传感器产品
应用
罗盘
导航系统
姿态参考
流量检测
医疗器械
无触点开关
1 & 2轴磁阻
微电路
HMC1001 / 1002
HMC1021 / 1022
C
并非真实尺寸
onfigured作为4元件
惠斯通电桥，这些
高灵敏度传感器
转换的磁场以
差分输出电压
年龄，能够感测
磁场低至
30
μgauss 。
这些抄表员
提供一种小型，低成本，
高灵敏度和高
低可靠性的解决方案
场强检测。
特点和优点
宽视场范围
场范围可达
±6
高斯（地球磁场= 0.5高斯）
小型封装
专为1和2轴，以共同提供3轴（ X，Y ， Z）传感
1轴部分采用8引脚SIP或8引脚SOIC封装或陶瓷8引脚DIP封装
采用16引脚或20引脚SOIC封装2轴部分
固态
这些小器件减少电路板组装成本，提高可靠性和耐用性的COM
相比机械磁通门。
专利片上置位/复位带，以降低温度漂移，非线性误差和影响
信号输出的，由于高磁场的存在下的损失
专利的片上偏置带为消除硬铁磁场畸变的影响
这些传感器是专门设计成可以负担得起的大批量OEM应用。
片线圈
高性价比
HMC10XX家庭
HMC1001 / 1002规格
特征
桥供应（ 4 ）
电桥电阻
工作温度（4）
存储温度（ 4 ）
场范围（ 1）（2 ）（4）
线性误差（1）（ 2 ）（4）
滞后误差（ 1）（2 ）（4）
重复性误差： （ 1 ） （ 2 ） （ 4 ）
S / R重复性（ 1 ）
S / R重复性（ 2 ）
桥偏移
灵敏度（1）（ 2）
噪声密度
决议
带宽
偏置条
偏置条
温度系数
偏移字段（ 4 ）
置位/复位带
置位/复位电流（ 2 ） （ 3 ） （ 4 ）
令人不安的现场（ 4 ）
灵敏度温度系数
桥偏置温度系数
电阻温度系数
交叉轴效应
马克斯。现场曝光（ 4 ）
重量
条件
Vbridge参考GND
桥电流≤10mA
环境
环境，偏见
满量程（ FS ），总的应用领域
最佳拟合直线
（在25℃ ）
± 1高斯
± 2高斯
600
-40
-55
-2
0.1
1
0.05
0.05
2
-60
2.5
-15
3.2
29
27
5
2.5
3900
46
51
1.5
3.0
3
-3000
-600
±300
±10
2500
没有置位/复位
与置位/复位
±3
+0.5
100
0.14
0.53
3.2
56
1.8
5
3.5
民
典型值
5
850
最大
10
1200
85
125
+2
0.5
2
0.10
0.10
10
100
30
4.0
单位
伏
欧姆
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
V
mV
毫伏/ V /高斯
内华达州/
Hz
跨越± 2高斯3扫描25°C
跨越± 2高斯3扫描25°C
之后交替S / R脉冲输出变化
偏移量= （ OUT + ） - （室外） ，字段= 0高斯
设置脉冲之后， Vbridge = 8V
在我
OFFSET
= ± 50mA时Vbridge = 8V
噪声为1Hz ， Vbridge = 5V
带宽= 10Hz的， Vbridge = 5V
磁信号（下限= DC）的
从实测
OFFSET
+到
OFFSET
-
T
A
= -40 85 ℃下
现场应用中的敏感方向
从S / R +至S / R-测量
电流在0.1 ％的占空比，或更少
敏感性开始下降。使用S / R
脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 85 ℃下
T
A
= -40 85 ℃下
Ibridge=5mA
Vbridge = 8V ， -40 85°C
十字字段= 1gauss
（见AN- 205 ）
Vbridge=8V
Ibridge=5mA
没有置位/复位
与置位/复位
μgauss
兆赫
欧姆
PPM /°C的
毫安/高斯
欧姆
AMP
高斯
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
％ FS
高斯
克
零读数不烫发效果
HMC1001
HMC1002
(1) V
桥
= 4.3V ，我
S / R
= 3.2A ，T = 25 ℃。 V
OUT
= V
SET
- V
RESET
（2 ）如果V
桥
= 8.0V ，我
S / R
= 2.0A ，T = 25 ℃，低S / R的电流导致更大的输出变化。
（3）从电源的有效电流小于为1mA。
（ 4 ）未测试，性能可以保证。
单位： 1高斯（ G） = 1奥斯特（在空气中） = 79.58 /米， 1G = 10E - 4特斯拉， 1G = 10E5伽马。
2
HMC10XX家庭
HMC1021 / 1022规格
特征
桥电源
电桥电阻
工作温度
储存温度
场范围
线性误差
滞后误差
重复性误差
增益误差
桥偏移
灵敏度
噪声密度
决议
带宽
偏置条
偏置条
温度系数
偏移字段
置位/复位带
置位/复位电流
令人不安场
灵敏度温度系数
桥偏置温度系数
电阻温度系数
交叉轴效应
马克斯。现场曝光
置位/复位（ 1 ）
条件
Vbridge参考GND
桥电流= 5毫安
环境
环境，偏见
满量程（ FS ） - 总外加磁场
最佳拟合直线
（在25℃ ）
± 1高斯
± 3高斯
± 6高斯
民
3
800
-40
-55
-6
0.05
0.4
1.6
0.08
0.08
0.05
-10
0.8
±2.5
1.0
48
85
5
40
50
3900
4.0
6
0.5
20
-2800
-3000
-600
±500
±10
2500
+0.3
200
30
-3200
4.6
7.7
0.5
6.0
9
4.0
60
0.10
+10
1.2
典型值
5
1100
最大
12
1300
85
125
+6
单位
伏
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
％ FS
mV
毫伏/ V /高斯
内华达州/
√
Hz
μgauss
兆赫
PPM /°C的
毫安/高斯
AMP
高斯
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
％ FS
高斯
V
在整个± 3高斯3扫描25°C
在整个± 3高斯3扫描25°C
应用领域零读数
偏移量= （ OUT + ） - （室外） ，字段= 0高斯
设置脉冲之后， Vbridge = 5V
在Vbridge = 5V
噪声为1Hz ， Vbridge = 5V
带宽= 10Hz的， Vbridge = 5V
磁信号（下限= DC）的
从实测
OFFSET
+到
OFFSET
-
T
A
= -40 85 ℃下
现场应用中的敏感方向
从S / R +至S / R-测量
电流在0.1 ％的占空比，或更少
敏感性开始下降。使用S / R
脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 85 ℃下
T
A
= -40 85 ℃下
Ibridge=5mA
Vbridge = 5V ， -40 85°C
十字字段= 1gauss
（见AN- 205 ）
Happlied = ± 1高斯
Vbridge=5V
Ibridge=5mA
没有置位/复位
与置位/复位
零读数不烫发效果
S / R电流> 0.5安培
单位： 1高斯（ G） = 1奥斯特（在空气中） ， 1G = 79.58 /米，
1G = 10E - 4特斯拉， 1G = 10E5伽玛
（ 1 ）未测试，通过设计保证。
3
传感器产品
应用
罗盘
导航系统
姿态参考
流量检测
医疗器械
无触点开关
1和2轴磁
传感器
HMC1001 / 1002
HMC1021 / 1022
C
onfigured作为4元件
惠斯通电桥，这些
磁阻传感器
转换的磁场以
差分输出电压
年龄，能够感测
磁场低至
30
μgauss 。
这些抄表员
提供一种小型，低成本，
高灵敏度和高
低可靠性的解决方案
场强检测。
并非真实尺寸
特点和优点
宽视场范围
场范围可达
±6
高斯（地球磁场= 0.5高斯）
小型封装
专为1和2轴，以共同提供3轴（ X，Y ， Z）传感
1轴部分采用8引脚SIP或8引脚SOIC封装或陶瓷8引脚DIP封装
采用16引脚或20引脚SOIC封装2轴部分
固态
这些小器件减少电路板组装成本，提高可靠性和耐用性的COM
相比机械磁通门。
专利片上置位/复位带，以降低温度漂移，非线性误差和影响
信号输出的，由于高磁场的存在下的损失
专利的片上偏置带为消除硬铁磁场畸变的影响
这些传感器是专门设计成可以负担得起的大批量OEM应用。
片线圈
高性价比
线性磁场传感器
HMC1001 / 1002规格
特征
桥电源
电桥电阻
工作温度（4）
存储温度（ 4 ）
场范围（ 4 ）
线性误差（ 4 ）
滞后误差（ 4 ）
重复性误差（ 4 ）
S / R重复性（ 1 ）
S / R重复性（ 2 ）
桥偏移
灵敏度
噪声密度（ 4）
分辨率（ 4 ）
带宽（4）
偏置条
持平
满量程（ FS ），总的应用领域
最佳拟合直线
±1
高斯
±2
高斯
条件*
Vbridge参考GND
桥电流≤10mA
600
-55
-55
-2
0.1
1
0.05
0.05
2
-60
2.5
-15
3.2
29
27
5
2.5
0.39
46
51
1.5
3.0
3.2
0.37
3
-0.32
-0.3
-0.06
±0.03
±0.001
0.25
±3
+0.5
10000
0.14
0.53
克
-0.28
56
1.8
5
3.5
民
典型值
5
850
最大
12
1200
150
175
+2
0.5
2
0.10
0.10
10
100
30
4.0
单位
伏
欧姆
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
V
mV
毫伏/ V /高斯
纳伏/赫兹
μgauss
兆赫
欧姆
%/° C
毫安/高斯
欧姆
AMP
%/° C
高斯
%/° C
%/° C
%/° C
％ FS
高斯
3扫过
±2
高斯
3扫过
±2
高斯
之后交替S / R脉冲输出变化
偏移量= （ OUT + ） - （室外） ，字段= 0高斯
设置脉冲之后， Vbridge = 8V
S / R的电流是3A
噪音在1赫兹， Vbridge = 5V
带宽= 10Hz的， Vbridge = 5V
磁信号（下限= DC）的
从offset +测量到OFFSET-
偏置条
温度系数（ 4 ）T
A
= -40 125 ℃的
偏移字段（ 4 ）
置位/复位带
置位/复位电流（ 2 ） （ 3 ） （ 4 ）
置位/复位
温度系数（4）
令人不安的现场（ 4 ）
灵敏度温度系数（4）
桥偏移温度系数（ 4 ）
电阻温度系数（4）
交叉轴效应（ 4 ）
马克斯。现场曝光（ 4 ）
重量
现场应用中的敏感方向
从S / R +至S / R-测量
2
s
电流脉冲， 1 ％的占空比
T
A
= -40 125 ℃的
敏感性开始下降。
使用S / R脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 125 ℃的
Vbridge=8V
Ibridge=5mA
T
A
= -40到125°C没有置位/复位
Vbridge=5V
与置位/复位
T
A
= -40 125 ℃的
十字字段= 1gauss没有置位/复位
（见AN- 205 ）
与置位/复位
零读数不烫发效果
HMC1001
HMC1002
(1)
(2)
(3)
(4)
(*)
V
桥
= 4.3V ，我
S / R
= 3.2A ，V
OUT
= V
SET
– V
RESET
如果V
桥
= 8.0V ，我
S / R
= 2.0A ，低S / R电流导致更大的输出变化。
从电源的有效电流小于1mA 。
在生产测试，性能可以保证。
在25 ° C下测试，除非另有说明。
单位： 1高斯（ G） = 1奥斯特（在空气中） = 79.58 /米， 1G = 10E - 4特斯拉， 1G = 10E5伽马。
2
线性磁场传感器
HMC1021 / 1022规格
特征
桥电源
电桥电阻
工作温度（1）
存储温度（ 1 ）
字段范围（ 1 ）
线性误差（ 1 ）
滞后误差（ 1 ）
重复性误差（ 1 ）
桥偏移
灵敏度
噪声密度（ 1）
解决方法（ 1 ）
带宽（1）
偏置条
偏置条
温度系数（ 1 ）
偏移字段（ 1 ）
置位/复位带
置位/复位电流
置位/复位
温度系数（ 1 ）
干扰场（ 1 ）
灵敏度的温度系数（1）
桥偏移温度系数（ 1 ）
电阻温度系数（1）
交叉轴效应（ 1 ）
马克斯。现场曝光（ 1 ）
置位/复位（ 1 ）
条件**
Vbridge参考GND
桥电流= 5毫安
HMC1021S ， 1021Z ， 1022
HMC1021D*
持平
满量程（ FS ） ， - 总外加磁场
最佳拟合直线
±1
高斯
±3
高斯
±6
高斯
3扫过
±3
高斯
3扫过
±3
高斯
偏移量= （ OUT + ） - （室外） ，字段= 0高斯
设置脉冲之后， Vbridge = 5V
S / R电流= 0.5A
噪声为1Hz ， Vbridge = 5V
带宽= 10Hz的， Vbridge = 5V
磁信号（下限= DC）的
从offset +测量到OFFSET-
T
A
= -40 125 ℃的
现场应用中的敏感方向
从S / R +至S / R-测量
2μs的电流脉冲， 1 ％的占空比
T
A
= -40 125 ℃的
敏感性开始下降。使用S / R
脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 125 ℃的
Vbridge=5V
Ibridge=5mA
20
-0.32
-0.3
-0.06
±0.05
±0.001
0.25
+0.3
10000
30
-0.28
4.0
5.5
0.5
38
-10
0.8
800
-55
- 55
-55
-6
0.05
0.4
1.6
0.08
0.08
±2.5
1.0
48
85
5
50
0.39
4.6
7.7
0.5
0.37
6.0
9
4.0
60
11.25
1.25
民
典型值
5
1100
最大
25
1300
150
300*
175
+6
单位
伏
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
mV
毫伏/ V /高斯
纳伏/赫兹÷
μgauss
兆赫
%/° C
毫安/高斯
AMP
%/° C
高斯
%/° C
%/° C
%/° C
％ FS
高斯
V
T
A
= -40到125°C没有置位/复位
Vbridge=5V
与置位/复位
Vbridge = 5V ，T
A
= -40 125 ℃的
十字字段= 1高斯
（见AN- 205 ） Happlied = ± 1高斯
零读数不烫发效果
S / R电流
≥
0.5 AMPS
*请参照数据表， HTMC1021D规范。
（ 1 ）在生产测试，以鉴定保证。
单位： 1高斯（ G） = 1奥斯特（在空气中） ， 1G = 79.58 /米，
1G = 10E - 4特斯拉， 1G = 10E5伽玛
**除非另有说明测试条件： 25 ℃。
3
传感器产品
应用
罗盘
导航系统
姿态参考
流量检测
医疗器械
无触点开关
1和2轴磁
传感器
HMC1001 / 1002
HMC1021 / 1022
C
onfigured作为4元件
惠斯通电桥，这些
磁阻传感器
转换的磁场以
差分输出电压
年龄，能够感测
磁场低至
30
μgauss 。
这些抄表员
提供一种小型，低成本，
高灵敏度和高
低可靠性的解决方案
场强检测。
并非真实尺寸
特点和优点
宽视场范围
场范围可达
±6
高斯（地球磁场= 0.5高斯）
小型封装
专为1和2轴，以共同提供3轴（ X，Y ， Z）传感
1轴部分采用8引脚SIP或8引脚SOIC封装或陶瓷8引脚DIP封装
采用16引脚或20引脚SOIC封装2轴部分
固态
这些小器件减少电路板组装成本，提高可靠性和耐用性的COM
相比机械磁通门。
专利片上置位/复位带，以降低温度漂移，非线性误差和影响
信号输出的，由于高磁场的存在下的损失
专利的片上偏置带为消除硬铁磁场畸变的影响
这些传感器是专门设计成可以负担得起的大批量OEM应用。
片线圈
高性价比
线性磁场传感器
HMC1001 / 1002规格
特征
桥电源
电桥电阻
工作温度（4）
存储温度（ 4 ）
场范围（ 4 ）
线性误差（ 4 ）
滞后误差（ 4 ）
重复性误差（ 4 ）
S / R重复性（ 1 ）
S / R重复性（ 2 ）
桥偏移
灵敏度
噪声密度（ 4）
分辨率（ 4 ）
带宽（4）
偏置条
持平
满量程（ FS ），总的应用领域
最佳拟合直线
±1
高斯
±2
高斯
条件*
Vbridge参考GND
桥电流≤10mA
600
-55
-55
-2
0.1
1
0.05
0.05
2
-60
2.5
-15
3.2
29
27
5
2.5
0.39
46
51
1.5
3.0
3.2
0.37
3
-0.32
-0.3
-0.06
±0.03
±0.001
0.25
±3
+0.5
10000
0.14
0.53
克
-0.28
56
1.8
5
3.5
民
典型值
5
850
最大
12
1200
150
175
+2
0.5
2
0.10
0.10
10
100
30
4.0
单位
伏
欧姆
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
V
mV
毫伏/ V /高斯
纳伏/赫兹
μgauss
兆赫
欧姆
%/° C
毫安/高斯
欧姆
AMP
%/° C
高斯
%/° C
%/° C
%/° C
％ FS
高斯
3扫过
±2
高斯
3扫过
±2
高斯
之后交替S / R脉冲输出变化
偏移量= （ OUT + ） - （室外） ，字段= 0高斯
设置脉冲之后， Vbridge = 8V
S / R的电流是3A
噪音在1赫兹， Vbridge = 5V
带宽= 10Hz的， Vbridge = 5V
磁信号（下限= DC）的
从offset +测量到OFFSET-
偏置条
温度系数（ 4 ）T
A
= -40 125 ℃的
偏移字段（ 4 ）
置位/复位带
置位/复位电流（ 2 ） （ 3 ） （ 4 ）
置位/复位
温度系数（4）
令人不安的现场（ 4 ）
灵敏度温度系数（4）
桥偏移温度系数（ 4 ）
电阻温度系数（4）
交叉轴效应（ 4 ）
马克斯。现场曝光（ 4 ）
重量
现场应用中的敏感方向
从S / R +至S / R-测量
2
s
电流脉冲， 1 ％的占空比
T
A
= -40 125 ℃的
敏感性开始下降。
使用S / R脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 125 ℃的
Vbridge=8V
Ibridge=5mA
T
A
= -40到125°C没有置位/复位
Vbridge=5V
与置位/复位
T
A
= -40 125 ℃的
十字字段= 1gauss没有置位/复位
（见AN- 205 ）
与置位/复位
零读数不烫发效果
HMC1001
HMC1002
(1)
(2)
(3)
(4)
(*)
V
桥
= 4.3V ，我
S / R
= 3.2A ，V
OUT
= V
SET
– V
RESET
如果V
桥
= 8.0V ，我
S / R
= 2.0A ，低S / R电流导致更大的输出变化。
从电源的有效电流小于1mA 。
在生产测试，性能可以保证。
在25 ° C下测试，除非另有说明。
单位： 1高斯（ G） = 1奥斯特（在空气中） = 79.58 /米， 1G = 10E - 4特斯拉， 1G = 10E5伽马。
2
线性磁场传感器
HMC1021 / 1022规格
特征
桥电源
电桥电阻
工作温度（1）
存储温度（ 1 ）
字段范围（ 1 ）
线性误差（ 1 ）
滞后误差（ 1 ）
重复性误差（ 1 ）
桥偏移
灵敏度
噪声密度（ 1）
解决方法（ 1 ）
带宽（1）
偏置条
偏置条
温度系数（ 1 ）
偏移字段（ 1 ）
置位/复位带
置位/复位电流
置位/复位
温度系数（ 1 ）
干扰场（ 1 ）
灵敏度的温度系数（1）
桥偏移温度系数（ 1 ）
电阻温度系数（1）
交叉轴效应（ 1 ）
马克斯。现场曝光（ 1 ）
置位/复位（ 1 ）
条件**
Vbridge参考GND
桥电流= 5毫安
HMC1021S ， 1021Z ， 1022
HMC1021D*
持平
满量程（ FS ） ， - 总外加磁场
最佳拟合直线
±1
高斯
±3
高斯
±6
高斯
3扫过
±3
高斯
3扫过
±3
高斯
偏移量= （ OUT + ） - （室外） ，字段= 0高斯
设置脉冲之后， Vbridge = 5V
S / R电流= 0.5A
噪声为1Hz ， Vbridge = 5V
带宽= 10Hz的， Vbridge = 5V
磁信号（下限= DC）的
从offset +测量到OFFSET-
T
A
= -40 125 ℃的
现场应用中的敏感方向
从S / R +至S / R-测量
2μs的电流脉冲， 1 ％的占空比
T
A
= -40 125 ℃的
敏感性开始下降。使用S / R
脉冲恢复灵敏度。
T
A
= -40 125 ℃的
Vbridge=5V
Ibridge=5mA
20
-0.32
-0.3
-0.06
±0.05
±0.001
0.25
+0.3
10000
30
-0.28
4.0
5.5
0.5
38
-10
0.8
800
-55
- 55
-55
-6
0.05
0.4
1.6
0.08
0.08
±2.5
1.0
48
85
5
50
0.39
4.6
7.7
0.5
0.37
6.0
9
4.0
60
11.25
1.25
民
典型值
5
1100
最大
25
1300
150
300*
175
+6
单位
伏
°C
°C
高斯
％ FS
％ FS
％ FS
mV
毫伏/ V /高斯
纳伏/赫兹÷
μgauss
兆赫
%/° C
毫安/高斯
AMP
%/° C
高斯
%/° C
%/° C
%/° C
％ FS
高斯
V
T
A
= -40到125°C没有置位/复位
Vbridge=5V
与置位/复位
Vbridge = 5V ，T
A
= -40 125 ℃的
十字字段= 1高斯
（见AN- 205 ） Happlied = ± 1高斯
零读数不烫发效果
S / R电流
≥
0.5 AMPS
*请参照数据表， HTMC1021D规范。
（ 1 ）在生产测试，以鉴定保证。
单位： 1高斯（ G） = 1奥斯特（在空气中） ， 1G = 79.58 /米，
1G = 10E - 4特斯拉， 1G = 10E5伽玛
**除非另有说明测试条件： 25 ℃。
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