HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： MOS200513
发行日期： 2005年10月1日
修订日期： 2005年10月6日
页页次： 1/4
H9926TS / H9926CTS
双N沟道增强型MOSFET （ 20V ， 6A ）
8引脚塑料
TSSOP-8L
封装代码： TS
H9926TS符号&引脚分配
8
7
6
5
描述
这N沟道2.5V指定的MOSFET是先进的坚固大门版本
沟工艺。它已被优化的电源管理应用与
广泛的栅极驱动电压（ 2.5V - 10V ）
Q2
Q1
1
2
3
4
引脚1 ： 1漏
引脚2 /3： 1来源
引脚4 ： 1号门
引脚5 ： 2门
引脚6/7 ： 2来源
引脚8 ： 2漏
特点
R
DS （ ON）
=40m@V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A ;
DS （ ON）
=30m@V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
对于超低导通电阻高密度电池设计
高功率和电流移交能力
充分界定雪崩电压和电流
非常适用于锂离子电池应用
H9926CTS符号&引脚分配
8
7
6
5
Q2
Q1
1
2
3
4
引脚1 ：漏
引脚2 /3： 1来源
引脚4 ： 1号门
引脚5 ： 2门
引脚6/7 ： 2来源
引脚8 ：漏
应用
电池保护
负荷开关
电源管理
绝对最大额定值
（T = 25℃，除非另有说明）
o
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
R
θJA
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）
漏电流（脉冲）
*1
参数
评级
20
±12
6
30
1.5
0.96
-55到+150
83
单位
V
V
A
A
W
W
°C
° C / W
总功率耗散@T
A
=25
o
C
总功率耗散@T
A
=75
o
C
工作和存储温度范围
热阻结到环境
*2
* 1：最大直流电流受限于包
* 2： 1中
2
2盎司铜PCB板
H9926TS ， H9926CTS
HSMC产品规格
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
TSSOP -8L外形尺寸
D
规格。编号： MOS200513
发行日期： 2005年10月1日
修订日期： 2005年10月6日
页页次： 3/4
H9926TS
标记：
无铅： "
.
＆ QUOT ;
（注）
普通：无
无铅标志
控制代码
数据代码
PIN 1 INDEX
8
7
6
5
E1
Pin1
指数
2
3
4
E
插针形式： 1.S2 2.G2 3.S1 4.G1 5 & 6.D1 7 & 8.D2
暗淡
A
A1
b
C
D
E
E1
e
L
S
分钟。
马克斯。
-
1.20
0.05
0.15
0.19
0.3
0.09
0.20
2.90
3.10
6.20
6.60
4.30
4.50
0.65 BSC
0.45
0.75
o
0
8
o
* ：典型，单位：mm
H9926CTS
标记：
无铅： "
.
＆ QUOT ;
（注）
普通：无
详细F
A1
b
R 0.15
C
座位
飞机
控制代码
数据代码
PIN 1 INDEX
插针形式： 1.S2 2.G2 3.S1 4.G1 5 & & 6 7 & 8.D
A
e
S
L
0.25
详细F
注：绿色标签用于无铅封装
材质：
铅焊料镀层：近共晶Sn60 / Pb40软（普通）
SN / 3.0Ag / 0.5Cu的或纯锡（无铅）
模具化合物：环氧树脂系列，
易燃固体燃烧等级： UL94V- 0
8引脚TSSOP -8L塑料
表面贴装封装
HSMC包装代码： TS
重要通知：
保留所有权利。严禁复制全部或部分不HSMC的事先书面批准。
HSMC保留随时修改其产品，恕不另行通知。
HSMC半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
HSMC自行提供客户产品设计，专利侵权，或申请援助的任何后果不承担任何责任。
总公司及工厂：
总公司
（高诚微电子公司） ： 10F ，没有。 61 ，秒。 2 ，中山北路。台北台湾中华民国
联系电话： 886-2-25212056传真： 886-2-25632712 ， 25368454
工厂1 ：
38号，光复南路，福寇新竹工业园区新竹台。 R.O.C
电话： 886-3-5983621 5传真： 886-3-5982931
H9926TS ， H9926CTS
H 9 9 2 6 CT S
无铅标志
H9 9 2 6 TS
HSMC产品规格
QQ：2881677436 复制
