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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4077B
门
四倍异非门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异非门
描述
该HEF4077B提供异非功能。该
输出全缓冲以获得最佳性能。
HEF4077B
门
图2钢钉图。
图1的功能框图。
HEF4077BP （ N） ：
HEF4077BD （F ） ：
HEF4077BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
真值表
A
n
L
L
H
H
记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
B
n
L
H
L
H
O
n
H
L
L
H
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异非门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换
时
前高后低
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
60
30
20
60
30
20
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLH
t
PHL
75
35
30
70
30
25
150
70
55
145
60
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。马克斯。
HEF4077B
门
典型的外推
公式
48纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
43纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
850 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
14 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
WWW.ALLDATASHEET.COM
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集成电路
数据表
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系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4077B
门
四倍异非门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异非门
描述
该HEF4077B提供异非功能。该
输出全缓冲以获得最佳性能。
HEF4077B
门
图2钢钉图。
图1的功能框图。
HEF4077BP （ N） ：
HEF4077BD （F ） ：
HEF4077BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
真值表
A
n
L
L
H
H
记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
B
n
L
H
L
H
O
n
H
L
L
H
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异非门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换
时
前高后低
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
60
30
20
60
30
20
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLH
t
PHL
75
35
30
70
30
25
150
70
55
145
60
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。马克斯。
HEF4077B
门
典型的外推
公式
48纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
43纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
850 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
14 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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