HMC939
v00.0910
1.0分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， 0.1 - 40 GHz的
特点
1.0分贝LSB步骤31分贝
单正控制线每位
±1.0 dB的典型误码
高输入IP3 ： +43 dBm的
模具尺寸： 2.36 X 1.02 X 0.1毫米
1
衰减器 - 数字 - CHIP
典型应用
该HMC939是理想的：
光纤&电信宽带
微波无线电& VSAT
军用无线电，雷达& ECM
空间应用
工作原理图
概述
该HMC939模是一个宽带5位的砷化镓集成电路
数字衰减器MMIC芯片。覆盖0.1至40千兆赫，
插入损耗小于5 dB的典型。该
衰减器的位值是1.0 （LSB） ，2，4 ，8，16为一
31 dB的衰减。衰减精度
擅长小于±1.0 dB的典型一步误差
+43 dBm的IIP3 。五个控制电压输入，
+ 5V和0V之间切换，用于选择各
衰减状态。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，在VDD = 5V + ， VSS = -5V & VCTL = 0 / + 5V
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗（ RF1 & RF2 ，所有安泰信。国）
衰减精度： （参考插入损耗）
1.0 - 15分贝状态
16 - 31分贝美国
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
（双音输入功率= 0 dBm的每个音）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON / tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
国际直拨电话
国际空间站
0.1 - 40 GHz的
0.1 - 40 GHz的
3
-4
0.1 - 40 GHz的
0.1 - 40 GHz的
0.1 - 0.5 GHz的
0.5 - 40.0 GHz的
0.1 - 0.5 GHz的
0.5 - 40.0 GHz的
0.1 - 40 GHz的
60
90
5
-6
7
-8
ns
ns
mA
mA
安泰信± 0.5 ±5 ％ 。设置最大
安泰信± 0.6 + 6 ％ 。设置最大
20
25
40
43
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
频率（GHz ）
0.1 - 18 GHz的
18 - 40 GHz的
0.1 - 40 GHz的
0.1 - 40 GHz的
分钟。
典型值。
3.5
6.0
31
12
马克斯。
5.0
7.5
单位
dB
dB
dB
dB
1-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC939
v00.0910
1.0分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， 0.1 - 40 GHz的
归一化衰减
0
归一化的衰减量（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
插入损耗与温度的关系
0
-1
插入损耗（dB ）
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
（唯一的主要状态示）
1
衰减器 - 数字 - CHIP
1-2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率（GHz ）
输入回波损耗
0
（唯一的主要状态示）
输出回波损耗
0
（唯一的主要状态示）
-10
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-10
-20
-20
-30
-30
-40
-40
-50
频率（GHz ）
-50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率（GHz ）
误码主场迎战衰减状态
2
1.6
1.2
错误（分贝）
误码与频率的关系
3
2
31分贝
（唯一的主要状态示）
错误（分贝）
0.8
0.4
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
0
4
8
12
16
20
24
28
32
衰减状态（分贝）
10 GHz的
20 GHz的
40 GHz的
1
0
-1
-2
-3
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC939
v00.0910
1.0分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， 0.1 - 40 GHz的
步骤衰减与衰减状态
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
-0.4
0
4
8
12
16
20
24
28
32
衰减状态（分贝）
10 GHz的
20 GHz的
40 GHz的
1
衰减器 - 数字 - CHIP
相对相位与频率的关系
（唯一的主要状态示）
160
140
相对相位（ DEG）
120
100
80
60
40
20
0
-20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
31分贝
频率（GHz ）
输入IP3过大衰减状态
60
输入IP3与温度
（最小衰减州）
60
50
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
步衰减（ dB）的
50
40
40
+25 C
+85 C
-40 C
30
30
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
频率（GHz ）
20
0.1
1
10
100
频率（GHz ）
输入功率0.1 1dB压缩
28
24
P0.1dB （ dBm的）
20
16
12
8
4
0.01
0.1
1
频率（GHz ）
10
100
1-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC939
v00.0910
1.0分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， 0.1 - 40 GHz的
真值表
偏置电压电流&
VDD
VSS
+ 5V @ 5毫安
-5V @ 6毫安
1
高
高
高
低
高
高
低
高
高
低
高
高
高
低
高
低
高
高
高
高
低
参考I.L.
1分贝
2分贝
4分贝
5分贝
16分贝
31分贝
控制电压输入
P4
16分贝
高
高
高
高
高
低
低
P3
8分贝
高
高
高
高
低
高
低
P2
4分贝
P1
2分贝
P0
1分贝
控制电压
状态
低
高
偏置条件
0至0.8V @ 1 μA
2 5V @ 1 μA
绝对最大额定值
RF输入功率（ 0.540千兆赫）
控制电压（ P0至P4）的
VDD
VSS
通道温度
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+25 dBm的
VDD + 0.5V
+7伏
-7伏
150 °C
144 ° C / W
-65到+ 150°C
-55至+85°C
在上述状态中的任何组合将提供一个衰减
近似等于所选择的比特的总和。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
标准
WP- 9 （华夫包）
[1]
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分芯片封装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯Microwave公司。
1.所有尺寸以英寸（毫米） 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.典型的焊盘间距为0.006 “
中心到中心特别注明的除外。
4. BACKSIDE金属化：金
5.背面金属研磨
6.焊盘金属化：金
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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1-4
衰减器 - 数字 - CHIP
衰减
状态
RF1 - RF2
HMC939
v00.0910
1.0分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
衰减器， 0.1 - 40 GHz的
1
衰减器 - 数字 - CHIP
PAD说明
盘数
功能
GND
描述
模具底部必须被连接到RF接地。
此片是DC耦合，匹配50欧姆。闭塞
电容是必需的，如果射频线电位不等于0V。
接口示意图
1, 9
RF1 ， RF2
2
VSS
负偏压-5V
3-7
P0 - P4
见真值表和控制电压表。
8
VDD
正偏差+ 5V
装配图
1-5
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