HMC617LP3 / 617LP3E
v02.0610
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 0.55 - 1.2 GHz的
特点
噪声系数： 0.5分贝
增益： 16分贝
输出IP3 ： +37 dBm的
单电源： + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的QFN封装： 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC617lp3 （ E）是理想的：
蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
&的BT基础设施
中继器和毫微微蜂窝基站
公共安全无线电
接入点
工作原理图
概述
该HmC617lp3 （ E）是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器，非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
在550和1200 MHz工作。该放大器
经过优化，提供0.5分贝噪声系数，
16分贝增益，从一个单一的+37 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC617lp3 （五）共享相同的封装，
引脚排列与HmC618lp3 （ E） 1.7 - 2.2 GHz的低噪声放大器。
该HmC617lp3 （五）与+ 3V被偏置到+ 5V
并具有外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。该
HmC617lp3 （五）提供了改进的噪声系数与
之前公布的HmC372lp3 （ E）和
HmC376lp3(e).
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， Rbias两端= 3.92k欧姆*
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
14
13
VDD = 3伏直流
分钟。
典型值。
698 - 960
16
0.003
0.5
28
12
16
17
31
30
45
12.5
0.8
11
马克斯。
分钟。
典型值。
550 - 1200
15
0.003
0.5
22
14
16
16.5
30
30
45
18.5
1.1
13.5
马克斯。
分钟。
典型值。
698 - 960
16
0.005
0.55
22
12
21
21
37
88
115
16.5
0.85
11.5
VDD = +5 VDC
马克斯。
分钟。
典型值。
550 - 1200
16
0.005
0.6
17
15
20
20.5
37
88
115
1.1
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
* RBIAS电阻设定电流，请参阅应用电路这里
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC617LP3 / 617LP3E
v02.0610
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 0.55 - 1.2 GHz的
增益与温度
[1]
22
20
18
增益（dB ）
+25C
+85C
- 40C
宽带增益&回波损耗
[1] [2]
25
20
15
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
频率（GHz ）
1.6
1.8
2
S11
S22
Vdd=5V
Vdd=3V
S21
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
16
14
12
10
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
增益与温度
[2]
22
20
输入回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
+25C
+85C
- 40C
18
增益（dB ）
16
14
12
10
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
-10
-15
-20
-25
-30
+25 C
+85 C
- 40 C
1.1
1.2
1.3
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
输出回波损耗随温度的变化
[1]
0
-5
回波损耗（分贝）
反向隔离与温度的关系
[1]
0
-5
隔离度（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-20
-25
-30
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
+25 C
+85 C
- 40 C
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 3.92K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 3.92K
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC617LP3 / 617LP3E
v02.0610
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 0.55 - 1.2 GHz的
P1dB为与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
P1dB的（ DBM）
18
Vdd=3V
Vdd=5V
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数与温度
[1] [2] [4]
1.2
1
噪声系数（dB ）
0.8
+85C
Vdd=5V
Vdd=3V
0.6
0.4
0.2
0
0.5
0.6
0.7
+25 C
16
14
+25 C
+85 C
- 40 C
-40C
12
10
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
PSAT与温度的关系
[1] [2]
24
22
20
PSAT （ DBM）
18
16
14
12
10
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
频率（GHz ）
1.1
1.2
1.3
+25 C
+85 C
-40 C
Vdd=3V
Vdd=5V
输出IP3与温度的关系
[1] [2]
48
44
40
IP3 （ dBm的）
36
32
28
Vdd=3V
Vdd=5V
+25 C
+85 C
- 40 C
24
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
频率（GHz ）
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 700 MHz的
[3]
40
38
36
IP3 （ dBm的）
34
32
30
28
26
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
输出IP3和国际长途直拨对比
电源电压@ 900 MHz的
[3]
40
38
36
IP3 （ dBm的）
34
32
30
28
26
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
电源电压（ V）
140
120
100
80
60
40
20
0
5.5
IDD （MA ）
IDD （MA ）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 3.92K
[3] RBIAS = 3.92K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 3.92K
在评价PCB图中所示[ 4 ]测量基准面。
7-3
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC617LP3 / 617LP3E
v02.0610
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 0.55 - 1.2 GHz的
功率压缩@ 700 MHz的
[2]
50
40
30
20
10
0
-10
噘
收益
PAE
功率压缩@ 700 MHz的
[1]
50
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
30
20
10
0
-10
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
噘
收益
PAE
7
放大器 - 低噪声 - SMT
噪声系数（dB ）
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
功率压缩@ 900 MHz的
[1]
50
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
30
20
10
0
-10
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
噘
收益
PAE
功率压缩@ 900 MHz的
[2]
50
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
40
30
20
10
0
-10
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
噘
收益
PAE
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 700 MHz的
[3]
24
收益
P1dB
增益，功率&噪声系数
与电源电压@ 900 MHz的
[3]
1.2
1
0.8
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
噪声系数（dB ）
24
收益
P1dB
1
增益（dB ） &的P1dB （ dBm的）
22
0.8
20
0.6
0.4
16
噪声系数
20
0.6
18
0.4
0.2
0
5.5
16
噪声系数
0.2
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
14
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
4.7
5.1
0
5.5
电源电压（ V）
电源电压（ V）
[1] VDD = 5V ， RBIAS = 3.92K
[2] VDD = 3V ， RBIAS = 3.92K
[3] RBIAS = 3.92K
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v02.0610
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器， 0.55 - 1.2 GHz的
增益，噪声系数& Rbias两端@ 700 MHz的
19
18
17
1.2
1
噪声系数（dB ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
7
放大器 - 低噪声 - SMT
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 700 MHz的
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
500
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
Vdd=3V
Vdd=5V
增益（dB ）
16
15
14
13
500
Vdd=5V
Vdd=3V
输出IP3主场迎战Rbias两端@ 900 MHz的
40
38
36
34
IP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
500
1000
Rbias两端（欧姆）
10000
Vdd=3V
Vdd=5V
增益，噪声系数& Rbias两端@ 900 MHz的
17
1
16
Vdd=5V
Vdd=3V
0.8
噪声系数（dB ）
增益（dB ）
15
0.6
14
0.4
13
0.2
12
500
1000
Rbias两端（欧姆）
0
10000
绝对的偏置电阻
范围&推荐偏置电阻值碘缺乏病
Vdd的（V）的
RBIAS
民
最大
推荐
2.7k
3V
1K
[1]
开路
3.92k
4.7k
10k
820
5V
0
开路
2k
3.92k
10k
IDD （MA ）
24
30
33
40
65
78
88
90
[1] ，比Vdd = 3V和RBIAS < 1K欧姆可导致该部分变得不推荐条件稳定。
7-5
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