H8S / 2345系列
H8S / 2345 ， H8S / 2344 ， H8S / 2343 ，
H8S / 2341 ， H8S / 2340
H8S / 2345 F- ZTAT
TM
硬件手册
ADE-602-129A
修订版2.0
1/12/98
株式会社日立制作所
注意事项
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收到最终的设计，购买或之前最新的产品标准或规范
使用。
3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。
然而，与日立公司的销售部门使用该产品在应用之前
特别是要求高品质和可靠性的或在其失效或故障可能直接
威胁到人的生命或身体受伤的风险的原因，如航天，航空，核
动力，燃烧控制，运输，交通，安全设备或医疗设备
生活配套。
4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用
特别是对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射特性，
安装条件等特性。日立承担失败的责任或
使用超出保证范围时损坏。即使在保证范围内，
考虑通常预期的失败率或半导体器件的失效模式和
采用系统性的措施，如故障保险，这样结合日立的设备
产品不因操作造成人身伤害，火灾或其他间接损失
日立的产品。
5，本产品不设计成抗辐射。
6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分
未经日立的书面批准。
7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi任何问题
半导体产品。
主要的修订和增补本版
页面
项
调整
纵观 H8S / 2344 ， H8S / 2341和H8S / 2340增加; F- ZTAT版当前的H8S / 2345
补充说。采用通用名： H8S / 2345系列， H8S / 2345 F- ZTAT硬件
手册。
注意，添加必要说明该H8S / 2340是无ROM版本，
与仅支持MCU运行模式1 ，图4和5 。
注意，添加必要说明，只有H8S / 2345 F- ZTAT版
支持MCU运行模式4至7，10 ，11，14 ，和15（和该模式1至3
（正常模式）不能使用） 。
注释，添加必要指示FWE销仅适用于F-
ZTAT版，那该引脚为
WDTOVF
在ZTAT ，掩模ROM和无ROM
的版本。
注意，添加必要表明TFP- 100G包下
发展。
1至5个
9 13
1.1概述
表1.2引脚功能中的每一个
经营模式
在新增加的修正（资讯
PRODUCTS）
修正
PROM模式引脚名称部分
变
添加闪存模式引脚名称
14至20
表1.3引脚功能
修正
增加F- ZTAT版操作系统的
通过引脚MD2 - MD0模式设置
添加FWE引脚说明
69至72
74
76
76, 77
78
3.1概述
系统控制寄存器2 （ SYSCR2 ） （ F-
ZTAT版本）
3.3.7模式7
3.3.8模式8至3.3.13模式15
表3.3引脚功能在各模式
F- ZTAT的修正（说明和
无ROM版本中添加）
新
注2条修订
新
修正（模式10 ， 11 ， 14 ，和15针
说明添加）
79至90
107
141
3.5存储器映射在每个操作模式修正（信息上新增
PRODUCTS）
表5.3之间的对应
中断源和IPR设置
6.2.5总线控制寄存器L（ BCRL ）
注意修正
第5位修改后的说明书
页面
160
273
项
图等待插入的6.14示例
定时
8.12.2寄存器配置，端口G
数据方向寄存器（ PGDDR ）
调整
修正
修订说明
修正（加表寄存器名称）
第3位修改后的说明书
修正一些错误列
条目（值的3 ％的误差不进入
或以上）
294至309 9.2.3定时器I / O控制寄存器（ TIOR ）
420
12.2.5串行模式寄存器（ SMR ）
429至431表12.3 BRR设置不同的位
价格（异步模式）
441
在异步图12.2数据格式修订
通信（例如8位数据，
奇偶校验，两个停止位）
图12.15示例SCI初始化
流程图
注意补充
461
467
图12.20样的流程
注意修正
同时串口发送和接收
操作
13.2.2串行状态寄存器（ SSR ）
13.2.4串行控制寄存器（ SCR）
位4和2的修订说明
位1和0的修订说明
478, 479
481
483
484
488, 489
图智能修正的13.2示意图
卡接口引脚连接
图13.3智能卡接口数据
格式
修正
表位速率B（比特/秒）修正为13.5实例（ O = 20.00 MHz的列加）
适用于各种BRR设置（当n = 0 ）
BRR设置的表13.6范例
比特率B（比特/秒）（ n = 0时）
491到493 13.3.6数据传输操作，串行修正
数据传输
497, 498
13.3.7
运行在GSM模式
修正（老款13.3.7 ，例
使用软件待机模式，取而代之
新的一节）
位7和6的描述中经修正的
（ 1 ）修订的设定范围模拟
电源引脚等。
模块停止模式（ 2 ）删除
中断
529
532
15.2.2 D / A控制寄存器（ DACR ）
15.4使用注意事项
第5位的描述修正
新
510
14.2.3
A / D控制寄存器（ ADCR ）
519 524 14.6使用注意事项
页面
533
534
535
全
第17节
全
第20节
项
16.1概述
图的RAM 16.1框图
（ H8S / 2345高级模式）
16.3操作
第17节ROM
调整
修订说明（资讯
新添加的产品）
图中的标题修订
修订说明（资讯
新添加的产品）
增加了新的快闪记忆体的描述，部分内容和布局完整版本
第20节电气特性
用作电气特性ZTAT ，掩模ROM和无ROM先前的文本
版本;新的F - ZTAT版的电气特性加入。
"Preliminary"符号删除和"TBD"替换为ZTAT值，掩模ROM ，
和无ROM版本。
666
669
675
图20.9复位输入时序
图20.12基本总线时序（三
国家访问）
图20.24 SCK时钟输入时序
修正
修正（T
WDS
规范）
修正（T
SCKW
规范）
修正（替换为最新版）
使用F-修正（加寄存器
ZTAT版）
修正
添加使用的F- ZTAT寄存器
VERSION
对中断优先级修订的音符
寄存器A -K
677到752附录A指令集
753到759 B.1地址
760到858 B.2功能
893
在新增加的表F.1 H8S / 2345系列产品代码修订（资讯
阵容
PRODUCTS）
QQ：2881677436 复制
