HMC479MP86
/
479MP86E
v03.0810
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
典型应用
特点
的P1dB输出功率： +18 dBm的
增益： 15分贝
输出IP3 ： +34 dBm的
可级联50欧姆的I / O
单电源： + 5V至+ 12V
包括在HMC- DK001设计者工具包
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
该HMC479MP86 / HMC479MP86E是一种理想的射频/
中频增益模块& LO或PA驱动器：
蜂窝/ PCS / 3G
固定无线WLAN &
CATV ，电缆调制解调器& DBS
微波无线电&测试设备
工作原理图
概述
该HMC479MP86 & HMC479MP86E是SiGe半导体
异质结双极晶体管（ HBT ）增益模块
SMT MMIC放大器覆盖DC至5GHz 。这
微-P的包装放大器可以被用作一个
级联的50欧姆的RF / IF增益级，以及一个本振
或PA驱动器，具有高达+21 dBm的输出功率。该
HMC479MP86 （ E）提供的增益15dB的带+34 dBm的
同时要求从只有72 mA的输出IP3为850 MHz的
一个正电源。达林顿对反馈
二手导致灵敏度降低到正常的过程
变化和过温出色的增益稳定性
而需要外部偏压的最小数量
组件。
电气电源规格，
VS = 8.0 V， Rbias两端= 51欧姆，T
A
= +25° C
参数
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 3.0 GHz的
3.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 3.5 GHz的
3.5 - 5.0 GHz的
DC - 5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.5 GHz的
2.5 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.5 GHz的
2.5 - 4.0 GHz的
4.0 - 5.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
2.0 - 5.0 GHz的
分钟。
12.5
11.5
10.5
9
7.5
典型值。
14.5
13
12
11
9.5
0.008
12
16
18
15
18
25
15
18
18.5
17
14
12
34
32
28
25
4.0
4.8
72
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
mA
收益
增益随温度变化
0.012
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
16
13
11
9
输出三阶截取点（ IP3 ）
（噘=每基调为0 dBm ， 1 MHz的间距）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
注：随着宽带偏置T形设备上输出所采取的数据。
100
8-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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HMC479MP86
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479MP86E
v03.0810
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
增益与温度
20
18
16
增益（dB ）
8
+25 C
+85 C
-40 C
S21
S11
S22
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
+25 C
+85 C
-40 C
-5
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-10
+25 C
+85 C
-40 C
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
-35
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
噪声系数与温度
10
9
反向隔离度（dB ）
-5
8
噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
+25 C
+85 C
-40 C
+25 C
+85 C
-40 C
-10
-15
-20
-25
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
14
HMC479MP86
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479MP86E
v03.0810
的SiGe HBT增益模块
MMIC放大器， DC - 5 GHz的
P1dB为与温度的关系
PSAT与温度的关系
22
20
18
16
PSAT （ DBM）
14
12
10
8
6
4
2
0
+25 C
+85 C
-40 C
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
P1dB的（ DBM）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
输出IP3与温度的关系
40
增益，功率& OIP3与电源电压
恒定电流Icc = 72毫安， 850兆赫
增益（dB） ，的P1dB （ dBm的） ，PSA （ dBm的） ， IP3 （ dBm的）
36
30
24
18
12
6
0
5
6
7
8
VS （ V）
9
10
11
12
收益
P1dB
PSAT
IP3
35
IP3 （ dBm的）
30
25
+25 C
+85 C
-40 C
20
15
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
VCC与电流Icc在温度为
固定VS = 8V ，R
BIAS
= 51欧姆
80
+85 C
76
ICC （MA ）
+25 C
72
68
-40 C
64
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
工作电压（V ）
8-3
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MMIC放大器， DC - 5 GHz的
绝对最大额定值
集电极偏置电压（VCC ）
集电极偏置电流（ ICC）
RF输入功率（ RFIN ） （ VCC = 4.3 V直流）
结温
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免10.8毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（交界处领导）
储存温度
工作温度
6伏
百毫安
+17 dBm的
150 °C
0.702 W
92.6 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
静电敏感器件
观察处理注意事项
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
8-4
外形绘图
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
5. MICRO -P封装尺寸
兼容“ MICRO- x包”
包装信息
产品型号
HMC479MP86
HMC479MP86E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
479
479
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
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引脚说明
8
放大器 - DRIVER &增益模块 - SMT
引脚数
功能
描述
接口示意图
1
RFIN
该引脚的直流耦合。
一芯片外的隔直流电容。
3
RFOUT
RF输出和直流偏压（ Vcc的），用于输出级。
2, 4
GND
这些引脚必须连接到RF / DC接地。
应用电路
推荐偏置电阻值
国际商会= 72 mA时， Rbias两端= （ VS - VCC） /国际商会
电源电压（ Vs）的
R
BIAS
V
ALUE
R
BIAS
P
OWER
R
阿婷
5V
13 Ω
1/8 W
6V
27 Ω
1/4 W
8V
51 Ω
1/2 W
10V
82 Ω
1/2 W
12V
110 Ω
1W
注意：
1.外部隔直电容，需要在
RFIN和RFOUT 。
2. R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
对关键应用的推荐频率元件值
频率（MHz）
部件
50
L1
C1, C2
270 nH的
0.01 μF
900
56 nH的
100 pF的
1900
18 nH的
100 pF的
2200
18 nH的
100 pF的
2400
15 nH的
100 pF的
3500
8.2 nH的
100 pF的
5000
6.8 nH的
100 pF的
8-5
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