HMC941
v00.0910
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, 0.1 - 30 GHz的
特点
0.5分贝LSB步骤15.5分贝
单正控制线每位
±0.5 dB的典型误码
高输入IP3 : +45 dBm的
模具尺寸: 2.29 X 0.95 X 0.1毫米
1
衰减器 - 数字 - CHIP
典型应用
该HMC941是理想的:
光纤&电信宽带
微波无线电& VSAT
军用无线电,雷达& ECM
空间应用
工作原理图
概述
该HMC941模是一个宽带5位的砷化镓集成电路digi-
TAL衰减器MMIC芯片。覆盖0.1 30 GHz时,
插入损耗小于4 dB的典型。衰减器
比特的值是0.5 (LSB) ,1,2 ,4,8 ,共计衰减
ATION 15.5分贝。衰减精度非常出色
在小于±0.5 dB的典型一步误差的IIP3
+45 dBm的。五控制电压输入端之间切换
+ 5V和0V,用于选择每个衰减状态。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C,在VDD = 5V + , VSS = -5V & VCTL = 0 / + 5V
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗( RF1 & RF2 ,所有安泰信。国)
衰减精度: (参考插入损耗)
0.5 - 7.5分贝美国
8 - 15.5分贝美国
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
(双音输入功率= 0 dBm的每个音)
开关特性
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON / tOFF的(50%的CTL 10 /90% RF)的
国际直拨电话
国际空间站
0.1 - 30.0 GHz的
0.1 - 30.0 GHz的
3
-4
0.1 - 30.0 GHz的
0.1 - 30.0 GHz的
0.1 - 0.5 GHz的
0.5 - 30.0 GHz的
0.1 - 0.5 GHz的
0.5 - 30.0 GHz的
0.1 - 30.0 GHz的
60
90
5
-6
7
-8
ns
ns
mA
mA
安泰信± 0.3 + 4 % 。设置最大
安泰信± 0.3 ±5 % 。设置最大
22
27
42
45
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
频率(GHz )
0.1 - 18.0 GHz的
18.0 - 30.0 GHz的
0.1 - 30.0 GHz的
0.1 - 30.0 GHz的
分钟。
典型值。
2.5
4.0
15.5
15
马克斯。
3.5
4.8
单位
dB
dB
dB
dB
1-1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
传真: 978-250-3373
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HMC941
v00.0910
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, 0.1 - 30 GHz的
归一化衰减
0
归一化的衰减量(dB )
插入损耗与温度的关系
0
-1
插入损耗(dB )
-2
-3
-4
-5
-6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率(GHz )
(唯一的主要状态示)
1
衰减器 - 数字 - CHIP
1-2
-5
-10
+25 C
+85 C
-55 C
-15
-20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率(GHz )
输入回波损耗
0
(唯一的主要状态示)
输出回波损耗
0
(唯一的主要状态示)
-10
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-10
-20
-20
-30
-30
-40
-40
-50
频率(GHz )
-50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率(GHz )
误码主场迎战衰减状态
1
0.8
0.6
错误(分贝)
误码与频率的关系
1.5
1
错误(分贝)
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
(唯一的主要状态示)
15.5分贝
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
4
8
12
16
衰减状态(分贝)
10 GHz的
20 GHz的
30 GHz的
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率(GHz )
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电话: 978-250-3343
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HMC941
v00.0910
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, 0.1 - 30 GHz的
步骤衰减与衰减状态
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
0
4
8
12
16
衰减状态(分贝)
10 GHz的
20 GHz的
30 GHz的
1
衰减器 - 数字 - CHIP
相对相位与频率的关系
(唯一的主要状态示)
60
50
相对相位( DEG)
40
30
20
10
0
-10
15.5分贝
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率(GHz )
输入IP3过大衰减状态
60
输入IP3与温度
(最小衰减州)
60
步衰减( dB)的
IP3 ( dBm的)
8分贝
15.5分贝
50
IP3 ( dBm的)
50
40
40
+25 C
+85 C
-40 C
30
30
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率(GHz )
20
0.1
1
10
100
频率(GHz )
输入功率0.1 1dB压缩
30
26
P0.1dB ( dBm的)
22
18
14
10
6
0.01
真值表
控制电压输入
P4
8分贝
高
高
高
高
高
低
低
P3
4分贝
高
高
高
高
低
高
低
P2
2分贝
高
高
高
低
高
高
低
P1
1分贝
高
高
低
高
高
高
低
P0
0.5分贝
高
低
高
高
高
高
低
衰减
状态
RF1 - RF2
参考I.L.
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
15.5分贝
0.1
1
频率(GHz )
10
100
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
1-3
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
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v00.0910
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, 0.1 - 30 GHz的
偏置电压电流&
VDD
VSS
+ 5V @ 5毫安
-5V @ 6毫安
绝对最大额定值
RF输入功率(0.5至30千兆赫)
控制电压( P0至P4)的
VDD
VSS
通道温度
热阻
(信道死底部)
储存温度
工作温度
+27 dBm的
VDD + 0.5V
+7伏
-7伏
150 °C
146 ° C / W
-65到+ 150°C
-55至+85°C
1
衰减器 - 数字 - CHIP
1-4
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至0.8V @ 1 μA
2 5V @ 1 μA
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
1.所有尺寸以英寸(毫米) 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.典型的焊盘间距为0.006 “
中心到中心特别注明的除外。
4. BACKSIDE金属化:金
5.背面金属研磨
6.焊盘金属化:金
芯片封装信息
标准
WP- 9 (华夫包)
[1]
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息,请联系赫梯
微波公司。
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v00.0910
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器, 0.1 - 30 GHz的
1
衰减器 - 数字 - CHIP
PAD说明
盘数
功能
GND
描述
模具底部必须被连接到RF接地。
此片是DC耦合,匹配50欧姆。闭塞
电容是必需的,如果射频线电位不等于0V。
接口示意图
1, 9
RF1 , RF2
2
VSS
负偏压-5V
3-7
P0 - P4
见真值表和控制电压表。
8
VDD
正偏差+ 5V
装配图
1-5
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