HMC383LC4
v04.1208
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
典型应用
该HMC383LC4是理想的：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备&传感器
特点
增益： 15分贝
饱和输出功率： +18 dBm的
输出IP3 ： +25 dBm的
单正电源： + 5V @百毫安
50欧姆匹配输入/输出
符合RoHS的4x4毫米封装
11
LO驱动器，用于HMC搅拌机
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC383LC4是一种通用的GaAs PHEMT
MMIC驱动放大器封装在符合RoHS无铅
标准的SMT封装。该放大器可提供15分贝
增益和从单一的+18 dBm的饱和功率的
+ 5V电源。一致的增益和输出功率跨越
工作频带使人们有可能使用一个COM
在多个无线电周一驱动器/ LO放大器的方法
乐队。该RF I / O是DC封锁和匹配
50欧姆的易用性。该HMC383LC4被安置
在符合RoHS标准的无铅4×4 mm封装允许 -
荷兰国际集团采用表面贴装制造技
niques 。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V +
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
(P1dB)
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
75
12
12
分钟。
典型值。
12 - 16
15
0.02
14
14
15
17
24
10.5
100
135
75
13.5
0.03
13
马克斯。
分钟。
典型值。
16 -24
16
0.02
14
17
16.5
18
25
8
100
135
75
13
0.03
12
马克斯。
分钟。
典型值。
24 - 28
15
0.02
11
10
16
17
25
7.5
100
135
75
12
0.03
10
马克斯。
分钟。
典型值。
28 - 30
13
0.02
13
8
15
16
23
8
100
135
0.03
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
11 - 16
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v04.1208
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
增益与温度
20
16
10
响应（ dB）的
增益（dB ）
12
0
S21
S11
S22
8
-10
4
+25C
+85C
-40C
11
26
28
30
-20
8
12
16
20
24
28
32
频率（GHz ）
0
12
14
16
18
20
22
24
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
+25C
-5
+85C
-40C
-10
-10
-15
-15
-20
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
-20
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
22
20
18
16
P1dB的（ DBM）
PSAT与温度的关系
22
20
18
16
PSAT （ DBM）
14
12
10
8
6
4
2
0
+25C
+85C
-40C
14
12
10
8
6
4
2
0
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 17
线性&功率放大器 - SMT
HMC383LC4
v04.1208
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
功率压缩@ 18 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-16 -14 -12 -10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 30 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
11
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
30
噪声系数与温度
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
12
14
16
18
20
22
26
噪声系数（dB ）
IP3 （ dBm的）
22
+25C
+85C
-40C
18
14
+25C
+85C
-40C
10
12
15
18
21
24
27
30
频率（GHz ）
24
26
28
30
频率（GHz ）
获得&功率与电源电压@ 18 GHz的
19
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
反向隔离与温度的关系
0
-10
18
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
15
收益
P1dB
PSAT
+25C
+85C
-40C
17
16
-60
-70
14
4.5
5
VDD供电电压（VDC ）
5.5
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
11 - 18
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v04.1208
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
99
100
101
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = +5 VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免10毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+10 dBm的
175 °C
0.92 W
98 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
注：功率放大器ER将工作在如上图所示的全电压范围
11
线性&功率放大器 - SMT
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 3080微英寸
镀金50微英寸的最小镍。
3.所有尺寸以英寸[ MM ]
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面
1A级
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
11 - 19
HMC383LC4
v04.1208
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 2, 4-15, 17,
18, 20-24
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接
在不影响性能的RF / DC接地，如果使用
接地的共面波导传输线。
此片是交流耦合和
匹配到50欧姆。
此片是交流耦合和
匹配到50欧姆。
接口示意图
3
RFIN
11
16
RFOUT
19
VDD
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 PF ， 1000 PF和2.2 μF电容是必需的。
GND
包装底部有一个裸露的金属接地
必须连接到射频/ DC接地。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
C3
价值
100 pF的
1000 pF的
2.2 μF
11 - 20
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v00.0405
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC383LC4是非常适合用作驱动放大器
为：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备&传感器
LO驱动器，用于HMC搅拌机
军事&空间
特点
增益： 15分贝
饱和输出功率： +18 dBm的
输出IP3 ： +25 dBm的
单正电源： + 5.0V @百毫安
50欧姆匹配输入/输出
符合RoHS的4x4毫米封装
工作原理图
概述
该HMC383LC4是一种通用的GaAs PHEMT
MMIC驱动放大器封装在符合RoHS无铅
标准的SMT封装。该放大器可提供15分贝
增益和从单一的+18 dBm的饱和功率的
+ 5.0V供电。一致的增益和输出功率
在整个工作频带使人们有可能使用一个
在多个电台共同驱动器/ LO放大器的方法
乐队。该RF I / O是DC阻塞，匹配50
欧姆的易用性。该HMC383LC4装在
符合RoHS标准的无铅4×4 mm封装，允许
使用表面贴装的制造技术。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V +
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
(P1dB)
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
12
12
分钟。
典型值。
12 - 16
15
0.02
14
14
15
17
24
10.5
100
13.5
0.03
13
马克斯。
分钟。
典型值。
16 -24
16
0.02
14
17
16.5
18
25
8
100
13
0.03
12
马克斯。
分钟。
典型值。
24 - 28
15
0.02
11
10
16
17
25
7.5
100
12
0.03
10
马克斯。
分钟。
典型值。
28 - 30
13
0.02
13
8
15
16
23
8
100
0.03
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
5 - 136
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v00.0405
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
增益与温度
20
18
16
14
增益（dB ）
5
放大器 - SMT
5 - 137
5
0
-5
-10
-15
-20
8
10
12
14
16
18
20
22
S21
S11
S22
12
10
8
6
4
2
0
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
+25C
+85C
-40C
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
-5
+25C
+85C
-40C
+25C
-5
+85C
-40C
-10
-10
-15
-15
-20
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
-20
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
22
20
18
16
P1dB的（ DBM）
PSAT与温度的关系
22
20
18
16
PSAT （ DBM）
+25C
+85C
-40C
14
12
10
8
6
4
2
0
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
14
12
10
8
6
4
2
0
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v00.0405
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
5
放大器 - SMT
功率压缩@ 18 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-16 -14 -12 -10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 30 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
30
28
26
24
OIP3 （ dBm的）
22
20
18
16
14
12
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
噪声系数与温度
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
12
14
16
18
20
22
噪声系数（dB ）
+25C
+85C
-40C
24
26
28
30
频率（GHz ）
获得&功率与电源电压@ 18 GHz的
19
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
反向隔离与温度的关系
0
-10
18
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
15
收益
P1dB
PSAT
+25C
+85C
-40C
17
16
-60
-70
14
4.5
5
VDD供电电压（VDC ）
5.5
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
频率（GHz ）
5 - 138
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v00.0405
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
99
100
101
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免10毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道地面桨）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+10 dBm的
175 °C
0.92 W
98 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
5
放大器 - SMT
5 - 139
注：扩增fi er将工作在如上图所示的全电压范围
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：氧化铝
2.铅和地面PADDLE电镀： 3080微英寸
镀金50微英寸的最小镍。
3.所有尺寸以英寸[ MM ]
4.引线间距有容乃非累积
五，包装WARP不得超过0.05毫米DATUM -C-
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383LC4
v00.0405
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 4-15, 17,
18, 20-24
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
在不影响性能的RF / DC接地
此片是交流耦合和匹配
50欧姆12 - 30 GHz的。
此片是交流耦合和匹配
50欧姆12 - 30 GHz的。
接口示意图
3
RFIN
16
RFOUT
19
VDD
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 PF ， 1000 PF和2.2 μF电容是必需的。
GND
包装底部有一个裸露的金属接地
必须连接到射频/ DC接地。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
C3
价值
100 pF的
1000 pF的
2.2 μF
5 - 140
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2880707522 复制
