HMMC - 3022直流规格/物理性能
(T
A
= 25 ° C，V
CC
- V
EE
= 5.0伏时，除非另有说明）
符号
V
CC
- V
EE
|I
CC
|和| I
EE
|
V
RFIN （ Q）
V
RFOUT （ Q）
V
逻辑
参数和测试条件
工作偏置电源的区别
[1]
偏置电源电流（最高输出功率配置
[2]
: V
PWRSEL
= V
EE
)
偏置电源电流（低输出功率配置： V
PWRSEL
=开）
静态直流电压出现在所有RF端口
标称ECL逻辑电平
(V
逻辑
接触的自偏压，在片上产生）
单位
V
mA
mA
V
V
分钟。
4.5
34
25
典型值。
5.0
40
30
V
CC
马克斯。
6.5
46
35
V
CC
- 1.45
V
CC
- 1.35
V
CC
- 1.25
注意事项：
1.预分频器工作在满规定的电源电压范围。 V
CC
或V
EE
不超过绝对最大额定值部分限制特定网络版。
2.高输出功率CON组fi guration ：P
OUT
= 0 dBm的（V
OUT
= 0.5 V
p-p
） ，低输出功率的配置：P
OUT
= -6.0 dBm的（V
OUT
= 0.25 V
p-p
)
RF连接特定的阳离子
(T
A
= 25 ° C，Z
0
= 50, V
CC
- V
EE
= 5.0伏）
符号
IN （MAX）
IN（分钟）
自振荡器。
参数和测试条件
操作的最大输入频率
操作的最小输入频率
[1]
(P
in
= -10 dBm的）
输出自激振荡频率
[2]
@ DC ， （方波输入）
@
in
= 500兆赫（正弦波输入）
in
= 1至8 GHz
in
= 8至10 GHz的
in
= 10到12 GHz
小信号输入/输出回波损耗
(@
in
< 10千兆赫）
小信号反向隔离
(@
in
<10千兆赫）
SSB相位噪声（ @ P
in
= 0 dBm时， 100 kHz偏置
从
OUT
= 1.2 GHz的载波）
输入信号随时间的变化@零交叉
(
in
= 10 GHz时， P
in
= -10 dBm的）
输出边缘速率（ 10 ％至90％的上升/下降时间）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dBc的/赫兹
ps
ps
分钟。
12
典型值。
14
0.2
6.8
马克斯。
0.3
P
in
-15
-15
-15
-10
-5
>-25
>-20
>-20
>-15
>-10
15
30
-153
1
70
+10
+10
+10
+5
-1
RL
S
12
N
抖动
Τ
r
or
Τ
f
注意事项：
1.对于正弦波输入信号。预分频器将向下运行至DC的方波输入信号。最小分频的频率受输入转换率。
2.预分频器可以在不存在RF输入信号的偏压下呈现出该输出信号。该条件可以通过使用预放大器停用的被淘汰
(V
关闭
）功能，或高差输入去偏置技术。
2
安捷伦HMMC - 3022
DC - 12 GHz的高效率
砷化镓HBT MMIC
分频预分频器
1GC1-8009
数据表
特点
宽的频率范围：
0.2-12千兆赫
高输入功率灵敏度：
片上之前和之后的安培
-20到+10 dBm的（1-8千兆赫）
-15至+10 dBm的（ 8-10千兆赫）
-10至+4 dBm的（ 10-12千兆赫）
双模噘： （片表）
为0 dBm （ 0.5 V
p–p
） @ 40毫安
-6.0 dBm的（ 0.25 V
p–p
） @ 30毫安
低相位噪声：
-153 dBc的/赫兹@ 100 kHz偏置
（ + ）或（ - ）单电源偏置
手术
宽偏置电源电压范围：
4.5到6.5伏特的工作范围
差分I / 0芯片
50 Ω的匹配
芯片尺寸：
芯片尺寸公差：
切屑厚度：
垫尺寸：
1330 X 440微米（ 52.4 X 17.3密耳）
± 10微米（ ± 0.4密耳）
127 ± 15微米（ 5.0 ± 0.6密耳）
70× 70微米（ 2.8× 2.8密耳）
绝对最大额定值
1
(@ T
A
= 25℃ ，除非另有说明）
符号
V
CC
V
EE
参数/条件
偏置电源电压
偏置电源电压
偏置电源台达
前置放大器禁用电压
逻辑阈值电压
CW RF输入功率
直流输入电压
（ @ RF
in
或RF
in
PORTS ）
背面操作温度
储存温度
最高温度大会
（ 60秒以内）。
-40
-65
-7
0
V
EE
V
CC
-1.5
+7
V
CC
V
CC
-1.2
+10
V
CC
±0.5
+85
+165
310
分钟。
马克斯。
+7
单位
伏
伏
伏
伏
伏
DBM
伏
°C
°C
°C
描述
该HMMC - 3022的GaAs HBT MMIC
预分频器提供直流到12 GHz的frequen-
CY翻译中使用通讯
结合tions和电子战系统
高频PLL振荡器电路
和信号路径下变频AP-
并发症。该预分频器提供
大输入功率灵敏度窗口
和低相位噪声。此外
该设备上面列出的特征
提供了一个输入禁止接触焊盘
以消除任何的自激振荡
条件。
V
CC
- V
EE
V
关闭
V
逻辑
P
在（CW）
V
RFIN
T
BS2
T
st
T
最大
笔记
1.操作超出任何参数限制（除了牛逼
BS
）可能会造成永久性损坏设备。
2. MTTF > 1 ×10
6
小时@ T
BS
≤ 85 ℃。运行超过最高工作温度（T
BS
）会降低平均无故障时间。
DC特定网络阳离子/物理性能
(T
A
= 25 ° C，V
CC
– V
EE
= 5.0伏时，除非另有列出）
符号
V
CC
– V
EE
|I
CC
|和| I
EE
|
参数/条件
工作偏置电源的区别
1
偏置电源电流
（高输出功率CON组fi guration
2
： VPwrSel = V
EE
)
偏置电源电流
（低输出功率CON组fi guration ： VPwrSel =开）
V
RFIN （ Q）
V
RFOUT （ Q）
V
逻辑
静态直流电压出现在所有RF端口
标称ECL逻辑电平
(V
逻辑
接触的自偏压，在片上产生）
分钟。
4.5
34
25
典型值。
5.0
40
30
V
CC
马克斯。
6.5
46
35
单位
伏
mA
mA
伏
V
CC
-1.45
V
CC
-1.35
V
CC
-1.25
伏
笔记
1.预分频器工作在满特定网络版电源电压范围，V
CC
或V
EE
不超过绝对最大额定值部分限制特定网络版。
2.高输出功率CON组fi guration ：P
OUT
= 0 dBm的（V
OUT
= 0.5 V
p-p
） 。低输出功率CON组fi guration ：P
OUT
= -6.0 dBm的（V
OUT
= 0.25 V
p-p
)
RF连接特定的阳离子
(T
A
= 25 ° C，Z
0
= 50 , V
CC
– V
EE
= 5.0伏）
符号
IN （MAX）
IN（分钟）
自振荡器。
P
in
参数/条件
操作的最大输入频率
操作的最小输入频率
1
(P
in
= -10 dBm的）
输出自激振荡频率
2
@ DC ， （方波输入）
@
in
= 500兆赫（正弦波输入）
in
= 1至8 GHz
in
= 8至10 GHz的
in
= 10到12 GHz
RL
S
12
φ
N
抖动
T
r
或T
f
小信号输入/输出回波损耗（ @
in
< 10千兆赫）
小信号反向隔离（ @
in
< 10千兆赫）
SSB相位噪声（ @ P
in
= 0 dBm时， 100千赫从偏移量
OUT
= 1.2 GHz的载波）
输入信号随时间的变化@零交叉
(
in
= 10 GHz时， P
in
= -10 dBm的）
输出边缘速率（ 10 ％至90％的上升/下降时间）
-15
-15
-15
-10
-5
分钟。
12
典型值。
14
0.2
6.8
> -25
> -20
> -20
> -15
> -10
15
30
-153
1
70
+10
+10
+10
+5
-1
0.3
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dBc的/赫兹
ps
ps
笔记
1.对于正弦波inpout信号。预分频器将向下运行至DC的方波输入信号。最小分频的频率受输入转换率。
2.预分频器可以在不存在RF输入信号的偏压下呈现出该输出信号。该条件可以通过使用预放大器来消除
禁用（V
关闭
）功能，或差分输入去偏置技术。
2
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