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HS-1120RH
1996年8月
抗辐射,超高速
电流反馈放大器儿与胶印调整
描述
在HS- 1120RH是抗辐射的,高速,
宽带,快速稳定的电流反馈放大器呃。这些
器件QML批准并进行处理和筛选
完全符合MIL -PRF- 38535 。建成了Intersil公司
专有的互补双极UHF - 1 ( DI保税
晶片)的过程中,它是最快的单片扩增fi er可用
任何半导体制造商。
该HS- 1120RH的宽带宽,快速建立
特性,和低输出阻抗,使这
放大器器非常适合驱动快速A / D转换器。此外,它
如在所描述的提供偏置电压调零能力
该数据表“偏移调整”一节。
分量和复合视频系统也将获益科幻吨
从这个放大器儿的表现,这是由excel-表示
借给增益平坦度,和0.03 % / 0.05度差
增益/相位特定连接的阳离子(R
L
= 75).
详细的电气连接特定的阳离子载于SMD
5962F9675601VPA ,可在Intersil的网站或
AnswerFAX系统(文件# 967560 )
A
对照表
可在Intersil的网站
转换的Intersil的零件编号为SMD器件。地址
是( http://www.intersil.com/datasheets/smd/smd_xref 。
的HTML ) 。
SMD号码必须用于排序辐射硬
ened产品。
特点
电筛选,以SMD 5962F9675601VPA
MIL -PRF - 38535 V类标准
低失真( HD3 ,为30MHz ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -84dBc (典型值)
宽-3dB带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为850MHz (典型值)
非常高的压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2300V / μs(典型值)
快速建立( 0.1 % ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11ns的(典型值)
出色的增益平坦度(至50MHz ) 。 。 。 。 。 0.05分贝(典型值)
高输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65毫安(典型值)
快速过驱动恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <10ns (典型值)
总伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300K RAD (SI )
闭锁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无( DI技术)
应用
视频转换和路由
脉冲和视频放大器器
宽带放大器器
RF / IF信号处理
闪存A / D驱动器
成像系统
订购信息
产品型号
5962F9675601VPA
HFA1100IJ
(样本)
HFA11XXEVAL
温度。
RANGE (
o
C)
-55至125
-40到85
8 Ld的CERDIP
8 Ld的CERDIP
PKG 。号
GDIP1-T8
F8.3A
评估板
引脚
HS-1120RH
MIL- STD- 1835 , GDIP1 -T8
( CERDIP )
顶视图
BAL
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
8
NC
V+
OUT
BAL
-
+
7
6
5
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
网络文件编号
4101.1
1
HS-1120RH
应用信息
最佳反馈电阻
反相和非反相频率的封闭图
响应示出了HS- 1120RH中的性能
各种收益。虽然对带宽的依赖性
闭环增益是不那么严重了的电压反馈
放大器呃,可以有一个明显的下降
带宽更高的收益。该降低可以被最小化
通过采用电流反馈放大器器的优势
带宽和R之间的独特关系
F
。目前所有的
反馈放大器器需要一个反馈电阻,即使是
单位增益的应用程序,并且R
F
在与结合
内部补偿电容,设置的主极点
的频率响应。因此,扩增fi er的带宽
反比于R
F
。该HS- 1120RH设计
为510Ω 优化
F
在+1的增益。减少
F
IN A
单位增益的应用降低稳定性,导致在
峰值过高和过冲。在较高收益
扩增fi er是更稳定的,以r
F
可以在一个与贸易降低
关稳定的带宽。
下表列出了推荐的
F
各种价值观
收益和预期的带宽。
收益
(A
CL
)
-1
+1
+2
+5
+10
+19
带宽
(兆赫)
580
850
670
R
S
()
50
45
驱动容性负载
容性负载,如一个A / D输入端,或者不正确
端接传输线会降低扩增fi er的
相位裕度产生的频率响应峰值和
可能的振荡。在大多数情况下,振荡可以
通过将电阻器(R避免
S
)串联在输出
之前的电容。
图1中的细节出发点,这个电阻的选择
器。曲线上的点表示第r
S
和C
L
组合
系统蒸发散为最佳带宽,稳定性,和稳定时间,
但实验网络NE调整建议。采摘
点上方或该曲线的右边产生一个过阻尼
响应,而低于点或左的曲线表明
对欠阻尼性能的领域。
R
S
和C
L
组成低通网络在输出端,从而
限制远低于扩增fi er频带 - 系统带宽
宽度为850MHz 。通过降低
S
为C
L
增加(如
在该曲线示出),最大带宽是
获得无的牺牲网络CING稳定。即便如此,带宽
当你移动到沿曲线向右不降低。
例如,在一个
V
= +1, R
S
= 50, C
L
= 30pF的,整体的
带宽是有限的至300MHz ,并且带宽下降到
100MHz的A处
V
= +1, R
S
= 5, C
L
= 340pF 。
R
F
()
430
510
360
150
180
270
40
35
30
25
20
15
10
A
V
= +1
520
240
125
PC板布局
该放大器ER的频率响应在很大程度上取决于
护理在设计印刷电路板采取的量。
使用低电感元件,如芯片电阻的
器和片式电容器,强烈推荐,
而在硬地面上是必须的!
应注意,以去耦的电源。
大值( 10μF )钽电容并联一个较小的值
( 0.1μF )片状电容器适用于大多数情况。
封端的微带信号线被建议在
输入与该设备的输出。电容直接对
输出必须被最小化,或分离为在所讨论的
下一部分。
护理也必须考虑到的电容最小化,以
地上看到的放大器器的反相输入( -IN ) 。该
这个大电容,坏的增益尖峰,导致
脉冲过冲和可能的不稳定。为此目的,它是
建议将接地平面下除去
连接到-IN痕迹,并连接到-IN应
保持尽可能地短。
良好的高频布局的一个例子是Evalua-
灰板,如图2所示。
5 A = +2
V
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360 400
负载电容(PF )
图1.推荐系列输出电阻器VS
负载电容
评估板
在HS- 1120RH的性能可以利用来评价
在HFA11XXEVAL评估板。
电路板的布局和原理图如图
图2.要订购评估板,请联系您
当地销售网络的CE 。
偏移调整
在HS- 1120RH的输出失调电压可经由调零
连接到BAL引脚。不像电压反馈
放大器呃偏移调整是通过改变符号来完成
和/或反相输入偏置电流的幅值(-I
BIAS
).
与电压反馈放大器器,偏置电流匹配
和偏置电流引起的失调误差匹配置空
阻抗看见在正和负输入。偏见
2
HS-1120RH
电流是不相关的电流放大器器反馈,所以
这种技术是不适合的。
-I
BIAS
通过R FL OWS
F
使输出失调误差。
同样,在任何变化-I
BIAS
强制相应的
改变输出电压,提供了用于输出的能力
偏移调整。通过-I归零
BIAS
到零,偏移误差
由于该电流被消除。此外,调节
限制大于-I
BIAS
限制允许用户为null
来自其它误差源,例如V
IO
或+ IN
源阻抗。例如,过量的调节电流
50μA的[I
BN
ADJ (最小值) - 我
BSN
(最大值)允许的归零
输出偏移误差的附加为26mV (其中R
F
= 510Ω ) ,在
室温。调整的量的函数
R
F
,所以调整与加强研究范围增大
F
。如果允许
通过其他方面的考虑,如带宽和噪声中,R
F
可以增加,以提供更多的调节范围。
推荐的偏置调整电路示于
网络连接gure 3 。
500
R
1
1
50
IN
0.1F
-5V
2
3
4
10F
500
V
H
8
7
50
6
5
GND
GND
OUT
V
L
0.1F
10F
+5V
图2A 。原理图
V
H
1
+ IN
V
L
OUT
V+
V-
GND
图2B 。顶面布置图
图2C 。底部视图
图2.评估板原理图和布局
510
2
-
6
V
IN
HS-1120RH
3 +
5
1
4
10K
V
OUT
V-
图3.失调电压调整电路
3
HS-1120RH
典型性能特性
装置,其特征为: V
供应
=
±5V,
R
F
= 360, A
V
= + 2V / V ,R
L
= 100Ω ,除非另有规定编
参数
输入失调电压(注1 )
平均失调电压漂移
V
IO
CMRR
V
IO
PSRR
+输入电流(注1 )
+平均输入电流漂移
- 输入电流(注1 )
平均 - 输入电流漂移
- 输入电流调整范围
+输入电阻
- 输入电阻
输入电容
输入噪声电压(注1 )
+输入噪声电流(注1 )
- 输入噪声电流(注1 )
输入共模范围
开环阻
输出电压
A
V
= -1
A
V
= -1, R
L
= 100
A
V
= -1, R
L
= 100
输出电流(注1 )
A
V
= -1, R
L
= 50
A
V
= -1, R
L
= 50
直流闭环输出电阻
静态电源电流(注1 )
-3dB带宽(注1 )
R
L
=打开
A
V
= -1, R
F
= 430, V
OUT
= 200mV的
P-P
A
V
= +1, R
F
= 510, V
OUT
= 200mV的
P-P
A
V
= +2, R
F
= 360, V
OUT
= 200mV的
P-P
压摆率
A
V
= +1, R
F
= 510, V
OUT
= 5V
P-P
A
V
= +2, V
OUT
= 5V
P-P
全功率带宽
增益平坦度(注1 )
V
OUT
= 5V
P-P
至30MHz ,R
F
= 510
至50MHz ,R
F
= 510
至100MHz ,R
F
= 510
线性相位偏差(注1 )
二阶谐波失真(注1 )
至100MHz ,R
F
= 510
为30MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
50MHz的,V
OUT
= 2V
P-P
为100MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
第三谐波失真(注1 )
为30MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
50MHz的,V
OUT
= 2V
P-P
为100MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
3阶截取(注1 )
1dB压缩
反向隔离(S
12
)
为100MHz ,R
F
= 510
为100MHz ,R
F
= 510
为40MHz ,R
F
= 510
为100MHz ,R
F
= 510
600MHz的,R
F
= 510
F = 100KHz的
F = 100KHz的
F = 100KHz的
VCM = 0V
与温度的关系
V
CM
=
±2V
V
S
=
±1.25V
VCM = 0V
与温度的关系
VCM = 0V
与温度的关系
VCM = 0V
V
CM
=
±2V
条件
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C到0
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
典型
2
10
46
50
25
40
12
40
±200
50
16
2.2
4
18
21
±3.0
500
±3.3
±3.0
±65
±50
0.1
24
580
850
670
1500
2300
220
±0.014
±0.05
±0.14
±0.6
-55
-49
-44
-84
-70
-57
30
20
-70
-60
-32
单位
mV
V/
o
C
dB
dB
A
NA /
o
C
A
NA /
o
C
A
k
pF
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
V
k
V
V
mA
mA
mA
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
兆赫
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
dB
dB
dB
4
HS-1120RH
典型性能特性
参数
上升和下降时间
(续)
装置,其特征为: V
供应
=
±5V,
R
F
= 360, A
V
= + 2V / V ,R
L
= 100Ω ,除非另有规定编
(续)
条件
V
OUT
= 0.5V
P-P
V
OUT
= 2V
P-P
过冲(注1 )
建立时间(注1 )
V
OUT
= 0.5V
P-P
,输入吨
R
/t
F
= 550ps
到0.1 %以下,V
OUT
= 2V到0V ,R
F
= 510
到0.05 %以下,V
OUT
= 2V到0V ,R
F
= 510
到0.02 %以下,V
OUT
= 2V到0V ,R
F
= 510
微分增益
微分相位
过驱动恢复时间
注意:
1。有关详细信息,请参见典型性能曲线。
A
V
= +2, R
L
= 75Ω , NTSC
A
V
= +2, R
L
= 75Ω , NTSC
R
F
= 510, V
IN
= 5V
P-P
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
典型
500
800
11
11
19
34
0.03
0.05
7.5
单位
ps
ps
%
ns
ns
ns
%
ns
典型性能曲线
V
供应
=
±5V,
R
F
= 510, R
L
= 100, T
A
= +25
o
C,除非另有规定编
120
90
输出电压(毫伏)
60
30
0
-30
-60
-90
-120
5ns/DIV.
输出电压(V)
1.2
0.9
0.6
0.3
0
-0.3
-0.6
-0.9
-1.2
5ns/DIV.
图4.小信号脉冲响应(A
V
= +2)
图5.大信号脉冲响应(A
V
= +2)
增益(dB )归一化
0
-3
-6
-9
-12
收益
A
V
= +1
A
V
= +2
A
V
= +6
A
V
= +11
相位(度)
A
V
= +1
A
V
= +2
A
V
= +6
A
V
= +11
0.3
1
10
100
频率(MHz)
1K
0
-90
-180
-270
-360
增益(dB )归一化
0
-3
-6
-9
-12
收益
A
V
= -1
A
V
= -5
A
V
= -10
A
V
= -20
180
A
V
= -1
A
V
= -5
A
V
= -10
A
V
= -20
90
0
-90
-180
1K
相位(度)
0.3
1
10
100
频率(MHz)
图6.非反相频率响应
(V
OUT
= 200mV的
P-P
)
图7.反转频率响应
(V
OUT
= 200mV的
P-P
)
5
HS-1100RH
数据表
1999年8月
网络文件编号
4100.2
抗辐射,超高速
电流反馈放大器器
该HS- 1100RH是一种抗辐射的高速,
宽带,快速稳定的电流反馈放大器呃。建成
Intersil专有的互补双极UHF - 1 ( DI
键合晶片)的过程中,它是最快的单片扩增fi er
可从任何半导体制造商。这些
器件QML批准并进行处理和筛选
完全符合MIL -PRF- 38535 。
该HS- 1100RH的宽带宽,快速建立特性,
和低输出阻抗使该放大器非常适合驱动
快速A / D转换器。
分量和复合视频系统也将获益科幻吨
从这个放大器儿的表现,由指定的
优异的增益平坦度,和0.03 % / 0.05 °。微分
增益/相位特定连接的阳离子(R
L
= 75).
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布( DSCC ) 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-94676 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
http://www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选,以SMD # 5962-94676
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
低失真( HD3 ,为30MHz ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -84dBc (典型值)
宽-3dB带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为850MHz (典型值)
非常高的压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2300V / μs(典型值)
快速建立( 0.1 % ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11ns的(典型值)
出色的增益平坦度(至50MHz ) 。 。 。 。 。 。 。 0.05分贝(典型值)
高输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65毫安(典型值)
快速过驱动恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <10ns (典型值)
总伽马剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300kRAD (SI )
闭锁。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无( DI技术)
应用
视频转换和路由
脉冲和视频放大器器
宽带放大器器
RF / IF信号处理
闪存A / D驱动器
成像系统
订购信息
订购数量
5962F9467602VPA
5962F9467602VPC
HFA1100IJ (样本)
HFA11XXEVAL
国内
MKT 。 NUMBER
HS7-1100RH-Q
HS7B-1100RH-Q
HFA1100IJ
评估板
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-40到85
引脚
HS-1100RH
GDIP1 - T8 ( CERDIP )
或CDIP2 - T8 ( SBDIP )
顶视图
NC
-IN
+ IN
V-
1
2
3
4
8
NC
V+
OUT
NC
-
+
7
6
5
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
HS-1100RH
典型应用
最佳反馈电阻
反相和非反相频率的封闭图
响应示出了HS- 1100RH中的性能
各种收益。虽然对带宽的依赖性
闭环增益是不那么严重,一个电压的
反馈放大器,可以有一个明显的降低
在带宽更高的收益。这种下降可能是
通过采用电流反馈的最小化优势
扩增fi er的带宽和R之间的独特关系
F
.
所有的电流反馈放大器器需要一个反馈电阻,
即使是单位增益的应用程序,而R
F
在与结合
内部补偿电容,集优势
极点的频率响应。因此,扩增fi er的
带宽成反比至R
F
。该HS- 1100RH
设计为510Ω 优化
F
在+1的增益。
减少
F
在一个单位增益的应用程序跌幅
稳定,从而导致过多的峰值和过冲。在
高增益放大器更加稳定,以r
F
可以
在一个折衷稳定性的带宽减小。
下表列出了推荐的
F
各种价值观
收益和预期的带宽。
收益
( ACL )
-1
+1
+2
+5
+10
+19
带宽
(兆赫)
R
S
()
连接到-IN痕迹,并连接到-IN应
保持尽可能地短。
良好的高频布局的一个例子是
评价板,如图2所示。
驱动容性负载
容性负载,如一个A / D输入端,或者不正确
端接传输线会降低扩增fi er的
相位裕度产生的频率响应峰值和
可能的振荡。在大多数情况下,振荡可以
通过将电阻器(R避免
S
)串联在输出
之前的电容。
图1细节出发点,本作的选择
电阻器。曲线上的点表示第r
S
和C
L
组合为最优带宽,稳定性,和
建立时间,但实验网络NE调整建议。
采摘上方或向右侧的点的曲线产生一
过阻尼响应,而低于点或左的曲线
指示欠阻尼性能的领域。
50
45
40
35
30
25
20
15
R
F
()
430
510
360
150
180
270
A
V
= +1
580
850
670
520
240
125
10
5 A = +2
V
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360 400
PC板布局
该放大器ER的频率响应在很大程度上取决于
护理在设计印刷电路板采取的量。
使用低电感元件,如芯片
电阻和贴片电容,强烈推荐,
而在硬地面上是必须的!
应注意,以去耦的电源。
大值( 10μF )钽电容并联一个较小的值
( 0.1μF )片状电容器适用于大多数情况。
封端的微带信号线被建议在
输入与该设备的输出。电容直接对
输出必须被最小化,或分离为在所讨论的
下一部分。
护理也必须考虑到的电容最小化,以
地上看到的放大器器的反相输入( -IN ) 。该
这个大电容,坏的增益尖峰,导致
脉冲过冲和可能的不稳定。为此目的,它是
建议将接地平面下除去
负载电容(PF )
图1.推荐系列输出电阻器VS
负载电容
R
S
和C
L
组成低通网络在输出端,从而
限制远低于扩增fi er带宽的系统带宽
的850MHz的。通过降低
S
为C
L
增加(如
在该曲线示出),最大带宽是
获得无的牺牲网络CING稳定。即便如此,带宽
当你移动到沿曲线向右不降低。为
例如,在
V
= +1, R
S
= 50, C
L
= 30pF的,整体的
带宽是有限的至300MHz ,并且带宽下降到
100MHz的A处
V
= +1, R
S
= 5, C
L
= 340pF 。
评估板
在HS- 1100RH的性能可以利用来评价
在HFA11XXEVAL评估板。
电路板的布局和原理图如图
图2.要订购评估板,请联系您
当地销售网络的CE 。
2
HS-1100RH
VH
1
+ IN
OUT
V+
VL
V-
GND
图2A 。顶面布置图
500
R
1
1
50
IN
0.1F
-5V
GND
2
3
4
10F
8
7
50
6
5
GND
0.1F
500
V
H
图2B 。底部视图
10F
+5V
OUT
V
L
图2C 。原理图
图2.评估板原理图和布局
典型性能特性
装置,其特征为: V
供应
=
±5V,
R
F
= 360, A
V
= + 2V / V ,R
L
= 100Ω ,除非另有规定编
参数
输入失调电压(注1 )
平均失调电压漂移
V
IO
CMRR
V
IO
PSRR
+输入电流(注1 )
+平均输入电流漂移
- 输入电流(注1 )
平均 - 输入电流漂移
+输入电阻
- 输入电阻
输入电容
输入噪声电压(注1 )
+输入噪声电流(注1 )
- 输入噪声电流(注1 )
输入共模范围
开环阻
A
V
= -1
F = 100KHz的
F = 100KHz的
F = 100KHz的
V
CM
= 0V
与温度的关系
V
CM
=
±2V
V
S
=
±1.25V
V
CM
= 0V
与温度的关系
V
CM
= 0V
与温度的关系
V
CM
=
±2V
条件
温度
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
典型
2
10
46
50
25
40
12
40
50
16
2.2
4
18
21
±3.0
500
单位
mV
V/
o
C
dB
dB
A
NA /
o
C
A
NA /
o
C
k
pF
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
V
k
3
HS-1100RH
典型性能特性
参数
输出电压
(续)
装置,其特征为: V
供应
=
±5V,
R
F
= 360, A
V
= + 2V / V ,R
L
= 100Ω ,除非另有规定编
条件
A
V
= -1, R
L
= 100
A
V
= -1, R
L
= 100
输出电流(注1 )
A
V
= -1, R
L
= 50
A
V
= -1, R
L
= 50
直流闭环输出电阻
静态电源电流(注1 )
-3dB带宽(注1 )
R
L
=打开
A
V
= -1, R
F
= 430, V
OUT
= 200mV的
P-P
A
V
= +1, R
F
= 510, V
OUT
= 200mV的
P-P
A
V
= +2, R
F
= 360, V
OUT
= 200mV的
P-P
压摆率
A
V
= +1, R
F
= 510, V
OUT
= 5V
P-P
A
V
= +2, V
OUT
= 5V
P-P
全功率带宽
增益平坦度(注1 )
V
OUT
= 5V
P-P
至30MHz ,R
F
= 510
至50MHz ,R
F
= 510
至100MHz ,R
F
= 510
线性相位偏差(注1 )
二阶谐波失真(注1 )
至100MHz ,R
F
= 510
为30MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
50MHz的,V
OUT
= 2V
P-P
为100MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
第三谐波失真(注1 )
为30MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
50MHz的,V
OUT
= 2V
P-P
为100MHz ,V
OUT
= 2V
P-P
3阶截取(注1 )
1dB压缩
反向隔离( S12 )
为100MHz ,R
F
= 510
为100MHz ,R
F
= 510
为40MHz ,R
F
= 510
为100MHz ,R
F
= 510
600MHz的,R
F
= 510
上升和下降时间
V
OUT
= 0.5V
P-P
V
OUT
= 2V
P-P
过冲(注1 )
建立时间(注1 )
V
OUT
= 0.5V
P-P
,输入吨
R
/t
F
= 550ps
到0.1 %以下,V
OUT
= 2V到0V ,R
F
= 510
到0.05 %以下,V
OUT
= 2V到0V ,R
F
= 510
到0.02 %以下,V
OUT
= 2V到0V ,R
F
= 510
微分增益
微分相位
过驱动恢复时间
注意:
1。有关详细信息,请参见典型性能曲线。
A
V
= +2, R
L
= 75Ω , NTSC
A
V
= +2, R
L
= 75Ω , NTSC
R
F
= 510, V
IN
= 5V
P-P
温度
25
o
C
25
o
C至125
o
C
-55
o
C到0
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
典型
±3.3
±3.0
±65
±50
0.1
24
580
850
670
1500
2300
220
±0.014
±0.05
±0.14
±0.6
-55
-49
-44
-84
-70
-57
30
20
-70
-60
-32
500
800
11
11
19
34
0.03
0.05
7.5
单位
V
V
mA
mA
W
mA
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
兆赫
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
dB
dB
dB
ps
ps
%
ns
ns
ns
%
ns
4
HS-1100RH
典型性能曲线
120
90
输出电压(毫伏)
60
30
0
-30
-60
-90
-120
5ns/DIV.
输出电压(V)
V
供应
=
±5V,
R
F
= 510, R
L
= 100, T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
1.2
0.9
0.6
0.3
0
-0.3
-0.6
-0.9
-1.2
5ns/DIV.
图3.小信号脉冲响应(A
V
= +2)
图4.大信号脉冲响应(A
V
= +2)
增益(dB )归一化
增益(dB )归一化
收益
0
-3
-6
-9
-12
A
V
= +1
A
V
= +2
A
V
= +6
A
V
= +11
0
A
V
= +1
A
V
= +2
A
V
= +6
A
V
= +11
0.3
1
10
100
频率(MHz)
-90
-180
-270
-360
1K
相位(度)
0
-3
-6
-9
-12
收益
A
V
= -1
A
V
= -5
A
V
= -10
A
V
= -20
相位(度)
相位(度)
A
V
= -1
A
V
= -5
A
V
= -10
A
V
= -20
180
90
0
-90
-180
1K
0.3
1
10
100
频率(MHz)
图5.非反相频率响应
(V
OUT
= 200mV的
P-P
)
图6.反转频率响应
(V
OUT
= 200mV的
P-P
)
增益(dB )
+3
0
-3
-6
收益
R
L
= 1k
增益(dB )归一化
+6
+3
0
-3
-6
R
L
= 50
R
L
= 100
收益
R
L
= 1k
0
-90
-180
相位(度)
R
L
= 100
R
L
= 50
R
L
= 50
R
L
= 100
R
L
= 1k
R
L
= 100
R
L
= 1k
R
L
= 100
R
L
= 50
0
-90
R
L
= 1k
R
L
= 100
R
L
= 1k
-180
-270
-360
1K
-270
-360
1K
0.3
1
10
100
频率(MHz)
0.3
1
10
100
频率(MHz)
图7.频率响应不同的负载
电阻器(A
V
= +1, V
OUT
= 200mV的
P-P
)
图8.频率响应不同的负载
电阻器(A
V
= +2, V
OUT
= 200mV的
P-P
)
5
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