HIP1020
数据表
2004年7月
FN4601.2
单，双或三输出热插拔
调节器
该HIP1020应用线性电压斜坡之门
的3.3V ， 5V和12V MOSFET的任意组合。该
内部电荷泵双打12V的偏置或三倍一个5V偏置
当使用以提供所需的高边驱动能力
更具成本效益的N沟道MOSFET 。在5V / ms的斜坡
率在内部控制，并且适当的值，以打开
设备- BAY-特定网络版的di / dt限制之内的大多数设备。如果一个
较慢的速度是必需的，在内部确定的斜坡率
可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。
当VCC = 12V时，电荷泵坡道上的电压
在大约4ms的从零至22V HGATE 。这使得无论是
标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强
作为一个高边开关的12V电源控制一起使用时。该
电压LGATE斜坡从零到16V ，允许
同时控制3.3V和/或5V的MOSFET 。
当VCC = 5V时，电荷泵输入电压三倍
模式。在HGATE斜坡12.5V的电压从零
约3毫秒，而LGATE坡道12.0V 。这种模式是理想的
对于高边MOSFET控制在3.3V开关使用，
在12V偏压不可用5V电源开关。
特点
上升时间控制装置湾规格
无需额外的组件
内部电荷泵驱动N沟道MOSFET
驱动器之一，两个或三个输出的任意组合
内部控制的开启，在坡道
- 可选的电容选择速度较慢
防止错误打开在热插入
可使用12V或5V偏置
提高设备湾外围尺寸成本和复杂性
- 最少的元件数目
- 小巧的5引脚SOT23封装
控制标准和逻辑电平MOSFET
兼容TTL和3.3V逻辑器件
关断电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 < 1μA
工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.< 3毫安
应用
设备外设湾
热插拔控制
配电控制
订购信息
部分
数
HIP1020CK-T
HIP1020CKZ-T
（见注）
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
包
PKG 。
DWG 。 ＃
引脚
HIP1020 （ SOT23 ）
顶视图
5 EN
5 Ld的SOT23牛逼+ R P5.064
5 Ld的SOT23牛逼+ R
（无铅）
P5.064
VCC
GND
LGATE
1
2
3
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，
这既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020B标准的无铅要求。
4 HGATE
典型应用
HIP1020
1
2
3
V
12
4
3
V
12,OUT
V
5
V
5
V
33
V
5,OUT
V
33
V
33,OUT
V
33,OUT
V
5,OUT
4
收费
泵
5
启用
HIP1020
可选
C1
2
1
收费
泵
5
启用
可选
C1
图1A 。 DEVICE - BAY热插拔控制器与
VCC = 12V
图1B 。 DEVICE - BAY热插拔控制器与
VCC = 5V
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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HIP1020
引脚说明
针
1
符号
VCC
功能
偏置电源
描述
该引脚连接到任何一个12V或5V电源。的HIP1020检测在所述偏置电压电平
销1和决定是否操作为一个倍压或电压三倍器。因此，
它是不建议用5V（ ±10％）和12V （ ±10％）之间的偏置电压下工作。在
不存在一个使能信号中的销5 ，当前进针1小于1μA。有必要
对于电压之前存在于销1到销5施加的使能信号。
连接到连接至引脚1的电源的负轨。
2
3
GND
LGATE
地
栅极驱动器为5V 。当VCC = 12V时，此引脚连接到5V和/或3.3V MOSFET的栅极（S ） 。当VCC
和/或3.3V
= 5V时，此引脚连接到一个3.3V MOSFET栅极。在对EN上升沿（引脚5） ，在
电压此引脚将线性递减至 16V时， VCC = 12V和12V 当VCC = 5V 。一
MOSFET的（多个）
耦合噪声内部的dv / dt钳位激活分流到地防止意外开启的
无论是输出。内部的dv / dt活化钳还保护针5 。
12V或5V MOSFET
栅极驱动器
启用
当VCC = 12V时，此引脚连接到12V MOSFET的栅极。当VCC = 5V ，接
该引脚为5V MOSFET的栅极。在对EN上升沿（引脚5） ，在此电压
引脚将线性递减至 22V时， VCC = 12V和13V 当VCC = 5V 。
一个TTL或3.3V逻辑信号连接到该引脚来控制输出的针脚3和4，上升
在5脚边缘开始的线性斜坡电压在引脚3和4。确保设备驱动
EN不会进入一个高阻抗状态时，使不希望的和，它的最大
上升时间不超过100μs的。
4
HGATE
5
EN
2
HIP1020
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14.5V
HGATE电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
LGATE电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
EN电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.0V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
SOT23 / 5L包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
240
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .300
o
C
工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V左右
±10%
或12V
±10%
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
参数
VCC电源电流
工作电源
工作电源
关断电源
GATE控制输出
HGATE的dv / dt （无需外部电容）
dv / dt的
V
CC
= 12V
V
CC
= 5V
LGATE的dv / dt （无需外部电容）
dv / dt的
V
CC
= 12V
V
CC
= 5V
HGATE上拉电流
I
HGATE
V
CC
= 12V, V
HGATE
= 19V
V
CC
= 5V, V
HGATE
= 9.5V
HGATE输出电压
V
HGATE
V
CC
= 12V
V
CC
= 5V
LGATE输出电压
V
LGATE
V
CC
= 12V
V
CC
= 5V
启用
输入阈值电压
当前启用
V
EN
I
EN
V
CC
= 12V
V
EN
= 5V
1
-
-
-
2.4
1
V
A
2.5
2.4
2.5
2.6
7.6
7.6
20.7
11.6
15.2
10.6
5
5
5
5
13.4
12.3
21.8
12.5
16.3
11.7
8.5
7.2
8.5
7.4
18.5
18.5
22.8
13.4
18.3
12.9
V / ms的
V / ms的
V / ms的
V / ms的
A
A
V
V
V
V
I
CC,12
I
CC,5
I
SHDN
V
EN
= 5V,V
CC
= 12V
V
EN
= 5V, V
CC
= 5V
V
EN
= 0V
-
-
-
1.6
0.77
-
2.3
1.1
1
mA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
3
HIP1020
典型性能曲线
25
20
15
伏
10
伏
C1 =值为22nF
22nF
注2
注3
C1 = 10nF的
15
10
C1 =值为22nF
5
0
-5
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
MILLISECONDS
MILLISECONDS
注2
C1 = 10nF的
25
20
注3
5
0
-5
图2. HGATE （PIN 4 ）打开与VCC = 12V
15
注2
10
C1 =值为22nF
伏
5
注3
图3. LGATE （PIN 3 ）打开与VCC = 12V
15
注2
注3
C1 = 10nF的
C1 = 10nF的
10
伏
C1 =值为22nF
5
0
0
-5
0
10
20
30
40
50
MILLISECONDS
-5
0
10
20
30
40
50
MILLISECONDS
图4. HGATE （PIN 4 ）打开与VCC = 5V
注：设备在10毫秒启用。
2，引脚3和4是悬空。
图5. LGATE （PIN 3 ）打开与VCC = 5V
3.引脚3和4连接到“典型”的高性能N沟道MOSFET的栅极。
应用信息
的HIP1020设计具体来说，以解决
的设备托架外设的要求。小包装，
低成本和集成功能使其成为理想的组件
所有三种器件湾铁路的高边功率控制
电压，而无需使用除了任何额外的组件
开关MOSFET本身。经积分的电荷
泵供应苏夫网络cient电压，充分提高了小写
低成本的N沟道功率MOSFET ，并且内部可
受控的接通斜坡提供了软交换为所有类型
的负荷。
虽然HIP1020是与设备研制湾
心，它具有通用性，在任何情况下执行
低成本的负载开关是必需的。
MOSFET选择的设备托架外设
当选择功率MOSFET的器件湾（或任何
类似的应用程序） ，两个主要的担忧是电压降
整个MOSFET和规定的散热要求
由特定的应用。两端的电压降
MOSFET是由它的导通状态电阻r控制
DS （ ON）
,
和峰值电流通过器件，而热
要求是由几个因素，包括确定
环境温度，空气溢流如果任何的量，面积
铜安装焊盘，的热特性
MOSFET和它的包，及平均电流通过
在MOSFET 。
4
HIP1020
表1.设备- BAY MOSFET选择指南外设功率控制
Intersil公司
产品型号
HUF76105DK8
安装 - PAD
区域（在
2
)
0.05
包
SO-8
双
r
DS （ ON）
(m)
63
51
48
HUF76113DK8
or
HUF76113T3ST
HUF76131SK8
0.08
0.05
SOT223
SO-8
单身
单身
0.05
SO-8
双
43
40
37
17
16
15
HUF76143S3S
注意事项：
4.最大，平均电流水平达到或超过了30岁“峰”设备湾指定的级别。
5.最大峰值电流水平达到或超过器件湾指定级别为100μs的“瞬间” 。
0.31
TO-263
单身
7
公共汽车
（电压）的
12
5
3.3
12
5
3.3
12
5
3.3
3.3
最大
平均电流
≤3A
（注4 ）
≤1A
≤1A
≤3A
（注4 ）
≤2A
≤1.5A
≤6A
（注4 ）
≤5A
（注4 ）
≤4A
≤9A
（注4 ）
最大
峰值电流
≤7A
（注5 ）
≤2A
≤1.25A
≤11A
（注5 ）
≤2.5A
≤1.5A
≤25A
（注5 ）
≤6A
（注5 ）
≤4A
≤9A
（注5 ）
表1中的MOSFET的基础上，被选定
假设至多2％的5V或3.3V总线的
电压可能出现在整个5V或3.3V的MOSFET ，并且
该12V总线电压至多为4％的可能出现在整个
12V的MOSFET。最坏情况下的电压降时
在最大 - 给予100μs的电流瞬变过程
峰值电流列。较长的瞬变可能并不
根据其结可容忍由MOSFET
温度前的瞬间。
在大多数情况下，给定的标准安装焊盘所在区域是必需的，以
达到最大，平均电流额定值。它假定1
盎司铜，零空溢流，并在环境温度不
超过50
o
C的安装焊盘区是近似
矩形包围的MOSFET封装面积
和它的线索。第r
DS （ ON）
数字假定该设备具有
在最大，平均 - 达到热equillibrium
电流。在一些情况下，热的能力，以及
r
DS （ ON）
可以通过使用较大的焊盘得到改善，更重
铜，空气溢流或较低的环境温度下进行。
功率MOSFET 。其结果是在钢轨的瞬时浸
电压，这会影响该设备的操作以及
已连接了其他设备的操作和
潜在主机系统本身。未经dv / dt的活化
钳，一个去耦电容将需要之间
利用宝贵的每一功率MOSFET的漏极和地
电路板空间和增加不必要的成本。该HIP1020
通过提供一种用于capacitively-一个路径来解决这个问题
耦合电流达到地面。
越来越多的上升时间
的HIP1020具有内部-斜坡电荷泵
增加电压到功率MOSFET的
预测控制的方式，允许对最软启动
类型的负载。这可能是一些类型的负载会
需要较慢的开启。这可能会出现，当一个负载有
大电容性分量或某些其他原因
需要一个非常高的启动电流。没有
外部电容C1 （参见图1 ）中，升温速率为约
5V / MS 。 HGATE和地之间的电容会减缓
上升两者的栅极电压的时间由下式给出的速率
I
HGATE
C1
= --------------------
-
dv
------
dt
(EQ.1)
保护免受不必要开启
一个dv / dt的激活钳位电路在内部连接到
LGATE （ 4针） ，并活跃在芯片未通电。它
被激活当对LGATE或HGATE电压
上涨过快，并立即提供了一个低
阻抗的接地通路，无论是GATE引脚的电流。
的dv / dt的活化的钳位电路的目的是防止
在炎热的功率MOSFET的不需要的转
插入事件。当插入一个设备，海湾周边
入托架，电源引脚上的外设被带到
与在已经通电的配合触点的接触
海湾。这导致在一个非常快速上升的电压边缘
功率MOSFET的漏极可注入电流
通过在栅 - 漏电容和简要地Y旋
5
在等式1中， C1是电容器的法拉所需的值
实现的dv / dt ，用V / s的上升速率，并且我
HGATE
是目前
销4在安培定的输出，如图中的“电气
特定网络阳离子“本数据手册的部分。图2至
图5表示栅极电压的波形为C 1的选择的值。
QQ：2881677436 复制
