HMC722LP3E
v00.0210
13 Gbps的，快速上升时间和/ NAND / OR / NOR
GATE ，W /可编程输出电压
特点
支持高数据速率：高达13 Gbps的
差分&辛格端操作
快速的上升和下降时间：十八分之十九PS
低功耗： 230 mW的典型值。
可编程差动
输出电压摆幅： 600 - 1100毫伏
传播延迟： 95 PS
单电源： -3.3V
16引脚3×3毫米SMT封装： 9平方毫米
典型应用
该HMC722LP3E是理想的：
射频ATE应用
3
高速逻辑 - SMT
宽带测试测量&
串行数据传输高达13 Gbps的
数字逻辑系统高达13 GHz
NRZ到RZ转换
工作原理图
概述
该HMC722LP3E是一个AND / NAND / OR / NOR乐趣
ction设计为支持的数据传输速率
高达13 Gbps和时钟频率高
13千兆赫。该HMC772LP3E可以容易CON-
想通提供以下任何逻辑功能：
AND， NAND，OR和NOR 。该HMC722LP3E还
具有输出电平控制引脚， VR ，这使得
损失补偿或信号电平进行优化。
所有的输入信号到HMC722LP3E端接
50欧姆到接地片上，并且可以是交流或直流
再加。该HMC722LP3E的差分输出
可以是AC或DC耦合的。输出可
直接连接到50欧姆到地端的
系统，而隔直流电容器可以如使用
终端系统是50欧姆到非接
直流电压。该HMC722LP3E从单一操作
-3.3V直流电源，并提供了符合RoHS标准
3×3 mm的SMT封装。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25 °C,
VEE
= -3.3V
参数
电源电压
电源电流
最大数据速率
最大时钟速率
输入高电压
输入低电压
输入回波损耗
输出幅度
输出高电压
频率GHZ <13
单端的峰 - 峰
差，峰 - 峰
-0.5
-1.0
10
550
1100
-10
条件
分钟。
-3.6
典型值。
-3.3
70
13
13
0.5
0.0
最大
-3.0
单位
V
mA
Gbps的
GHz的
V
V
dB
MVP -P
MVP -P
mV
3-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC722LP3E
v00.0210
13 Gbps的，快速上升时间和/ NAND / OR / NOR
GATE ，W /可编程输出电压
电气连接特定的阳离子，
（续）
参数
输出低电压
输出上升/下降时间
输出回波损耗
小信号增益
随机抖动JR
确定性抖动， JD
传播延迟， TD
RMS
峰 - 峰值，2-
15
-1 PRBS输入
[1]
2
95
差， 20 ％ - 80 ％
频率GHZ <13
条件
分钟。
典型值。
-570
19 / 18
10
27
0.2
最大
单位
mV
ps
dB
dB
ps的均方根
3
高速逻辑 - SMT
3-2
PS，PP
ps
[1]通过同时测量一个300毫伏， 13千兆赫的抖动计算的确定性抖动，2-
15
-1的PRBS输入和单端输出
直流电流与电源电压
85
80
直流电流（mA）
75
70
65
60
55
-3.7
+25C
+85C
-40C
[1] [2]
差分输出
- 电源电压
[1] [3]
1200
差分电压（毫伏）
1150
1100
1050
1000
950
900
850
800
-3.7
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
+25C
+85C
-40C
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
电源电压（ V）
-3
-2.9
电源电压（ V）
输出差分与VR
[2]
1200
差分电压（毫伏）
1100
1000
900
800
700
600
500
400
-1.2
+25C
+85C
-40C
差分输出与频率
[3]
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
VR （ V）
-0.2
0
0.2
0.4
输出差分（MV ）
4
6
8
10
12
输入频率（ GHz）的
14
16
[1] VR = 0.0V
[ 2 ]频率= 13 GHz的
[3]频率= 10GHz的
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC722LP3E
v00.0210
13 Gbps的，快速上升时间和/ NAND / OR / NOR
GATE ，W /可编程输出电压
上升/下降时间与电源电压
[3]
25
上升/下降时间与VR
[3]
25
上升/下降时间（ PS ）
19
上升/下降时间（ PS ）
3
高速逻辑 - SMT
23
tr
tf
23
tr
tf
21
21
19
17
17
15
-3.7
-3.6
-3.5
-3.4
-3.3
-3.2
-3.1
-3
-2.9
15
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
VR （ V）
-0.2
0
0.2
0.4
电源电压（ V）
输入回波损耗与频率的关系
-10
-15
回波损耗（分贝）
-20
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
频率（GHz ）
输出回波损耗与频率
-10
-15
回波损耗（分贝）
-20
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
10
12
14
频率（GHz ）
[1] VR = 0.0V
[ 2 ]频率= 13 GHz的
[3]频率= 10GHz的
3-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC722LP3E
v00.0210
13 Gbps的，快速上升时间和/ NAND / OR / NOR
GATE ，W /可编程输出电压
眼图
[1]试验条件：
使用Agilent N4903A串行BERT产生的模式。
眼图介绍了泰克CSA 8000 。
设备输入= 10 Gbps的PN码， VIN = 300mVp - p微分。
3
高速逻辑 - SMT
时序图
真值表
输入
A
L
L
H
H
注意事项：
A = AP - AN
B = BP - BN
D = DP - DN
B
L
H
L
H
- 正电压电平
L - 负电压等级
输出
D
L
L
L
H
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
3-4
HMC722LP3E
v00.0210
13 Gbps的，快速上升时间和/ NAND / OR / NOR
GATE ，W /可编程输出电压
绝对最大额定值
电源电压（ V型）
输入信号
输出信号
储存温度
工作温度
-3.75V至+ 0.5V
-2V至+ 0.5V
-1.5V至+ 1V
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
3
高速逻辑 - SMT
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五，包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC722LP3E
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
[2]
包装标志
[3]
722
XXXX
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
3-5
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
QQ：2880707522 复制
