HMC622LP4
/
622LP4E
v01.0508
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
IF & LO放大器, 1.8 - 3.9 GHz的
典型应用
该HMC622LP4 / HMC622LP4E是理想的:
PCS / 3G基础设施
基站&中继器
WiMAX的无线宽带&
特点
高输入IP3 : +23 dBm的
低输入LO驱动: 0至+6 dBm的
高LO至RF隔离: 33分贝
高转换增益: 9分贝
可用于上变频或下变频
24引脚的4x4mm表面贴装封装:16毫米
2
9
调音台 - 高IP3 - SMT
宽带&固定无线
工作原理图
概述
该HMC622LP4E是一个高度集成的转换器
芯片,工作于1.8 3.9 GHz的两个向上
转换和下变频应用。该
HMC622LP4E采用了高动态范围,
双平衡混频器内核集成了LO和
IF放大器,使其成为理想的小型收发器
在GSM,WCDMA, TD-SCDMA, WiBro的应用
和WiMAX。这款多功能转换器RFIC工作
只有3 dBm的低LO输入功率电平,亲
志愿组织达10 dB转换增益,展品23
dBm的输入IP3在变频模式。该RFIC
提供高达12 dB转换增益在上变频器
模式。具体的评估电路板可用于
两个变频和下变频模式。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, LO = +3 dBm时, VddIF BIAS = = + 5V *
参数
频率范围, RF , LO
频率范围,中频
转换增益
噪声系数( SSB ) , IF = 468 MHz的
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
1 dB压缩(输入) , IF = 400 MHz的
LO输入驱动电平(典型值)
电源电流( IddIF + IBIAS )
27
3
5
分钟。
典型值。
1.8 - 3.9
200 - 550
9
10
33
11
23
12
0至6
175
220
马克斯。
单位
GHz的
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
*除非另有说明,作为下变频器和的配gured进行所有的测量中所示的下转换器模式应用
电路, IF = 250兆赫
9 - 372
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC622LP4 / 622LP4E
v01.0508
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
IF & LO放大器, 1.8 - 3.9 GHz的
转换增益与温度的关系
15
隔离
10
0
RF至IF
LO至RF
LO至IF
转换增益(dB )
10
隔离度(dB )
-10
-20
-30
-40
-5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
-50
1
1.5
2
2.5
3
3.5
5
+25C
+85C
-40C
0
9
4
4.5
射频频率( GHz)的
转换增益与LO驱动
15
回波损耗
0
-5
回波损耗(分贝)
10
-10
-15
-20
-25
-30
RF
LO
5
LO = -3 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = +3 dBm的
LO = +6 dBm的
LO = +9 dBm的
0
-5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
频率(GHz )
上变频器性能
转换增益与LO驱动
15
IF带宽, LO = 2 GHz的
15
10
响应( dB)的
转换增益(dB )
10
5
0
-5
-10
-15
0.2
转换增益
回波损耗
5
LO = -3 dBm的
LO = 0 dBm的
LO = +3 dBm的
LO = +6 dBm的
LO = +9 dBm的
0
-5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
0.3
0.4
IF频率(GHz )
0.5
0.6
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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9 - 373
调音台 - 高IP3 - SMT
转换增益(dB )
HMC622LP4 / 622LP4E
v01.0508
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
IF & LO放大器, 1.8 - 3.9 GHz的
输入IP3与温度
35
30
25
20
15
10
+25C
+85C
- 40C
输入IP3主场迎战LO驱动器
35
30
25
IP3 ( dBm的)
20
15
10
5
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
+9 dBm的
9
调音台 - 高IP3 - SMT
IP3 ( dBm的)
5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
输入IP2与温度的关系
90
80
70
IP2 ( dBm的)
60
50
40
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
输入IP2主场迎战LO驱动器
90
80
70
IP2 ( dBm的)
60
50
40
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
- 3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
+6 dBm的
+9 dBm的
+25C
+85C
- 40C
输入P1dB为与温度的关系, IF = 250 MHz的
18
15
P1dB的( DBM)
12
9
6
3
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
+25C
+85C
- 40C
输入P1dB为与温度的关系, IF = 400 MHz的
18
15
P1dB的( DBM)
12
9
6
3
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
射频频率( GHz)的
+25C
+85C
-40C
9 - 374
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC622LP4 / 622LP4E
v01.0508
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
IF & LO放大器, 1.8 - 3.9 GHz的
MXN虚假@ IF端口
非线性光学
MRF
0
1
2
3
4
0
xx
6
83
114
118
1
1
0
47
113
119
2
38
27
41
74
119
3
18
47
57
60
94
4
336
66
68
77
99
LO谐波
非线性光学马刺@ RF端口
LO频率。 (千兆赫)
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.6
3.0
3.4
3.8
1
39
35
34
32
33
33
31
33
31
2
20
17
17
17
18
26
17
19
26
3
26
28
38
33
27
35
38
37
38
4
37
27
38
42
44
41
40
39
43
9
调音台 - 高IP3 - SMT
9 - 375
RF频率。 = 2.1 GHz的@ -10 dBm的
LO频率。 = 2.0 GHz的@ +3 dBm的
在dBc的所有值相对于中频功率电平。
LO = +3 dBm的
以dBc以下输入LO电平值的所有测量RF端口。
绝对最大额定值
射频/混合IF输入( VddiF = + 5V )
LO驱动器( BIAS = + 5V )
IFIN
BIAS
VDD IF
结温
连续PDISS (T = 85°C )
(减免14.9毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(结点到地面桨)
储存温度
工作温度
静电放电敏感度( HBM )
+22 dBm的
+10 dBm的
+15 dBm的
+7伏
8伏
150 °C
0.97 W
67.2 ° C / W
-65到+ 150°C
-40至+ 85°C
1A级
典型电源电流
VddIF , BIAS
+5
IddIF + IBIAS
175毫安
静电敏感器件
观察处理注意事项
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v01.0508
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
IF & LO放大器, 1.8 - 3.9 GHz的
外形绘图
9
调音台 - 高IP3 - SMT
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC622LP4
HMC622LP4E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H622
XXXX
H622
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
引脚说明
引脚数
1, 2, 4, 5, 6, 8,
11, 14, 15, 19,
20, 22 - 24
功能
N / C
描述
无连接。这些引脚可以连接到
RF地。性能也不会受到影响。
接口示意图
3
RF
该引脚的直流耦合,
匹配到50欧姆。
9 - 376
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