HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
典型应用
特点
高输出IP3 ： 40 dBm的
单正电源： + 5V
低噪声系数： 2.5分贝
[1]
差分RF I / O的
20引脚4×4毫米表面贴装封装： 16mm
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
该Hmc770lp4Be是理想的：
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线WLAN &
CATV ，电缆调制解调器& DBS
微波无线电&测试设备
如果&射频应用
工作原理图
概述
该Hmc770lp4Be是GaAs PHEMT差
增益块MMIC放大器覆盖40 MHz到1
GHz和封装在一个4x4毫米的塑料QFN表面贴装
封装。这种多功能的放大器可以被用作一个
如果级联或RF增益级两个50欧姆和
75欧姆的应用。该Hmc770lp4Be提供
16分贝增益和40 dBm的输出，只有2.5分贝
噪声系数。差分I / O的使该放大器的理想
为阻和SAW滤波器应用，并
在收发器所在的路径，如果必须处理
差异改善噪声性能。
评估电路板都可以既SMA
（ 50Ω ）或F型（ 75Ω ）连接器。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = VDD1 = VDD2 = + 5V ， Rbias两端= R1 = 200 Ω
[2]
分钟。
参数
ZO = 50欧姆
频带
收益
[2]
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（噘嘴=每基调为0 dBm ， 1兆赫间距）
噪声系数
[2]
互
输入参考噪声电流
[3]
电源电流1 （ IDD1 ）
电源电流2 （ IDD2 ）
20
12
0.04 - 1
16.5
0.006
17
18
23
40
2.5
-
-
136
134
160
160
4
21
12
ZO = 75欧姆
0.04 - 1
16
0.008
15
15
23.5
37.5
2.75
700
6
136
134
160
160
4
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
dB
欧
PA / √Hz的
mA
mA
典型值。
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
[1] 1 ： 1巴伦损失尚未从测量中删除。见的材料清单的eval PCB对平衡不平衡转换器的类型。
[ 2 ]参见应用电路
[ 3 ]包括不平衡变压器损耗，没有光敏二极管。见的材料清单的eval PCB对平衡不平衡转换器的类型。
8 - 202
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
获得&回波损耗
[1]
20
增益与温度
[1]
20
8
+25C
+85C
-40C
10
响应（ dB）的
增益（dB ）
S21
S11
S22
15
0
10
-10
5
-20
-30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
增益与Vdd的
[1]
20
增益与Rbias两端
20
15
增益（dB ）
增益（dB ）
15
10
4.5V
5.0V
5.5V
10
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
5
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
S11
回波损耗与Vdd的
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
+25C
+85C
-40C
S22
-10
-15
-20
-25
-30
4.5V
5.0V
5.5V
S22
S11
-25
-30
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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8 - 203
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
回波损耗主场迎战Rbias两端
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
S11
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
隔离与Rbias两端
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
S22
-25
-30
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
噪声系数与温度
8
[1]
噪声系数与温度低
频率
[1][2]
8
噪声系数（dB ）
噪声系数（dB ）
6
+25C
+85C
-40C
6
+25C
+85C
-40C
4
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
噪声系数与Vdd的
[1]
8
噪声系数与Vdd的低频
[1][2]
8
噪声系数（dB ）
4
噪声系数（dB ）
6
4.5V
5.0V
5.5V
6
4.5V
5.0V
5.5V
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路。
[ 2 ]参见应用电路的调整低频。
8 - 204
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
噪声系数主场迎战Rbias两端
8
噪声系数主场迎战Rbias两端低
频率
[2]
8
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8 - 205
噪声系数（dB ）
4
噪声系数（dB ）
6
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
6
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
P1dB为与温度的关系
[1]
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
+25C
+85C
-40C
P1dB为与Vdd的
[1]
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
4.5V
5.0V
5.5V
P1dB的（ DBM）
的P1dB主场迎战Rbias两端
[1]
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路。
[ 2 ]参见应用电路的调整低频。
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
输出IP3与温度的关系
[1]
输出IP3与Vdd的
[1]
50
45
40
35
30
+25C
+85C
-40C
4.5V
5.0V
5.5V
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
IP3 （ dBm的）
50
45
40
35
30
25
20
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
IP3 （ dBm的）
25
20
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
输出IP3主场迎战Rbias两端
50
45
40
IDD主场迎战Rbias两端
400
350
300
4.5 V
5.0 V
5.5 V
IP3 （ dBm的）
IDD （MA ）
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
250
200
150
35
30
100
25
20
0
0.2
50
0
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
RBIAS （欧姆）
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路
8 - 206
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC770LP4BE
v00.0909
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
典型应用
特点
高输出IP3 ： 40 dBm的
单正电源： + 5V
低噪声系数： 2.5分贝
[1]
差分RF I / O的
20引脚4×4毫米表面贴装封装： 16mm
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
该Hmc770lp4Be是理想的：
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线WLAN &
CATV ，电缆调制解调器& DBS
微波无线电&测试设备
如果&射频应用
工作原理图
概述
该Hmc770lp4Be是GaAs PHEMT差
增益块MMIC放大器覆盖40 MHz到1
GHz和封装在一个4x4毫米的塑料QFN表面贴装
封装。这种多功能的放大器可以被用作一个
如果级联或RF增益级两个50欧姆和
75欧姆的应用。该Hmc770lp4Be提供
16分贝增益和40 dBm的输出，只有2.5分贝
噪声系数。差分I / O的使该放大器的理想
为阻和SAW滤波器应用，并
在收发器所在的路径，如果必须处理
差异改善噪声性能。
评估电路板都可以既SMA
（ 50Ω ）或F型（ 75Ω ）连接器。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = VDD1 = VDD2 = + 5V ， Rbias两端= R1 = 200 Ω
[2]
分钟。
参数
ZO = 50欧姆
频带
收益
[2]
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（噘嘴=每基调为0 dBm ， 1兆赫间距）
噪声系数
[2]
互
输入参考噪声电流
[3]
电源电流1 （ IDD1 ）
电源电流2 （ IDD2 ）
20
12
0.04 - 1
16.5
0.006
17
18
23
40
2.5
-
-
136
134
160
160
4
21
12
ZO = 75欧姆
0.04 - 1
16
0.008
15
15
23.5
37.5
2.75
700
6
136
134
160
160
4
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
dB
欧
PA / √Hz的
mA
mA
典型值。
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
[1] 1 ： 1巴伦损失尚未从测量中删除。见的材料清单的eval PCB对平衡不平衡转换器的类型。
[ 2 ]参见应用电路
[ 3 ]包括不平衡变压器损耗，没有光敏二极管。见的材料清单的eval PCB对平衡不平衡转换器的类型。
9 - 200
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC770LP4BE
v00.0909
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
获得&回波损耗
[1]
20
增益与温度
[1]
20
9
+25C
+85C
-40C
10
响应（ dB）的
增益（dB ）
S21
S11
S22
15
0
10
-10
5
-20
-30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
增益和VCC的关系
[1]
20
增益与Rbias两端
20
15
增益（dB ）
增益（dB ）
15
10
4.5V
5.0V
5.5V
10
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
5
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
S11
回波损耗与Vdd的
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
+25C
+85C
-40C
S22
-10
-15
-20
-25
-30
4.5V
5.0V
5.5V
S22
S11
-25
-30
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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9 - 201
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
HMC770LP4BE
v00.0909
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
回波损耗主场迎战Rbias两端
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
S11
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
隔离与Rbias两端
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
S22
-25
-30
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
噪声系数与温度
8
[1]
噪声系数与温度低
频率
[1][2]
8
噪声系数（dB ）
噪声系数（dB ）
6
+25C
+85C
-40C
6
+25C
+85C
-40C
4
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
噪声系数与Vdd的
[1]
8
噪声系数和VCC的低频
[1][2]
8
噪声系数（dB ）
4
噪声系数（dB ）
6
4.5V
5.0V
5.5V
6
4.5V
5.0V
5.5V
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路。
[ 2 ]参见应用电路的调整低频。
9 - 202
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC770LP4BE
v00.0909
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
噪声系数主场迎战Rbias两端
8
噪声系数主场迎战Rbias两端低
频率
[2]
8
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
9 - 203
噪声系数（dB ）
4
噪声系数（dB ）
6
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
6
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
P1dB为与温度的关系
[1]
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
+25C
+85C
-40C
P1dB为与Vdd的
[1]
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
4.5V
5.0V
5.5V
P1dB的（ DBM）
的P1dB主场迎战Rbias两端
[1]
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路。
[ 2 ]参见应用电路的调整低频。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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P1dB的（ DBM）
P1dB的（ DBM）
HMC770LP4BE
v00.0909
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
输出IP3与温度的关系
[1]
输出IP3与Vdd的
[1]
50
45
40
35
30
+25C
+85C
-40C
4.5V
5.0V
5.5V
9
DRIVER &增益模块放大器 - SMT
IP3 （ dBm的）
50
45
40
35
30
25
20
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
IP3 （ dBm的）
25
20
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
输出IP3主场迎战Rbias两端
50
45
40
ICC主场迎战Rbias两端
400
350
300
4.5V
5.0V
5.5V
IP3 （ dBm的）
ICC （MA ）
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
250
200
150
35
30
100
25
20
0
0.2
50
0
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
RBIAS （欧姆）
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路
9 - 204
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HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
特点
高输出IP3 ： 40 dBm的
单正电源： + 5V
低噪声系数： 2.5分贝
[1]
差分RF I / O的
20引脚4×4毫米表面贴装封装： 16mm
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
典型应用
该Hmc770lp4Be是理想的：
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线WLAN &
CATV ，电缆调制解调器& DBS
微波无线电&测试设备
如果&射频应用
工作原理图
概述
该Hmc770lp4Be是GaAs PHEMT差
增益块MMIC放大器覆盖40 MHz到1
GHz和封装在一个4x4毫米的塑料QFN表面贴装
封装。这种多功能的放大器可以被用作一个
如果级联或RF增益级两个50欧姆和
75欧姆的应用。该Hmc770lp4Be提供
16分贝增益和40 dBm的输出，只有2.5分贝
噪声系数。差分I / O的使该放大器的理想
为阻和SAW滤波器应用，并
在收发器所在的路径，如果必须处理
差异改善噪声性能。
评估电路板都可以既SMA
（ 50Ω ）或F型（ 75Ω ）连接器。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = VDD1 = VDD2 = + 5V ， Rbias两端= R1 = 200 Ω
[2]
参数
频带
收益
[2]
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出三阶截取点（ IP3 ）
（噘嘴=每基调为0 dBm ， 1兆赫间距）
噪声系数
[2]
互
输入参考噪声电流
[3]
电源电流1 （ IDD1 ）
电源电流2 （ IDD2 ）
20
12
分钟。
典型值。
ZO = 50欧姆
0.04 - 1
16.5
0.006
17
18
23
40
2.5
-
-
136
134
160
160
4
21
12
马克斯。
分钟。
典型值。
ZO = 75欧姆
0.04 - 1
16
0.008
15
15
23.5
37.5
2.75
700
6
136
134
160
160
4
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
dB
欧
PA / √Hz的
mA
mA
[1] 1 ： 1巴伦损失尚未从测量中删除。见的材料清单的eval PCB对平衡不平衡转换器的类型。
[ 2 ]参见应用电路
[ 3 ]包括不平衡变压器损耗，没有光敏二极管。见的材料清单的eval PCB对平衡不平衡转换器的类型。
8-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
获得&回波损耗
[1]
20
增益与温度
[1]
20
10
响应（ dB）的
增益（dB ）
S21
S11
S22
8
+25C
+85C
-40C
15
0
10
-10
-20
5
-30
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
增益与Vdd的
[1]
20
增益与Rbias两端
20
15
增益（dB ）
增益（dB ）
15
10
4.5V
5.0V
5.5V
10
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
5
5
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
回波损耗与Vdd的
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
S11
4.5V
5.0V
5.5V
S22
+25C
+85C
-40C
S22
S11
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路
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8-2
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
回波损耗主场迎战Rbias两端
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
S11
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
隔离与Rbias两端
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
S22
-25
-30
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
噪声系数与温度
8
[1]
噪声系数与温度低
频率
[1][2]
8
噪声系数（dB ）
噪声系数（dB ）
6
+25C
+85C
-40C
6
+25C
+85C
-40C
4
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
噪声系数与Vdd的
[1]
8
噪声系数与Vdd的低频
[1][2]
8
噪声系数（dB ）
4
噪声系数（dB ）
6
4.5V
5.0V
5.5V
6
4.5V
5.0V
5.5V
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路。
[ 2 ]参见应用电路的调整低频。
8-3
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HMC770LP4BE
v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
噪声系数主场迎战Rbias两端
8
噪声系数主场迎战Rbias两端低
频率
[2]
8
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8-4
噪声系数（dB ）
4
噪声系数（dB ）
6
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
6
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
4
2
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
频率（GHz ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
频率（MHz）
P1dB为与温度的关系
[1]
30
25
20
15
10
5
0
P1dB为与Vdd的
[1]
30
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.0V
5.5V
P1dB的（ DBM）
+25C
+85C
-40C
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
P1dB的（ DBM）
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
的P1dB主场迎战Rbias两端
[1]
30
25
20
15
10
5
0
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
P1dB的（ DBM）
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路。
[ 2 ]参见应用电路的调整低频。
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电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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v01.0310
砷化镓pHEMT制七十五分之五十〇欧姆
差分放大器0.04 - 1 GHz的
50欧姆数据
输出IP3与温度的关系
[1]
50
45
40
IP3 （ dBm的）
35
30
25
20
IP3 （ dBm的）
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
输出IP3与Vdd的
[1]
50
45
40
35
30
25
20
4.5V
5.0V
5.5V
+25C
+85C
-40C
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
输出IP3主场迎战Rbias两端
50
45
40
IP3 （ dBm的）
IDD主场迎战Rbias两端
400
350
300
IDD （MA ）
250
200
150
100
4.5 V
5.0 V
5.5 V
35
30
25
20
RBIAS = 1.5K欧姆
RBIAS = 600欧姆
RBIAS = 200欧姆
50
0
0
0.2
0.4
0.6
频率（GHz ）
0.8
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
RBIAS （欧姆）
[1] Rbias两端= R 1 = 200欧姆。见应用电路
8-5
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