HMC621LP4
/
621LP4E
v01.0708
射频下变频器SMT , 0.9 - 1.6 GHz的
9
调音台 - 下变频器 - SMT
典型应用
在Hmc621LP4 / Hmc621LP4e是理想的:
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
接入点
特点
高输出IP3 : +33 dBm的
低噪声系数: 4.5分贝
低输入LO驱动: 0 dBm的
高LO至RF隔离: 45分贝
高转换增益: 30分贝
24引脚的4x4mm表面贴装封装:16毫米
2
工作原理图
概述
该Hmc621LP4e是一个高度集成的downcon-
变频器IC,可工作在0.9 1.6 GHz的。该
Hmc621LP4e采用了高动态范围,
单平衡混频器内核集成了RF,罗和
IF放大器,使其成为理想的小型收发器
应用在蜂窝// 3G & LTE / WIMAX / 4G 。这
多功能转换器RFIC工作在低LO输入
只有0 dBm的功率电平,提供了30个dB转换
增益和展品+33 dBm的输出IP3 。综合
RF放大器提供的总体噪声系数
只有4.5分贝。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= +25 ° C, IF = 200 MHz时, LO = 0 dBm时, V偏压
[1]
= +5V
[2]
参数
频率范围, RF
频率范围, LO
频率范围,中频
转换增益
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
IP3 (输出)
1 dB压缩(输出)
LO输入驱动电平(典型值)
电源电流( IBIAS )
36
27
分钟。
典型值。
0.9 - 1.0
0.45 - 1.5
50 - 500
30
4.5
45
31
18.5
-3到+3
230
325
19
23
马克斯。
分钟。
典型值。
0.9 - 1.6
0.85 - 1.1
50 - 500
27
4.5
30
33
19
-3到+3
250
325
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
[1]参见应用电路
[2]除非另有说明,所有测量执行作为与低侧的下变频器螺&的iF = 200兆赫
9-1
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
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射频下变频器SMT , 0.9 - 1.6 GHz的
转换增益与温度的关系
35
隔离
30
20
9
射频/中频
LO / RF
LO / IF
转换增益(dB )
30
隔离度(dB )
10
0
-10
-20
-30
-40
25
20
+25 C
+85 C
-40 C
15
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
频率(GHz )
频率(GHz )
转换增益与LO驱动
35
回波损耗
0
转换增益(dB )
回波损耗(分贝)
30
-5
RF
LO
-10
25
-15
20
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
-20
15
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
频率(GHz )
频率(GHz )
转换增益VS. IF频率
35
IF带宽, LO = 0.8 GHz的
35
25
响应( dB)的
15
5
-5
-15
IF回波损耗
转换增益
转换增益(dB )
30
IF = 50MHz的
IF = 200MHz的
IF = 500MHz的
25
20
15
0.6
-25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
频率(GHz )
频率(GHz )
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调音台 - 下变频器 - SMT
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调音台 - 下变频器 - SMT
输出IP3与温度的关系
40
输出IP2与温度的关系
50
35
IP3 ( dBm的)
IP2 ( dBm的)
+25 C
+85 C
-40 C
45
30
40
25
35
+25 C
+85 C
-40 C
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
30
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
频率(GHz )
频率(GHz )
输出IP3主场迎战LO驱动
40
输出IP2主场迎战LO驱动
50
35
IP3 ( dBm的)
IP2 ( dBm的)
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
45
30
40
25
35
-3 dBm的
0 dBm的
+3 dBm的
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
30
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
频率(GHz )
频率(GHz )
输出IP3与IF频率
40
输出P1dB为与温度的关系
21
35
P1dB的( DBM)
IP3 ( dBm的)
20
30
19
25
IF = 50MHz的
IF = 200MHz的
IF = 500MHz的
18
+25 C
+85 C
-40 C
20
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
17
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
频率(GHz )
频率(GHz )
9-3
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噪声系数与温度
10
绝对最大额定值
RF / IF输入( VBIAS = + 5V )
LO驱动( VBIAS = + 5V )
+10 dBm的
+10 dBm的
+5.5伏
8
噪声系数(dB )
9
调音台 - 下变频器 - SMT
9-4
VBIAS
结温
连续PDISS (T = 85°C )
(减免20.8兆瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(结点到地面桨)
储存温度
工作温度
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
6
150 °c
1.36 w
47.9 ° C / W
-65到+ 150°C
-40至+ 85°C
4
+25 C
+85 C
-40 C
2
0
0.8
频率(GHz )
典型电源电流
VBIAS ( V)
4.5
5.0
5.5
IBIAS ( MA)
210
250
290
静电敏感器件
观察处理注意事项
绝对的偏置电阻( R1 )
范围&推荐偏置电阻值碘缺乏病RF
[3]
VBIAS ( V)
RBIAS ( R1 )
分(欧姆)
最大值(欧姆)
R1欧姆
820
5v
0
开路
2k
3.92k
10k
[3]外部偏置电阻r1中设置RF AMP的直流电流
IDD R f值
65
78
88
90
典型的级联性能分析
( RF = 900至1000 MHz , IF = 50 250兆赫, LO =低边或高边)
组件级
描述
RF LNA
RF滤波器*
无源混频器瓦特/罗放大器
IF放大器
Hmc621LP4
收益
( dB)的
16.0
-1.5
-8.5
22.0
nF
( dB)的
0.5
1.5
8.5
2.8
14.5
19.5
24.5
37.0
50.0
88.0
250.0
oP1dB
( dBm的)
21.0
oiP3
( dBm的)
33.5
+5v
当前
88.0
收益
( dB)的
16.0
14.5
6.0
28.0
28.0
累积MCM性能
oP1dB
( dBm的)
21.0
19.5
9.4
19.2
19.2
nF
( dB)的
0.5
0.5
1.3
2.0
2.0
oiP3
( dBm的)
33.5
32.0
21.0
36.0
36.0
iiP3
( dBm的)
17.5
17.5
15.0
8.0
8.0
累积MCM性能
* R f值的镜像抑制滤波器中不包括所释放的评估板。
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外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
Hmc621LP4
Hmc621LP4e
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
msL1
msL1
[1]
包装标志
[3]
H621
xxxx
H621
xxxx
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
9-5
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