HMC344LH5
v00.0805
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 12 GHz的
典型应用
此开关适用于DC - 12.0 GHz的50欧姆
系统
电信基础设施
军用无线电，雷达& ECM
特点
宽带绩效： DC - 12 GHz的
高隔离度42 dB的6 GHz的
低插损为1.8 dB的6 GHz的
集成的2 ： 4 TTL解码器
密封SMT封装为25mm
2
筛选符合MIL -PRF- 38535 （ B级或S ）可用
8
开关 - SMT
空间系统
测试仪表
工作原理图
概述
该HMC344LH5是宽带非反射的GaAs
在一个密闭的SMT无铅MESFET的SP4T开关
封装。涵盖了直流到12 GHz ，该交换机能够提供
高隔离度，低插入损耗。此开关还
包括电路板二进制译码电路上
降低了所需的逻辑控制线为两个。该
开关操作使用负控制电压
0 / -5V ，并且需要-5V的固定偏压。简单
外部电平转换电路允许该开关
与大多数TTL / CMOS逻辑阳性对照
家庭。该HMC344LH5允许使用表面
安装的制造技术，并适合
对于高可靠性军事，工业和空间
应用程序。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，采用V型= -5V & 0 / -5V控制， 50欧姆系统
参数
频率
DC - 2.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
DC - 12.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 4.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
DC - 12.0 GHz的
“在状态”
“关闭状态”
DC - 10.0 GHz的
DC - 12.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
DC - 12.0 GHz的
0.5 - 12.0 GHz的
0.5 - 4.0 GHz的
4.0 - 8.0 GHz的
8.0 - 12.0 GHz的
DC - 12.0 GHz的
24
48
43
37
35
30
分钟。
典型值。
1.5
1.8
2.1
3.0
53
48
42
40
35
17
12
16
10
27
50
47
44
35
75
马克斯。
1.9
2.2
2.5
3.4
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
ns
插入损耗
隔离
回波损耗
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= +7 dBm的每个音）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
8 - 178
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC344LH5
v05.0505
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 12 GHz的
插入损耗与温度的关系
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
隔离
0
-10
-20
隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
RF1
RF2
RF3
RF4
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
回波损耗
0
0.1-1 dB输入压缩点
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
0
1
2
3
4
输入压缩（ DBM）
回波损耗（分贝）
-5
RFC
RF1 ， RF2 ， RF3 ， RF4 ON
RF1 ， RF2 ， RF3 ， RF4关闭
-10
1dB压缩点
0.1分贝压缩点
-15
-20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
输入三阶截点
输入三阶截（ DBM）
55
偏置电压电流&
VEE范围= -5.0 VDC±10 ％
VEE
（ VDC）的
IEE （典型值）。
（MA ）
3.0
IEE （最大）
（MA ）
6.0
50
-5.0
45
控制电压
RF1
RF2
RF3
RF4
40
状态
低
高
偏置条件
-3V为0伏@ 40微安的典型
-5 -4.2伏@ 5微安的典型
35
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
频率（GHz ）
*隔离被记录在上面开关的输出端测得的插入损耗& 。
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8 - 179
开关 - SMT
HMC344LH5
v05.0505
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 12 GHz的
绝对最大额定值
偏置电压范围（ V型）
控制电压范围（A & B）
通道温度
热阻
（插入损耗路径）
-7.0伏
VEE -0.5V至+1.0伏
150 °C
157 ° C / W
0.42 W
264 ° C / W
0.25 W
-65至+150°C
-40至+85 C
+28 dBm的（ 0.5 - 12.0 GHz的）
1A级
真值表
控制输入
A
高
低
高
低
B
高
高
低
低
信号路径状态
RFC到：
RF1
RF2
RF3
RF4
8
开关 - SMT
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免6.4毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（终止路径）
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免3.8毫瓦/ ° C以上85°C ）
储存温度
工作温度
最大输入功率
静电放电敏感度（ HBM ）
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：陶瓷& KOVAR
2.铅和地面PADDLE电镀：Gold 40 - 80微英寸。
3.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
4.引线间距有容乃非累积
5. PAD BURR长度0.15毫米MAX 。
PAD毛刺高度0.25毫米MAX 。
6.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
8 - 180
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HMC344LH5
v05.0505
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 12 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 3,
7, 9, 11
功能
RF4 ， RF3 ， RF2 ，
RF1 ， RFC
描述
该引脚的直流耦合，匹配50欧姆。闭塞
电容是必需的，如果射频线电位不等于0V。
接口示意图
2, 8, 10, 12
GND
封装基座还必须连接到PCB的RF接地。
8
开关 - SMT
8 - 181
4
VEE
电源电压-5V ±10 ％
5
B
见真值表和控制电压表。
6
A
见真值表和控制电压表。
TTL接口电路
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HMC344LH5
v05.0505
砷化镓MMIC SP4T不反光
开关， DC - 12 GHz的
PCB评价
8
开关 - SMT
材料的评价PCB 110760一览
[1]
项
J1 - J5
J6 - J9
C1
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
10K pF电容， 0603 PKG 。
HMC344LH5 SP4T开关
110758 PCB评价
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
在网络连接纳尔申请中使用的电路板
应该用适当的射频电路设计中产生
技术。在RF端口的信号线应具有
50欧姆的阻抗和封装接地引线
和封装基座应直接连接到
接地平面类似于上面所示。该
如上图所示的评估电路板可
从要求赫梯Microwave公司。
8 - 182
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