HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
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HMC499
v03.0908
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
典型应用
该HMC499是非常适合用作功率放大器为：
点至点收音机
特点
输出IP3 ： +33 dBm的
P1dB为： +24 dBm的
增益： 16分贝
电源电压： + 5V
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 2.04 X 1.09 X 0.1毫米
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC499是一个高动态范围的GaAs PHEMT
MMIC中功率放大器的音响器的名称而经营
21至32千兆赫。该HMC499提供
增益16分贝，和+24 dBm的在输出功率
1 dB压缩从+ 5V的电源电压。该
HMC499放大器可以很容易地集成到多
芯片，芯片模块（MCM ） ，由于其体积小。所有数据
是具有连接在一个50欧姆的测试夹具的芯片
通过最小0.025毫米（ 1密耳）直径的引线键合
长度0.31毫米（12密耳）。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V ，国际长途= 200毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD） （ VDD = 5V ， VGG = -0.8V典型值）。
20
13
分钟。
典型值。
21.0 - 24.0
16
0.03
10
13
23
24
30
6.5
200
20
0.04
12.5
马克斯。
分钟。
典型值。
24.0 - 28.0
15.5
0.03
5
12
24
24.5
33
5.0
200
21
0.04
12
马克斯。
分钟。
典型值。
28.0 - 32.0
15
0.03
8
12
24.5
25
33.5
4.5
200
0.04
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ，实现独立同= 200 mA典型。
3 - 56
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC499
v03.0908
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
响应（ dB）的
10
S21
S11
S22
增益与温度
24
20
16
12
8
4
0
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
增益（dB ）
5
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 57
+25 C
+85 C
-55 C
30
32
34
36
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-55 C
-4
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
+25 C
+85 C
-55 C
-4
-8
-8
-12
-12
-16
-16
-20
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
-20
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
输出P1dB为与温度的关系
30
PSAT与温度的关系
30
26
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
26
22
+25 C
+85 C
-55 C
22
+25 C
+85 C
-55 C
18
18
14
14
10
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
10
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC499
v03.0908
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
输出IP3与温度的关系
40
噪声系数与温度
12
10
噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
36
IP3 （ dBm的）
3
线性&功率放大器 - CHIP
+25 C
+85 C
-55 C
32
28
+25 C
+85 C
-55 C
24
20
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
获得&功率与
电源电压@ 30 GHz的，国际长途= 200毫安
26
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
反向隔离与温度的关系
0
-10
22
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
3
3.5
4
Vdd的（V）的
4.5
5
5.5
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
18
14
收益
P1dB
PSAT
10
功率压缩@ 22 GHz的
28
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
24
20
16
12
8
4
0
-10
功率压缩@ 30 GHz的
28
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
24
20
16
12
8
4
0
-10
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
3 - 58
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HMC499
v03.0908
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
+3.0
IDD （MA ）
193
200
207
191
200
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ）
栅极偏置电压（ VGG ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免16.7毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+5.5伏
-4至0伏
+20 dBm的
175 °C
1.50 W
60 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
3
线性&功率放大器 - CHIP
3 - 59
+3.5
+4.0
208
注：功率放大器ER将工作在如上图所示的全电压范围。
VGG调整，以达到独立同= 200 mA的+ 5V和+ 3.5V 。
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 2 （胶装）
备用
[2]
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC499
v03.0908
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆
接口示意图
3
2-4
VDD1 ， 2,3
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.01 μF的电容器。
线性&功率放大器 - CHIP
5
RFOUT
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
6
VGG
门控制扩增fi er 。调整以达到以200mA的Idd 。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器
和0.01 F是必需的。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
3 - 60
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v00.0903
微波公司
HMC499
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
特点
+33 dBm的输出IP3
+24 dBm的P1dB为
增益： 16分贝
电源电压： + 5.0V
50欧姆匹配输入/输出
2.11毫米X 1.46毫米X 0.1毫米
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC499是非常适合用作电源
扩增fi er为：
点至点收音机
点到多点收音机
- 甚小孔径终端
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC499是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC中等功率扩增fi er这
21至32 GHz的工作。该HMC499
提供的增益为16分贝，和一个输出功率
+24 dBm的从一个5.0 V 1 dB压缩
电源电压。该HMC499扩增fi er可以很容易地
被集成到多芯片模块（ MCM的）
由于其体积小。所有数据是在芯片
50欧姆测试夹具连接，通过连接0.025毫米
（1密耳）的最小长度的直径的金属丝键
0.31毫米（12密耳）。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V ，国际长途= 200毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD） （ VDD = 5V ， VGG = -0.8V典型值）。
20
13
分钟。
典型值。
21.0 - 24.0
16
0.03
10
13
23
24
30
6.5
200
20
0.04
12.5
马克斯。
分钟。
典型值。
24.0 - 28.0
15.5
0.03
5
12
24
24.5
33
5.0
200
21
0.04
12
马克斯。
分钟。
典型值。
28.0 - 32.0
15
0.03
8
12
24.5
25
33.5
4.5
200
0.04
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ，实现独立同= 200 mA典型。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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1 - 120
v00.0903
微波公司
HMC499
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
砷化镓MMIC SUB-谐
增益与温度
泵浦搅拌机
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
增益（dB ）
5
0
-5
-10
-15
-20
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
频率（GHz ）
S21
S11
S22
17 - 25 GHz的
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
1
放大器 - CHIP
1 - 121
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25 C
+85 C
-55 C
回波损耗（分贝）
-10
回波损耗（分贝）
31 32
33
-5
-5
-10
-15
+25 C
+85 C
-55 C
-15
-20
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
频率（GHz ）
-20
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
30
28
26
24
P1dB的（ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
PSAT与温度的关系
30
28
26
24
PSAT （ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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微波公司
v00.0903
HMC499
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
1
放大器 - CHIP
输出IP3与温度的关系
40
38
36
噪声系数与温度
12
11
10
噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
+25 C
+85 C
-55 C
34
OIP3 （ dBm的）
32
30
28
26
24
22
20
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-55 C
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
获得&功率与电源电压@ 30 GHz时，
IDD = 200毫安
28
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
26
反向隔离与温度的关系
0
-10
+25 C
+85 C
-55 C
24
隔离度（dB ）
收益
P1dB
PSAT
22
20
18
16
14
12
10
3
3.5
4
4.5
5
5.5
VDD供电电压（VDC ）
-20
-30
-40
-50
-60
20
21 22 23
24 25 26
27
28 29 30
31 32
33
频率（GHz ）
功率压缩@ 22 GHz的
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-10
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 30 GHz的
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-10
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
1 - 122
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v00.0903
HMC499
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
绝对最大额定值
漏极偏置电压（ VDD1 ， VDD2 ， VDD3 ）
栅极偏置电压（ VGG ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免25毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+5.5伏
-4.0到0伏
+20 dBm的
175 °C
2.25 W
典型电源电流与Vdd的
VDD （VDC ）
+4.5
+5.0
+5.5
+3.0
+3.5
IDD （MA ）
193
200
207
191
200
208
1
放大器 - CHIP
1 - 123
40 C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
+4.0
注：扩增fi er将工作在如上图所示的全电压范围。 VGG
调整，以达到独立同= 200 mA的+ 5.0V和+ 3.5V 。
外形绘图
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的债券0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
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v00.0903
HMC499
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 21 - 32 GHz的
1
放大器 - CHIP
PAD说明
引脚数
功能
描述
这种垫是交流耦合和从匹配到50欧姆
21 - 32 GHz的。
接口示意图
1
在RF
2-4
VDD1 ， 2,3
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.01的电容
F被需要。
5
RF OUT
这种垫是交流耦合和从匹配到50欧姆
21 - 32 GHz的。
6
VGG
门控制扩增fi er 。调整以达到以200mA的Idd 。
请遵守“ MMIC放大器偏置呃程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器
和0.01
F被需要。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
1 - 124
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