°C

30

1

0.3

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

30

50

漏电流I

D

（MA ）

漏源电压V

DS

(V)

3

2002-01-16

HN1K04FU

（ Q1 ， Q2常见）

V

DS （ ON）

– I

D

3000

常见

1000

来源

1000

吨 - 我

D

漏源电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

（纳秒）

VGS

=

4 V

500

300

Ta

=

25°C

300

花花公子

tf

开关时间t

100

50

30

100

吨

tr

ID VOUT

VIN

10

ms

50

9

RL

30 4 V

0

10

5

0.5

1

3

10

30

100

10

0.3

VIN

1

D.U.

＆ LT ;

1%

=

VIN ： TR ， TF

＆ LT ;

5纳秒

（ ZOUT

=

50

W)

常见的来源

VDD

=

5 V的Ta

=

25°C

10

50

漏电流I

D

（MA ）

漏电流I

D

（MA ）

P

D

* - TA

350

300

漏极功耗

P

D

* （ mW）的

250

200

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度Ta （C ）

* ：总分

4

2002-01-16

HN1K04FU

限制产品使用

000707EAA

·

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

·

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

·

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

·

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

5

2002-01-16

HN1K04FU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

HN1K04FU

高速开关应用

模拟开关应用

单位：mm

高输入阻抗和极低的驱动电流。

V

th

低，也能够直接驱动，在低电压CMOS 。

: V

th

= 0.8 2.5伏

开关速度快。

适合于高密度安装，因为紧凑的包装中。

（ Q1 ， Q2常见）

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

V

DS

V

GSS

I

D

P

D

（注1 ）

T

ch

T

英镑

等级

50

10

50

200

150

55

150

单位

V

mA

mW

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 6.8毫克

―

2-2J1C

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ：总的评价

1

2007-11-01

HN1K04FU

电气特性

（大

=

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

符号

I

GSS

V

（ BR ） DSS

I

DSS

V

th

Y

fs

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

on

开关时间

t

关闭

测试条件

V

GS

=

10 V, V

DS

=

0 V

I

D

=

100

μA,

V

GS

=

0 V

V

DS

=

50V, V

GS

=

0 V

V

DS

=

5V ，我

D

=

0.1毫安

V

DS

=

5V ，我

D

=

10毫安

I

D

=

10毫安，V

GS

=

4.0 V

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DD

=

5 V，I

D

=

10毫安，

V

GS

=

0 4.0 V

V

DD

=

5 V，I

D

=

10毫安，

V

GS

=

0 4.0 V

民

50

0.8

20

典型值。

20

6.3

1.3

5.7

0.11

0.15

最大

1

2.5

50

μs

单位

μA

V

μA

V

mS

Ω

pF

等效电路

（ TOP VIEW ）

6

5

4

记号

6

5

4

Q1

Q2

KH

1

（ Q1 ， Q2常见）

2

3

1

2

3

开关时间测试电路

（ a）测试电路

I

D

4V

IN

50

Ω

R

L

OUT

V

DD

=

5 V

D.U.

＆ LT ;

1%

=

V

IN

: t

r

, t

f

＆ LT ;

5纳秒

(Z

OUT

=

50

Ω)

常见的来源

Ta

=

25°C

（二）V

IN

V

GS

4V

10%

90%

0

V

DD

10

μs

V

IN

（三）V

OUT

V

DS

V

DS （ ON）

90%

t

r

t

on

t

关闭

10%

V

DD

t

f

2

2007-11-01

HN1K04FU

（ Q1 ， Q2常见）

60

3.0

I

D

– V

DS

常见的来源

1.2

4.0

2.0

1.8

0.8

I

D

– V

DS

（低电压区域）

常见的来源

1.7

Ta

=

25°C

（MA ）

40

2.7

I

D

I

D

（MA ）

50

4.0

Ta

=

25°C

1.0

1.65

0.6

VGS

=

1.6 V

0.4

1.55

0.2

1.5

漏电流

2.4

20

VGS

=

2.1 V

10

1.8

0

2

4

6

8

1.5

10

12

漏电流

30

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

50

30

I

DR

– V

DS

常见的来源

VGS

=

0

50

30

10

5

3

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0

I

D

– V

GS

Ta

=

100°C

常见的来源

VDS

=

5 V

（MA ）

I

DR

5

3

D

G

I

DR

S

反向漏电流

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0

漏电流

1

I

D

（MA ）

10

Ta

=

25°C

25

0.2

0.4 0.6 0.8

1.0 1.2

1.4

1.6

1.8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

GS

(V)

Y

fs

– I

D

100

常见

50

来源

VDS

=

5 V

Ta

=

25°C

30

100

50

- V

DS

常见的来源

VGS

=

0

f

=

1兆赫

Ta

=

25°C

10

5

3

科斯

1

0.5

CRSS

西塞

正向转移导纳

Y

fs

（女士）

10

5

3

0.5

电容

1

3

5

10

30

50

100

C

（PF ）

30

0.3

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

30

50

漏电流

I

D

（MA ）

漏源电压

V

DS

(V)

3

2007-11-01

HN1K04FU

（ Q1 ， Q2常见）

V

DS （ ON）

– I

D

3000

1000

常见

来源

吨 - 我

D

1000

漏源电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

（纳秒）

VGS

=

4 V

500

300

Ta

=

25°C

300

花花公子

tf

开关时间

t

100

50

30

100

吨

tr

ID VOUT

VIN

10

μs

50

Ω

RL

D.U.

＆ LT ;

1%

=

VIN ： TR ， TF

＆ LT ;

5纳秒

（ ZOUT

=

50

Ω)

常见的来源

VDD

=

5 V的Ta

=

25°C

10

50

30 4 V

0

10

5

0.5

1

3

10

30

100

10

0.3

VIN

1

漏电流

I

D

（MA ）

漏电流

I

D

（MA ）

P

D

* - TA

350

300

漏极功耗

P

D

* （ mW）的

250

200

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度

Ta

(°C)

* ：总分

4

2007-11-01

HN1K04FU

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701 - EN GENERAL

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

5

2007-11-01

HN1K04FU

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

HN1K04FU

高速开关应用

模拟开关应用

单位：mm

·

高输入阻抗和极低的驱动电流。

V

th

低，也能够直接驱动，在低电压CMOS 。

: V

th

= 0.8 2.5伏

开关速度快。

适合于高密度安装，因为紧凑的包装中。

最大额定值

（大

=

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

符号

V

DS

V

GSS

I

D

P

D

（注）

T

ch

T

英镑

等级

50

10

50

200

150

-55

150

单位

V

mA

mW

°C

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 6.8毫克

―

2-2J1C

注：总的评价

电气特性

（大

=

25 ° C）（ Q1 ， Q2公用）

特征

栅极漏电流

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

符号

I

GSS

V

（ BR ） DSS

I

DSS

V

th

Y

fs

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

on

开关时间

t

关闭

测试条件

V

GS

=

10 V, V

DS

=

0 V

I

D

=

100

毫安，

V

GS

=

0 V

V

DS

=

50V, V

GS

=

0 V

V

DS

=

5V ，我

D

=

0.1毫安

V

DS

=

5V ，我

D

=

10毫安

I

D

=

10毫安，V

GS

=

4.0 V

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

5 V, V

GS

= 0 V，F

=

1兆赫

V

DD

=

5 V，I

D

=

10毫安，

V

GS

=

0 4.0 V

V

DD

=

5 V，I

D

=

10毫安，

V

GS

=

0 4.0 V

民

50

0.8

20

典型值。

20

6.3

1.3

5.7

0.11

0.15

最大

1

2.5

50

单位

mA

V

mA

V

mS

W

pF

ms

1

2002-01-16

HN1K04FU

等效电路

（ TOP VIEW ）

6

5

4

记号

6

5

4

Q1

Q2

KH

1

（ Q1 ， Q2常见）

2

3

1

2

3

开关时间测试电路

（ a）测试电路

I

D

4V

IN

50

W

R

L

OUT

V

DD

=

5 V

D.U.

＆ LT ;

1%

=

V

IN

: t

r

, t

f

＆ LT ;

5纳秒

(Z

OUT

=

50

W)

常见的来源

Ta

=

25°C

（二）V

IN

V

GS

4V

10%

90%

0

V

DD

10

ms

V

IN

（三）V

OUT

V

DS

V

DS （ ON）

90%

t

r

t

on

t

关闭

10%

V

DD

t

f

2

2002-01-16

HN1K04FU

（ Q1 ， Q2常见）

60

3.0

I

D

– V

DS

常见的来源

1.2

4.0

2.0

1.8

0.8

I

D

– V

DS

（低电压区域）

常见的来源

1.7

Ta

=

25°C

（MA ）

40

2.7

漏电流I

D

漏电流I

D

（MA ）

50

4.0

Ta

=

25°C

1.0

1.65

0.6

VGS

=

1.6 V

0.4

1.55

0.2

1.5

30

2.4

20

VGS

=

2.1 V

10

1.8

0

2

4

6

8

1.5

10

12

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

50

30

I

DR

– V

DS

常见的来源

VGS

=

0

50

30

10

5

3

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0

I

D

– V

GS

Ta

=

100°C

常见的来源

VDS

=

5 V

（MA ）

反向漏电流I

DR

5

3

D

G

I

DR

S

1

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

0

漏电流I

D

（MA ）

10

Ta

=

25°C

25

-25

-0.2

-0.4 -0.6 -0.8

-1.0 -1.2

-1.4

-1.6

-1.8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

GS

(V)

Y

fs

– I

D

100

常见

50

来源

100

50

- V

DS

常见的来源

VGS

=

0

f

=

1兆赫

Ta

=

25°C

10

西塞

5

3

科斯

1

0.5

CRSS

正向转移导纳

Y

fs

（女士）

30

10

5

3

0.5

电容C （PF ）

3

5

10

30

50

100

VDS

=

5 V

Ta

=

25°C

30

1

0.3

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

30

50

漏电流I

D

（MA ）

漏源电压V

DS

(V)

3

2002-01-16

HN1K04FU

（ Q1 ， Q2常见）

V

DS （ ON）

– I

D

3000

常见

1000

来源

1000

吨 - 我

D

漏源电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

（纳秒）

VGS

=

4 V

500

300

Ta

=

25°C

300

花花公子

tf

开关时间t

100

50

30

100

吨

tr

ID VOUT

VIN

10

ms

50

9

RL

30 4 V

0

10

5

0.5

1

3

10

30

100

10

0.3

VIN

1

D.U.

＆ LT ;

1%

=

VIN ： TR ， TF

＆ LT ;

5纳秒

（ ZOUT

=

50

W)

常见的来源

VDD

=

5 V的Ta

=

25°C

10

50

漏电流I

D

（MA ）

漏电流I

D

（MA ）

P

D

* - TA

350

300

漏极功耗

P

D

* （ mW）的

250

200

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度Ta （C ）

* ：总分

4

2002-01-16

HN1K04FU

限制产品使用

000707EAA

·

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

·

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

·

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

·

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

5

2002-01-16