韩光
SRAM模块2Mbyte （ 512K ×32位） ， 72PIN SIMM ， 5V
产品型号
HMS51232M4G
HMS51232M4G
概述
该HMS51232M4GG是含有组织在一个32倍位1048576字高速静态随机存取存储器（SRAM）模块
配置。该模块包括四个512K ×8的SRAM安装在一个72针，单面， FR-4印刷电路板。
PD0到PD3识别模块的密度允许互换使用备用密度，行业标准的模块。四个芯片使能
输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于独立地使该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）
可设置存储器的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。读完成
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）低。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可以从一个单一的+ 5V供电
直流电源和所有输入和输出都完全TTL兼容。
特点
w
访问时间： 10，12， 15，17和20
w
高密度2MByte设计
w
高可靠性，高速设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
易内存扩展/ CE和/ OE功能
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
工业标准引脚
w
FR4 - PCB设计
w
部分鉴定
- HMS51232M4G ： SIMM设计
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚分配
符号
NC
NC
PD2
PD3
VSS
PD0
PD1
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
DQ12
DQ4
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
/ WE
A15
A14
/CE2
/CE1
/CE4
/CE3
A17
A16
/ OE
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ27
DQ19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A18
NC
NC
NC
选项
w
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-10
-12
-15
-17
-20
M
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
PD0 =打开
PD1 =打开
PD2 = VSS
PD3 =打开
72引脚的SIMM
顶视图
1
韩光电器有限公司。
韩光
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
HMS51232M4G
等级
-0.5V至+ 7.0V
-0.5V至+ 7.0V
4W
-65oC至+ 150℃
工作温度
T
A
0℃至+ 70℃
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
本说明书中的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
* V
IL
（分钟） = -2.0V （脉冲宽度
为10ns ），因为我
20毫安
**
V
IH
（最大值） = VCC + 2.0V （脉宽
为10ns ），因为我
20毫安
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
（ TA = 0 70 ℃）
民
4.5V
0
2.2
-0.5*
典型值。
5.0V
0
-
-
最大
5.5V
0
Vcc+0.5V**
0.8V
DC及经营特色（ 1 ）
(0oC
TA
70摄氏度; VCC = 5V
±
0.5V )
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
* VCC = 5.0V ，温度= 25℃
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
/ CE = V
IH或/
OE = V
IH
或/ WE = V
IL
V
OUT
= VSS到V
CC
V
OH
= -4.0mA
V
OL
= 8.0毫安
符号
IL
I
IL
0
V
OH
V
OL
民
-2
-2
2.4
最大
2
2
-
0.4
单位
mA
mA
V
V
DC及经营特色（ 2 ）
描述
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
测试条件
分钟。周期， 100 ％占空比
/ CE = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
,
I
OUT
=0mA
分钟。周期/ CE = V
IH
F = 0MHz处， / CE≥V
CC
-0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V或V
IN
0.2V
符号
l
CC
l
SB
l
SB1
最大
-15
170
50
10
-17
165
50
10
-20
160
50
10
单位
mA
mA
mA
3
韩光电器有限公司。
韩光
HSD4M64B4W
同步DRAM模块32Mbyte （ 4Mx64位） ， 144pin SO -DIMM ，
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD4M64B4W
概述
该HSD4M64B4W是4M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 1M ×16位x 4banks一个144引脚的玻璃环氧树脂基板TSOP- II封装400mil同步DRAM 。
两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD4M64B4W是一个SO- DIMM （小型双重内嵌式内存模块） ，并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的存储器系统的应用程序的所有模块，组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD4M64B4W -10：为100MHz （CL = 2）的
HSD4M64B4W -10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD4M64B4W -12： 125MHz的（CL = 3）的
HSD4M64B4W -13： 133MHz的（CL = 3）的
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为1M X 16位X 4Banks SDRAM
URLwww.hbe.co.kr
Rev.0.0
（3月/ 2002）
1
韩光电器有限公司。
韩光
引脚功能说明
针
CLK
/ CS
名字
系统时钟
芯片使能
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
HSD4M64B4W
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
BA0 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
COLUMN
频闪
地址
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
/ WE
写使能
DQM0 7
数据
面膜
输入/输出
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
DQ0 DQ63
VDD / VSS
数据输入/输出
动力
电源/接地
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN，OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
4W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
400mA
注意事项：
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
URLwww.hbe.co.kr
Rev.0.0
（3月/ 2002）
4
韩光电器有限公司。
韩光
直流工作条件
（推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 070 ℃））
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
HSD4M64B4W
单位
V
V
V
V
V
记
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流
I
LI
-12
-
12
uA
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
（ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
±
200毫伏）
描述
时钟
/ RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， CKE ， DQM
地址
DQ （ DQ0 DQ63 ）
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
10
10
10
16
最大
16
20
20
26
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 070 ℃）下
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
（一银行活动）
I
CC1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=10ns
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大）
t
CC
=∞
CKE
≥
V
IH
（分钟）
预充电待机电流在
非掉电模式
I
CC2
N
CS *
≥
V
IH
（ MIN）
t
CC
=10ns
60
mA
4
mA
4
mA
440
440
400
400
mA
1
-13
-12
-10
-10L
VERSION
单位
记
预充电待机电流在
掉电模式
I
CC2
PS
输入信号被改变
在20ns的一次
URLwww.hbe.co.kr
Rev.0.0
（3月/ 2002）
5
韩光电器有限公司。
QQ：2880707522 复制
