【v01.0301HMC330砷化镓MMIC SUB-谐泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的典型应用】,IC型号HMC330,HMC330 PDF资料,HMC330经销商,ic,电子元器件-51电子网

v01.0301

HMC330

砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

典型应用

该HMC330是理想的：

LMDS

点至点收音机

SATCOM

特点

SUB -谐泵浦（ X2 ） LO

输入IP3 ： 17 dBm的

2LO / RF隔离： 48分贝

小尺寸： 0.97毫米

工作原理图

概述

该HMC330 MMIC是一个宽带双

平衡的子谐波泵浦被动

混频器可被用作上变频器或

下变频器。该混合器不需要外部

匹配或偏见。这种设计进行了优化，

提供更好的1dB压缩性能

下相同，相比于HMC266

LO驱动电平。该HMC330提供了更大的

比38分贝LO至RF和2LO至RF隔离

性能。测量与制作

芯片安装和色带粘结成一个50欧姆

包含5万氧化铝微带测试夹具连接

芯片和K-连接器之间的衬底。

测得的数据包括的寄生效应

装配。射频连接到芯片分别

与0.076毫米（ 3密耳）色带债券取得

最小长度<0.31毫米（ <12万美元）。

调音台 - CHIP

电气电源规格，

= +25° C

LO = +14 dBm时， IF = 2.5 GHz的

参数

分钟。

频率范围， RF

频率范围， LO

频率范围，中频

转换损耗

噪声系数（ SSB ）

2LO至RF隔离

LO至RF隔离

2LO至IF隔离

RF至IF隔离

LO至IF隔离

IP3 （输入）

1 dB压缩（输入）

+13

典型值。

25 - 40

12.5 - 20

2-4

+17

马克斯。

GHz的

DBM

单位

*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器， IF = 2.5千兆赫。

对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：

20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373

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HMC330

砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

转换增益与

温度@ LO = +14 dBm的

隔离@ LO = +14 dBm的

-10

射频/中频

LO / RF

LO / IF

2LO/RF

2LO/IF

转换增益（dB ）

-5

隔离度（dB ）

+25C

-55C

+85C

-20

-30

-40

-50

-60

-70

-10

-15

-20

频率（GHz ）

-80

频率（GHz ）

调音台 - CHIP

转换增益与LO驱动

回波损耗@ LO = +14 dBm的

转换增益（dB ）

回波损耗（分贝）

-5

+12 dBm的

-5

-10

+10 dBm的

+14 dBm的

-10

-15

8 dBm的

+16 dBm的

-20

频率（GHz ）

-15

频率（GHz ）

中频带宽@ LO = +14 dBm的

回波损耗

转换增益

上变频器性能

转换增益@ LO = +14 dBm的

-5

响应（ dB）的

转换增益（dB ）

-5

-10

-15

-20

频率（GHz ）

-20

频率（GHz ）

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HMC330

砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

输入IP3主场迎战LO驱动器*

输入IP3主场迎战

温度@ LO = +14 dBm的*

IP3 （ dBm的）

+12 dBm的

+14 dBm的

+16 dBm的

IP3 （ dBm的）

-55C

+25C

+85C

调音台 - CHIP

频率（GHz ）

输入IP2主场迎战LO驱动器*

输入IP2主场迎战

温度@ LO = +14 dBm的*

-55C

+25C

+85C

IP2 （ dBm的）

+12 dBm的

+14 dBm的

+16 dBm的

频率（GHz ）

输入P1dB的对比

温度@ LO = +14 dBm的

P1dB的（ DBM）

频率（GHz ）

+25C

-55C

+85C

MXN杂散输出

作为下变频器

非线性光学

MRF

-3

-2

-1

RF = 30.5 GHz的@ -10 dBm的

LO = 14 GHz的@ +14 dBm的

在dBc的所有值低于中频输出功率电平。

±5

±4

±3

±2

±1

*双音输入功率= -10 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。

对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：

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HMC330

砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

绝对最大额定值

RF / IF输入

LO驱动

储存温度

工作温度

+13 dBm的

+27 dBm的

-65至+150°C

-55至+85°C

外形绘图

芯片封装信息

[1]

标准

WP-8

备用

[2]

注意事项：

1.所有尺寸为英寸[毫米] 。

2. DIE厚度为0.004 “ 。

3.典型的焊接区0.004 “广场。

4.背面金属：金。

5.焊盘金属化：黄金。

6.背面金属接地。

7.连接不需要的未标记的焊垫。

[1]参见“包装信息”部分模具

包装尺寸。

[2]可替代的包装信息，请联系赫梯

微波公司。

对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：

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调音台 - CHIP

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HMC330

砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓

模具应该被直接连接到接地平面共晶或与

导电环氧树脂（见HMC一般搬运，安装，焊接注）。

50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝薄液膜欧姆微带传输线

衬底被建议用于使射频和从芯片（图1）。如果

0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基片必须用的模具应

提高0.150毫米（6密耳），以使得所述模具的表面是共面的

所述基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米

（ 4密耳）厚的模具到0.150毫米（ 6 mil）厚的钼散热器（钼片）

然后将其附连到接地平面（图2）。

3密耳带式连接

调音台 - CHIP

微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以

最大限度地减少色带键长。典型的模具与基板的间隔是0.076毫米（3-

密耳）。 0.075毫米（ 3密耳）的宽度和长度最小<0.31毫米金丝带（ <12

密耳）建议对RF ， LO & IF端口减小电感。

操作注意事项

遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。

储存：

所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD保护

容器，然后密封在防静电保护袋发货。一旦

密封防静电保护袋已经被打开，所有的模具应存放在干燥

氮气环境。

清洁度：

处理芯片在一个干净的环境。不要试图清理

使用液体清洁系统的芯片。

静态灵敏度：

按照ESD防范措施，以防止> ± 250V ESD

罢工。

瞬变：

抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。

使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感回升。

常规处置：

手柄沿边缘的芯片，具有一真空夹头或

锋利的一对弯曲的镊子。在芯片的表面具有脆弱空气桥和

不应该触及真空夹套，镊子，或手指。

3密耳带式连接

MOUNTING

该芯片背面金属化和可模安装有金锡共晶型坯

或用导电环氧树脂。安装面应洁净，平整。

共晶芯片粘接：

甲二十零分之八十零金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度和模具温度

265℃ 。当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应在290℃ 。请勿将芯片

到温度高于320 ℃下进行20秒以上。应所需的擦洗的不超过3秒

附件。

环氧树脂模具附件：

适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角绕观察

一旦芯片的外围被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。

引线键合

RF债券取得与0.003 “× 0.0005 ”丝带建议。这些债券应热超声键合的力量

40-60克。 0.001 “ （0.025毫米）的DC债券，超声波热合，推荐。球债券应

用40-50克和楔形债券在18-22克的力量。所有键的应用150的标称阶段温度下进行

℃。超声波能量的最小量，应适用于实现可靠的债券。所有键应该是尽可能地短，

小于12密耳（0.31mmol毫米）。

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砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

特点

SUB -谐泵浦（ X2 ） LO

输入IP3 ： 17 dBm的

2LO / RF隔离： 48分贝

小尺寸： 0.97毫米

典型应用

该HMC330是理想的：

LMDS

点至点收音机

SATCOM

工作原理图

概述

该HMC330是MMIC宽带双的天平

高级分谐波泵无源混频器

可以用作一个上变频或下变频。

该混频器无需外部匹配或偏见。这

设计进行了优化，以提供更好的1分贝的COM

PRESSION性能相比， HMC266

在相同的LO驱动电平。该HMC330亲

志愿组织大于38分贝LO至RF和2LO射频

隔离性能。测量了

与芯片安装和色带粘结成一

包含5万50欧姆微带测试夹具连接

芯片和K-连接之间的氧化铝基板

器。测得的数据包括寄生效应

组装的。射频连接到芯片分别

与0.076毫米（ 3密耳）色带债券迷你制成

MAL长度<0.31毫米（ <12万美元）。

调音台 - CHIP

电气连接特定的阳离子，

= +25° C

LO = +14 dBm时， IF = 2.5 GHz的

参数

分钟。

频率范围， RF

频率范围， LO

频率范围，中频

转换损耗

噪声系数（ SSB ）

2LO至RF隔离

LO至RF隔离

2LO至IF隔离

RF至IF隔离

LO至IF隔离

IP3 （输入）

1 dB压缩（输入）

+13

典型值。

25 - 40

12.5 - 20

2-4

+17

马克斯。

GHz的

DBM

单位

*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器， IF = 2.5千兆赫。

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HMC330

砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

转换增益与

温度@ LO = +14 dBm的

+25C

-55C

+85C

隔离@ LO = +14 dBm的

-10

-20

射频/中频

LO / IF

转换增益（dB ）

-5

隔离度（dB ）

-30

-40

-50

-60

-70

LO / RF

2LO/IF

2LO/RF

-10

-15

-20

频率（GHz ）

-80

频率（GHz ）

调音台 - CHIP

转换增益与LO驱动

回波损耗@ LO = +14 dBm的

转换增益（dB ）

回波损耗（分贝）

-5

+12 dBm的

-5

-10

+10 dBm的

+14 dBm的

-10

-15

8 dBm的

+16 dBm的

-20

频率（GHz ）

-15

频率（GHz ）

中频带宽@ LO = +14 dBm的

回波损耗

上变频器性能

转换增益@ LO = +14 dBm的

转换增益（dB ）

转换增益

-5

响应（ dB）的

-10

-15

-20

频率（GHz ）

-20

频率（GHz ）

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输入IP3主场迎战LO驱动器*

LO = +12 dBm的

LO = +14 dBm的

LO = +16 dBm的

输入IP3主场迎战

温度@ LO = +14 dBm的*

-55C

+25C

+85C

IP3 （ dBm的）

频率（GHz ）

调音台 - CHIP

频率（GHz ）

输入IP2主场迎战LO驱动器*

LO = +12 dBm的

LO = +14 dBm的

LO = +16 dBm的

输入IP2主场迎战

温度@ LO = +14 dBm的*

-55C

+25C

+85C

IP2 （ dBm的）

频率（GHz ）

MXN杂散输出

作为下变频器

非线性光学

MRF

-3

-2

-1

RF = 30.5 GHz的@ -10 dBm的

LO = 14 GHz的@ +14 dBm的

在dBc的所有值低于中频输出功率电平。

±5

±4

±3

±2

±1

输入P1dB的对比

温度@ LO = +14 dBm的

+25C

-55C

+85C

P1dB的（ DBM）

频率（GHz ）

*双音输入功率= -10 dBm的每一个音调， 1 MHz的间距。

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泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

绝对最大额定值

RF / IF输入

LO驱动

储存温度

工作温度

+13 dBm的

+27 dBm的

-65至+150°C

-55至+85°C

调音台 - CHIP

5 - 91

外形绘图

（见模具搬运，安装，焊接注）

注意事项：

1.所有尺寸为英寸[毫米] 。

2. DIE厚度为0.004 “ 。

3.典型的焊接区0.004 “广场。

4.背面金属：金。

5.焊盘金属化：黄金。

6.背面金属接地。

7.连接不需要

未标记的焊垫。

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砷化镓MMIC SUB-谐

泵浦搅拌机， 25 - 40 GHz的

MIC组装技术

3密耳带式连接

调音台 - CHIP

安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓

模具应该被直接连接到接地平面共晶或导电环氧树脂（见HMC的一般处理，安装，

合注）。

50对0.127毫米（ 5万）欧姆微带传输线厚的氧化铝薄液膜衬底建议将RF和

从芯片（图1）。如果0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄液膜衬底必须使用时，模具应提高0.150毫米（6-

密耳），以使得所述模具的表面是共面与基板的表面上。做到这一点的一种方法是附加0.102毫米（4-

密耳）厚的芯片到0.150毫米（ 6密耳）厚的钼散热器（钼片），其随后连接到接地平面（图2）。

微带基片应使尽可能靠近模具尽可能以最小化色带键长。典型的管芯到子

施特拉特间距是0.076毫米（3密耳）。 0.075毫米（ 3密耳）的宽度和长度最小<0.31毫米（ <12密耳）金丝带建议

对RF ， LO & IF端口减小电感。

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