HIP6004B
数据表
2003年10月
FN4567.3
降压和同步整流器器( PWM )
控制器和输出电压监视器
该HIP6004B提供完整的控制和保护
的DC-DC转换器用于高性能优化
微处理器应用。它被设计用来驱动两个
N沟道MOSFET的同步整流,降压版
拓扑结构。该HIP6004B集成了所有的控制,输出
调整,监控和保护功能集成到一个单一的
封装。
转换器的输出电压被容易地调整并
精确调节。该HIP6004B包括一个完全
TTL兼容5输入的数字 - 模拟转换器(DAC )
其调节从1.3V的输出电压
DC
到2.05V
DC
in
0.05V和2.1V的
DC
到3.5V
DC
在0.1V递增步骤。
精密基准电压模式调节举行
选择的输出电压以内
±1%
在不同温度和
线电压的变化。
该HIP6004B提供简单的,单一的反馈回路,
电压模式控制,具有快速的瞬态响应。它包括
一个200kHz的自由运行的三角波振荡器,
可调从下面50kHz至1MHz的多。错误
扩增fi er设有一个15MHz的增益带宽积和
6V / μs压摆率使转换器的高带宽
快速的瞬态性能。由此产生的PWM占空比
范围从0 %到100% 。
该HIP6004B监视输出电压与一个窗
比较跟踪DAC输出并发出电力
当输出电压为好信号
±10%.
该HIP6004B
防止过流和过压条件,
抑制PWM操作。附加内置过压
保护触发外部可控硅撬棍输入
供应量。该HIP6004B监视当前使用
r
DS ( ON)
上部MOSFET其中省去了对
一个电流传感电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0 %至100%占空比
出色的输出电压调节
-
±1%
在线路电压和温度
TTL兼容5位数字 - 模拟输出
电压选择
- 范围广。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到3.5V
DC
- 0.1V二进制的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.1V
DC
到3.5V
DC
- 0.05V二进制的步骤。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3V
DC
到2.05V
DC
电源良好输出电压监视器
过电压和过电流故障监视
- 不需要额外的电流传感元件,
采用MOSFET的
DS ( ON)
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
应用
电源的奔腾,高能奔腾,奔腾II ,
的PowerPC , K6 , 6X86 和Alpha 微处理器
高功率5V至3.xV DC- DC稳压器
订购信息
产品型号
HIP6004BCB
HIP6004BCV
HIP6004BCR
温度。
RANGE (
o
C)
0到70
0到70
0到70
包
20 Ld的SOIC
20 Ld的TSSOP
20 Ld的5×5 QFN
PKG 。
DWG 。 #
M20.3
M20.173
L20.5x5
低电压分布式电源
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP6004B
引脚配置
HIP6004B ( SOIC , TSSOP )
顶视图
SS
V
SEN
OCSET
SS
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 RT
19 OVP
18 V
CC
17 LGATE
16 PGND
15 BOOT
14 UGATE
13相
12 PGOOD
11 GND
6
COMP
7
FB
8
GND
9
PGOOD
10
相
VID2
VID3
VID4
3
4
5
GND
21
13 PGND
12 BOOT
11 UGATE
VID0
VID1
1
2
15 VCC
14 LGATE
HIP6004B ( QFN )
顶视图
OCSET
VSEN
OVP
16
RT
17
+V
OUT
20
19
18
FB 10
典型用途
+12V
VCC
PGOOD
SS
OVP
RT
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
FB
监测与
保护
OCSET
EN
BOOT
V
IN
= + 5V或+ 12V
OSC
HIP6004B
D / A
+
-
COMP
-
+
UGATE
相
LGATE
保护地
VSEN
GND
2
HIP6004B
绝对最大额定值
电源电压,V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
启动电压,V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+15V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
工作条件
电源电压,V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
NA
TSSOP封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
85
NA
QFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
33
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
(导线头只)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
标称电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
全变差
斜坡幅度
参考和DAC
推荐工作条件,除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
UGATE和LGATE开放
-
5
-
mA
V
OCSET
= 4.5V
V
OCSET
= 4.5V
-
8.2
-
-
-
1.26
10.4
-
-
V
V
V
RT = OPEN
185
-15
-
200
-
1.9
215
+15
-
千赫
%
V
P-P
6kΩ < RT与GND之间< 200kΩ的
V
OSC
RT = OPEN
DAC ( VID0 - VID4 )输入低电压
DAC ( VID0 - VID4 )输入高电压
DACOUT电压精度
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源
上栅漏
更低的栅极源
更低的栅极漏
保护
过电压跳闸(V
SEN
/ DACOUT )
OCSET电流源
OVP拉电流
软启动电流
I
OCSET
I
OVP
I
SS
V
OCSET
= 4.5V
DC
V
SEN
= 5.5V, V
OVP
= 0V
I
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
R
LGATE
V
BOOT
- V
相
= 12V, V
UGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
V
CC
= 12V, V
LGATE
= 6V
I
LGATE
= 0.3A
GBW
SR
COMP = 10pF的
-
2.0
-1.0
-
-
-
0.8
-
+1.0
V
V
%
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
350
-
300
-
500
5.5
450
3.5
-
10
-
6.5
mA
mA
-
170
60
-
115
200
-
10
120
230
-
-
%
A
mA
A
4
HIP6004B
电气规格
参数
电源良好
上限阈值(V
SEN
/ DACOUT )
较低的阈值(V
SEN
/ DACOUT )
迟滞(V
SEN
/ DACOUT )
PGOOD电压低
V
PGOOD
V
SEN
升起
V
SEN
落下
上限和下限阈
I
PGOOD
= -5mA
106
89
-
-
-
-
2
0.5
111
94
-
-
%
%
%
V
推荐工作条件,除非另有说明
(续)
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
典型性能曲线
80
70
1000
电阻值(kΩ )
R
T
上拉
TO + 12V
I
CC
(MA )
60
50
40
C
门
= 1000pF的
30
10
R
T
下拉到V
SS
10
0
100
200
300
400
500
600
20
C
门
= 10pF的
C
上
= C
低
= C
门
C
门
= 3300pF
100
10
100
开关频率(kHz )
1000
700
800
900
1000
开关频率(kHz )
图1。R
T
电阻与频率
图2.偏置电源电流与频率
功能引脚说明
V
SEN
OCSET
SS
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
COMP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 RT
19 OVP
18 VCC
17 LGATE
16 PGND
15 BOOT
14 UGATE
13相
12 PGOOD
11 GND
根据变频器过流( OC )跳变点
下面的等式:
I
OCSET
个R
OCSET
-
I
PEAK
= ----------------------------------------------------
r
DS
(
ON
)
过电流脱扣循环软启动功能。
SS (引脚3 )
此引脚与地之间连接一个电容。该电容,
随着内部10μA电流源,设置软
启动转换器的间隔。
FB 10
VID0-4 (引脚4-8)
VID0-4是输入引脚到5位的DAC 。的状态
这些网络已经引脚编程的内部基准电压源
( DACOUT ) 。 DACOUT水平设定转换器的输出
电压。它还设置了PGOOD和OVP阈值。表
1特定网络连接ES DACOUT为DAC输入的所有组合。
V
SEN
(引脚1)
该引脚被连接到转换器的输出电压。该
PGOOD和OVP比较器电路使用该信号
报表输出电压的状态和过电压保护。
OCSET (引脚2 )
连接一个电阻(R
OCSET
)从这个引脚的漏
上MOSFET 。
OCSET
,内部200μA电流源
(I
OCS
),以及上部MOSFET的导通电阻(R
DS ( ON)
)集
COMP (引脚9 )和FB (引脚10 )
COMP和FB是错误的可用的外部引脚
扩增fi er 。 FB管脚是错误的反相输入端
扩增fi er和COMP引脚扩增fi er输出错误。
这些引脚用来补偿电压控制
该转换器的反馈环路。
5