HMC819LC5
v01.1209
砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
特点
高转换增益： 15分贝
优秀的边带抑制： -35 dBc的
2 LO至RF隔离： 12分贝
高输出IP3 ： +35 dBm的
32引脚5×5毫米表面贴装陶瓷封装： 25平方毫米
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
典型应用
该Hmc819Lc5是理想的：
点至点和点对多点广播
军用雷达，电子战& ELINT
卫星通信
传感器
工作原理图
概述
该Hmc819Lc5是一款紧凑型的GaAs MMIC I / Q
变频器在合规SMT无铅ROHS
封装。该器件提供了一个小型的信号CON-
15dB的增益版本与-35 dBc的边带
排斥反应。该Hmc819Lc5利用驱动放大器
前面有一个I / Q混频器，其中所述本振由从动
积极X2乘数。 IF1和IF2混频器的输入是
提供与外部90 °混合是需要
选择所需的边带。在I / Q混频器拓扑
减少了对无用的滤波
边带。该Hmc819Lc5是一个小得多的
替代混合风格单边带上变频器
组件，它省去了导线
通过允许使用的表面接装MAN-
ufacturing技术。
IF = 2500 MHz的LO = +7 dBm时， VGG1 = -1.7V VDD1 ， 2 ， 3 = + 5V ， + IDD2 IDD3 = 270毫安USB
[1][3]
参数
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益
边带抑制
1 dB压缩（输出）
2 LO至RF隔离
2 LO至IF隔离
[2]
IP3 （输出）
电源电流IDD1
电源电流IDD2 + IDD3
[3]
19
11
分钟。
典型值。
17.7 - 23.6
6.6 - 11.6
DC - 3.75
15
-35
23
12
20
35
95
270
120
300
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dBc的
DBM
dB
dB
DBM
mA
mA
电气规格
[1][2]
,
T
A
= +25°C
[1]除非另有说明高边LO进行的所有测量， IF = 2500 MHz和外部IF 90 °混合。
[ 2 ]数据没有采取外部IF 90 °混合。
[ 3 ]调整-2之间vgg2为0V ，实现IDD2 + IDD3 = 270 mA典型。
9-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
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砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 2500 MHz的
转换增益， USB与温度的关系
25
转换增益， USB与LO驱动器
25
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
9-2
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
20
20
15
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
10
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
5
17
18
19
20
21
22
23
24
5
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
转换增益， USB与Vdd的
25
RF回波损耗随温度的变化
0
转换增益（dB ）
15
回波损耗（分贝）
20
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-20
10
4.5V
5.0V
5.5V
-30
5
17
18
19
20
21
22
23
24
-40
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
LO回波损耗随温度的变化
0
IF回波损耗
[1]
0
回波损耗（分贝）
-20
回波损耗（分贝）
-10
-10
IF1
IF2
-20
-30
+25 C
+85 C
-40 C
-30
-40
8
9
10
11
12
-40
0
1
2
3
4
LO频率（GHz ）
IF频率（GHz ）
[1 ]数据没有采取外部IF 90 °混合
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
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砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 2500 MHz的
边带抑制（ DBC）
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
边带抑制与温度的关系
0
+25 C
+85 C
-40 C
-10
输入的P1dB ， USB与温度的关系
20
15
P1dB的（ DBM）
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-30
10
-40
5
-50
0
17
18
19
20
21
22
23
24
17
18
19
20
21
22
23
24
-60
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输出P1dB为， USB与温度的关系
30
输入IP3 ， USB与温度的关系
35
+25 C
+85 C
-40 C
30
25
P1dB的（ DBM）
25
20
IP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
-40 C
17
18
19
20
21
22
23
24
20
15
15
10
10
5
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输出IP3 ， USB与温度的关系
45
40
输入IP3 ， USB与LO驱动器
35
30
35
25
IP3 （ dBm的）
30
+25 C
+85 C
-40 C
IP3 （ dBm的）
20
25
15
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
20
10
15
17
18
19
20
21
22
23
24
5
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
9-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 2500 MHz的
输出IP3 ， USB与LO驱动器
45
40
输入IP3 ， USB与Vdd的
35
30
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
9-4
35
25
4.5V
5.0V
5.5V
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
30
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
20
25
15
20
10
15
17
18
19
20
21
22
23
24
5
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输出IP3 ， USB与Vdd的
45
40
隔离带2LO
[1]
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2LO/RF
2LO/IF1
2LO/IF2
35
30
4.5V
5.0V
5.5V
25
20
15
17
18
19
20
21
22
23
24
隔离度（dB ）
IP3 （ dBm的）
6
7
8
9
10
11
12
射频频率（ GHz）的
LO频率（GHz ）
隔离带LO
[1]
0
LO / RF
LO/IF1
LO/IF2
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
6
7
8
9
10
11
12
LO频率（GHz ）
[1 ]数据没有采取外部IF 90 °混合
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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v01.1209
砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 100 MHz的
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
转换增益， USB与温度的关系
25
转换增益， USB与LO驱动器
25
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
20
20
15
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
10
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
5
5
0
17
18
19
20
21
22
23
24
0
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
转换增益， USB与Vdd的
25
边带抑制与温度的关系
0
转换增益（dB ）
20
边带抑制（ DBC）
-10
+25C
+85C
-40C
15
4.5V
5.0V
5.5V
-20
10
5
-30
0
17
18
19
20
21
22
23
24
-40
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输入IP3 ， USB与温度的关系
25
输出IP3 ， USB与温度的关系
40
20
35
IP3 （ dBm的）
15
IP3 （ dBm的）
30
+25 C
+85 C
-40 C
10
25
5
+25 C
+85 C
-40 C
20
0
17
18
19
20
21
22
23
24
15
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
9-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v01.1209
砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
特点
高转换增益： 15分贝
优秀的边带抑制： -35 dBc的
2 LO至RF隔离： 12分贝
高输出IP3 ： +35 dBm的
32引脚5×5毫米表面贴装陶瓷封装： 25平方毫米
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
典型应用
该Hmc819Lc5是理想的：
点至点和点对多点广播
军用雷达，电子战& ELINT
卫星通信
传感器
工作原理图
概述
该Hmc819Lc5是一款紧凑型的GaAs MMIC I / Q
变频器在合规SMT无铅ROHS
封装。该器件提供了一个小型的信号CON-
15dB的增益版本与-35 dBc的边带
排斥反应。该Hmc819Lc5利用驱动放大器
前面有一个I / Q混频器，其中所述本振由从动
积极X2乘数。 IF1和IF2混频器的输入是
提供与外部90 °混合是需要
选择所需的边带。在I / Q混频器拓扑
减少了对无用的滤波
边带。该Hmc819Lc5是一个小得多的
替代混合风格单边带上变频器
组件，它省去了导线
通过允许使用的表面接装MAN-
ufacturing技术。
IF = 2500 MHz的LO = +7 dBm时， VGG1 = -1.7V VDD1 ， 2 ， 3 = + 5V ， + IDD2 IDD3 = 270毫安USB
[1][3]
参数
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益
边带抑制
1 dB压缩（输出）
2 LO至RF隔离
2 LO至IF隔离
[2]
IP3 （输出）
电源电流IDD1
电源电流IDD2 + IDD3
[3]
19
11
分钟。
典型值。
17.7 - 23.6
6.6 - 11.6
DC - 3.75
15
-35
23
12
20
35
95
270
120
300
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dBc的
DBM
dB
dB
DBM
mA
mA
电气规格
[1][2]
,
T
A
= +25°C
[1]除非另有说明高边LO进行的所有测量， IF = 2500 MHz和外部IF 90 °混合。
[ 2 ]数据没有采取外部IF 90 °混合。
[ 3 ]调整-2之间vgg2为0V ，实现IDD2 + IDD3 = 270 mA典型。
9-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC819LC5
v01.1209
砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 2500 MHz的
转换增益， USB与温度的关系
25
转换增益， USB与LO驱动器
25
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
9-2
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
20
20
15
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
10
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
5
17
18
19
20
21
22
23
24
5
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
转换增益， USB与Vdd的
25
RF回波损耗随温度的变化
0
转换增益（dB ）
15
回波损耗（分贝）
20
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-20
10
4.5V
5.0V
5.5V
-30
5
17
18
19
20
21
22
23
24
-40
16
17
18
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20
21
22
23
24
25
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
LO回波损耗随温度的变化
0
IF回波损耗
[1]
0
回波损耗（分贝）
-20
回波损耗（分贝）
-10
-10
IF1
IF2
-20
-30
+25 C
+85 C
-40 C
-30
-40
8
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11
12
-40
0
1
2
3
4
LO频率（GHz ）
IF频率（GHz ）
[1 ]数据没有采取外部IF 90 °混合
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砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 2500 MHz的
边带抑制（ DBC）
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
边带抑制与温度的关系
0
+25 C
+85 C
-40 C
-10
输入的P1dB ， USB与温度的关系
20
15
P1dB的（ DBM）
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-30
10
-40
5
-50
0
17
18
19
20
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22
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17
18
19
20
21
22
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24
-60
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输出P1dB为， USB与温度的关系
30
输入IP3 ， USB与温度的关系
35
+25 C
+85 C
-40 C
30
25
P1dB的（ DBM）
25
20
IP3 （ dBm的）
+25 C
+85 C
-40 C
17
18
19
20
21
22
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24
20
15
15
10
10
5
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输出IP3 ， USB与温度的关系
45
40
输入IP3 ， USB与LO驱动器
35
30
35
25
IP3 （ dBm的）
30
+25 C
+85 C
-40 C
IP3 （ dBm的）
20
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15
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
20
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5
17
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20
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22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
9-3
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17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 2500 MHz的
输出IP3 ， USB与LO驱动器
45
40
输入IP3 ， USB与Vdd的
35
30
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
9-4
35
25
4.5V
5.0V
5.5V
IP3 （ dBm的）
IP3 （ dBm的）
30
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
20
25
15
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10
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18
19
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24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输出IP3 ， USB与Vdd的
45
40
隔离带2LO
[1]
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
2LO/RF
2LO/IF1
2LO/IF2
35
30
4.5V
5.0V
5.5V
25
20
15
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21
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23
24
隔离度（dB ）
IP3 （ dBm的）
6
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11
12
射频频率（ GHz）的
LO频率（GHz ）
隔离带LO
[1]
0
LO / RF
LO/IF1
LO/IF2
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
6
7
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11
12
LO频率（GHz ）
[1 ]数据没有采取外部IF 90 °混合
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
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HMC819LC5
v01.1209
砷化镓MMIC I / Q上变频器
17.7 - 23.6 GHz的
作为单边带上变频器与外部IF 90 °混合数据， IF = 100 MHz的
9
搅拌机 - I / Q混频器， IRMS &接收器 - SMT
转换增益， USB与温度的关系
25
转换增益， USB与LO驱动器
25
转换增益（dB ）
转换增益（dB ）
20
20
15
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
10
5 dBm的
7 dBm的
9 dBm的
5
5
0
17
18
19
20
21
22
23
24
0
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
转换增益， USB与Vdd的
25
边带抑制与温度的关系
0
转换增益（dB ）
20
边带抑制（ DBC）
-10
+25C
+85C
-40C
15
4.5V
5.0V
5.5V
-20
10
5
-30
0
17
18
19
20
21
22
23
24
-40
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
输入IP3 ， USB与温度的关系
25
输出IP3 ， USB与温度的关系
40
20
35
IP3 （ dBm的）
15
IP3 （ dBm的）
30
+25 C
+85 C
-40 C
10
25
5
+25 C
+85 C
-40 C
20
0
17
18
19
20
21
22
23
24
15
17
18
19
20
21
22
23
24
射频频率（ GHz）的
射频频率（ GHz）的
9-5
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